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Low-temperature conformal vacuum deposition of OLED devices using close-space sublimation 被引量:2
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作者 Bryan Siu Ting Tam Shou-Cheng Dong Ching W.Tang 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2023年第9期62-67,共6页
Close-space sublimation(CSS)has been demonstrated as an alternative vacuum deposition technique for fabricating organic light-emitting diodes(OLEDs).CSS utilizes a planar donor plate pre-coated with organic thin films... Close-space sublimation(CSS)has been demonstrated as an alternative vacuum deposition technique for fabricating organic light-emitting diodes(OLEDs).CSS utilizes a planar donor plate pre-coated with organic thin films as an area source to rapidly transfer the donor film to a device substrate at temperatures below 200℃.CSS is also conformal and capable of depositing on odd-shaped substrates using flexible donor media.The evaporation behaviors of organic donor films under CSS were fully characterized using model OLED materials and CSS-deposited films exhibited comparable device performances in an OLED stack to films deposited by conventional point sources.The low temperature and conformal nature of CSS,along with its high material utilization and short process time,make it a promising method for fabricating flexible OLED displays. 展开更多
关键词 close-space sublimation OLED thin film low temperature vacuum deposition
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Preparation and Properties of CdTe Polycrystalline Films for Solar Cells 被引量:2
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作者 郑华靖 张静全 《Journal of Wuhan University of Technology(Materials Science)》 SCIE EI CAS 2006年第3期65-68,共4页
The structure and characteristics of CdTe thin filrns are closely dependent on the whole deposition process in close-space sublimation (CSS). The physical mechanism of CSS was analyzed aud the temperature distributi... The structure and characteristics of CdTe thin filrns are closely dependent on the whole deposition process in close-space sublimation (CSS). The physical mechanism of CSS was analyzed aud the temperature distribution in CSS system was measured, and the influences of the increasing-temperature process and pressure on the preliminary nucleus creation were studied. The resuits indicate : tire samples deposited at different pressures hare a cubical structure of CdTe and the diffraction peaks of CdS and SnO2 : F. As the atmosphere pressure increases, the crystal size of CdTe decreases, the rate of the transparency of the thin film decreases and the absorption side moves towards the short-wave direction. After a 4-minute depositing process with a substrate teraw.rature of 500℃ and a source temperature of 620 ℃, the polycostallinc thin films can be mmade , so the production of high-quality integrated cell with StrO2: F/ CdS/ CdTe/ Au structure is hopeful. 展开更多
关键词 cdte solar cell dose-spaced sublimation polycrystallinc thin film depositing process
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Effect of depressurizing speed on mold filling behavior and entrainment of oxide film in vacuum suction casting of A356 alloy 被引量:2
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作者 Shan-guang LIU Fu-yang CAO +4 位作者 Jun-ying YI Xin-yi ZHAO Jing ZENG Zhi-liang NING Jian-fei SUN 《Transactions of Nonferrous Metals Society of China》 SCIE EI CAS CSCD 2016年第12期3292-3298,共7页
The effect of depressurizing speed on mold filling behavior and entrainment of oxide film of A356 alloy was studied. Themold filling behavior and velocity fields were recorded by water simulation with particle image v... The effect of depressurizing speed on mold filling behavior and entrainment of oxide film of A356 alloy was studied. Themold filling behavior and velocity fields were recorded by water simulation with particle image velocimetry. The results show thatthe gate velocity first increased dramatically, then changed with the depressurizing speed: the gate velocity increased slowly atrelatively high depressurizing speed; at reasonable depressurizing speed, the gate velocity kept unchanged; while at lowerdepressurizing speed, the gate velocity decreased firstly and then kept unchanged. High gate velocity results in melt falling backunder gravity at higher speed. The falling velocity is the main factor of oxide film entrainment in vacuum suction casting. The designcriterion of depressurizing rate was deduced, and the A356 alloy castings were poured to test the formula. The four-point bend testand Weibull probability plots were applied to assessing the fracture mechanisms of the as-cast A356 alloy. The results illuminate amethod on designing suitable depressurizing speed for mold filling in vacuum suction casting. 展开更多
关键词 A356 aluminum alloy vacuum suction casting water simulation surface turbulence thin-walled casting oxide film
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Double oxide film defects in Ni-based super-alloy castings
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作者 Huang Aihua Cui Shusen Lou Yanchun 《China Foundry》 SCIE CAS 2008年第1期16-19,共4页
A new class of defects has been recently discovered, which are regarded as double oxide film defects. In this study, a number of Ni-based vacuum-cast test bars were investigated. The fractures in the broken test bars ... A new class of defects has been recently discovered, which are regarded as double oxide film defects. In this study, a number of Ni-based vacuum-cast test bars were investigated. The fractures in the broken test bars were observed by Scanning Electron Microscopy (SEM). Energy Dispersive Spectroscopy (EDS), as well as Wavelength Dispersive Spectroscopy (WDS) were used to characterize the chemical elements of the fracture's surface. Observation by SEM revealed the presence of inclusions identified as films that appeared to have initiated the growth of carbides. This study has added to the evidence that oxide film defects do exist in Ni-based super-alloy in certain vacuum casting conditions. It provides a reference for researchers' further study on the defects, and provides a possible direction for researchers to improve casting technology so as to remove these defects. 展开更多
关键词 double oxide film vacuum casting Ni-based super-alloy
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近空间升华沉积CdTe薄膜的微结构和PL谱 被引量:8
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作者 武莉莉 冯良桓 +5 位作者 蔡伟 张静全 蔡亚平 郑家贵 朱居木 陈诺夫 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第8期827-832,共6页
用近空间升华法在CdS薄膜上沉积了CdTe薄膜 .研究了在两种保护气氛下所沉积的多晶CdTe薄膜在后处理后的微结构、表面形貌及光致发光 (PL)谱 ,并研究了CdTe表面和CdS/CdTe界面的PL谱的区别 ,根据薄膜的微结构对碲化镉在太阳电池中的应用... 用近空间升华法在CdS薄膜上沉积了CdTe薄膜 .研究了在两种保护气氛下所沉积的多晶CdTe薄膜在后处理后的微结构、表面形貌及光致发光 (PL)谱 ,并研究了CdTe表面和CdS/CdTe界面的PL谱的区别 ,根据薄膜的微结构对碲化镉在太阳电池中的应用进行了讨论 . 展开更多
关键词 近空间升华 碲化镉薄膜 微结构 光致发光谱 太阳电池
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氩氧气氛下沉积的CdTe薄膜及太阳电池的性质 被引量:8
6
作者 冯良桓 张静全 +6 位作者 蔡伟 黎兵 蔡亚平 武莉莉 李卫 郑家贵 蔡道林 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期716-720,共5页
研究了在氩氧气氛下近空间升华沉积CdTe的技术.发展了在表面十分平整的玻璃衬底上沉积优质CdTe薄膜的方法,对比了在玻璃衬底和CdS薄膜上CdTe薄膜的结构特征.通过研究氧分压对CdTe薄膜择优取向的影响,证实了在恰当的近空间升华沉积过程中... 研究了在氩氧气氛下近空间升华沉积CdTe的技术.发展了在表面十分平整的玻璃衬底上沉积优质CdTe薄膜的方法,对比了在玻璃衬底和CdS薄膜上CdTe薄膜的结构特征.通过研究氧分压对CdTe薄膜择优取向的影响,证实了在恰当的近空间升华沉积过程中,两种衬底上的CdTe薄膜具有相同的结构.研究了玻璃衬底上CdTe薄膜的电学与光学性质,观察了后处理对上述薄膜性质的影响,并研制出了效率达13.38%的小面积CdTe薄膜太阳电池. 展开更多
关键词 cdte 太阳电池 近空间升华 薄膜
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近空间升华法制备CdTe薄膜 被引量:13
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作者 蔡伟 张静全 +5 位作者 郑家贵 黎兵 蔡亚平 武莉莉 邵烨 冯良桓 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2001年第2期121-123,127,共4页
研究了衬底材料和基片温度对膜微结构的影响。衬底温度在 4 0 0℃以上薄膜结晶状况较为完整。在结晶状况较好的CdS薄膜上生长的CdTe薄膜晶粒较大 ,尺寸均匀。在CdTe膜面涂敷CdCl2 甲醇溶液 。
关键词 cdte薄膜 近空间升华法 太阳电池
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光谱分析气体状态对近空间升华沉积CdTe多晶薄膜的影响 被引量:6
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作者 郑华靖 郑家贵 +2 位作者 冯良桓 张静全 谢二庆 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第7期1071-1076,共6页
在CdTe多晶薄膜太阳电池制备中用近空间升华法生长了CdTe多晶薄膜, 沉积工作气体的状态决定了薄膜的结构、性质. 文章首先分析了近空间沉积的物理机制, 测量了近空间沉积装置内的温度分布, 使用氩氧混合气体为工作气体, 其中重点讨论了... 在CdTe多晶薄膜太阳电池制备中用近空间升华法生长了CdTe多晶薄膜, 沉积工作气体的状态决定了薄膜的结构、性质. 文章首先分析了近空间沉积的物理机制, 测量了近空间沉积装置内的温度分布, 使用氩氧混合气体为工作气体, 其中重点讨论了该气体状态(包括气氛和气压)与薄膜的初期成核的关系, 即择优取向程度和光能隙与气氛和气压的关系. 结果表明, (1)不同气氛下沉积的CdTe薄膜均为立方相结构. 随氧浓度的增加, σ增加, 氧浓度为6%时, σ最大, 之后随氧浓度增加, σ降低, 在12%达到最小, 然后随氧浓度的增加而增加, 在氧浓度为9%时沉积的结晶更完整. CdTe薄膜的光能隙为1.50~1.51 eV; (2)在氩氧气氛下氧浓度为9%, 不同气压下制备的样品, 均有立方相CdTe, 此外, 还有CdS和SnO2:F衍射峰. CdTe晶粒随气压增加有减小趋势, 随气压的增加, 透过率呈下降趋势, 相应的CdTe吸收边向短波方向移动; (3)在氩氧气氛下氧浓度为9%, 采用衬底温度550 ℃, 源温度620 ℃, 沉积时间4 min时制备的CdTe多晶薄膜获得了转换效率优良的结构为SnO2:F/CdS/CdTe/Au的集成电池. 展开更多
关键词 cdte 近空间升华 多晶薄膜 光谱分析
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近距离升华制备CdTe掺Te薄膜的结构与电性能研究 被引量:3
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作者 李锦 郑毓峰 +2 位作者 戴康 徐金宝 陈树义 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第1期195-199,共5页
采用近距离升华(Close-Spaced-Sublimation,CSS)技术制备CdTe及掺Te薄膜.并利用XRF、XRD、SEM及Hall系统研究了其含量、结构、表面形貌和电性能.结果表明,CSS技术制备的CdTe薄膜晶形好,晶粒度较RF方法制备的薄膜增大约100倍.Te掺入CdTe... 采用近距离升华(Close-Spaced-Sublimation,CSS)技术制备CdTe及掺Te薄膜.并利用XRF、XRD、SEM及Hall系统研究了其含量、结构、表面形貌和电性能.结果表明,CSS技术制备的CdTe薄膜晶形好,晶粒度较RF方法制备的薄膜增大约100倍.Te掺入CdTe薄膜后,改变了CdTe膜的结晶特性,适当掺入Te可以促进CdTe晶格的生长,并导致Cdrre膜晶格常数变大.薄膜面电阻率降低,面载流子浓度增大,以及载流子迁移率的增大,表明掺杂Te后CdTe膜的电导性能大大改善. 展开更多
关键词 Te 结构 电性能 近距离升华 cdte薄膜 CSS技术 太阳电池 碲化镉 掺杂
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太阳电池中CdTe多晶薄膜沉积制备及其性能 被引量:4
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作者 郑华靖 张静全 +3 位作者 冯良桓 蔡伟 郑家贵 谢二庆 《四川大学学报(工程科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期59-62,共4页
在氩氧混合气氛下近空间升华技术(CSS)制备CdTe多晶薄膜中,薄膜的结构、性质决定于整个沉积过程。深入研究沉积过程中的热交换、物质输运,有助于制备薄而致密的具有进行良好光电性质CdTe薄膜。通过分析近空间沉积的物理机制,测量近空间... 在氩氧混合气氛下近空间升华技术(CSS)制备CdTe多晶薄膜中,薄膜的结构、性质决定于整个沉积过程。深入研究沉积过程中的热交换、物质输运,有助于制备薄而致密的具有进行良好光电性质CdTe薄膜。通过分析近空间沉积的物理机制,测量近空间沉积装置内温度分布,对升温过程、气压与薄膜初期成核的关系进行讨论。研究结果表明,不同气压下制备的样品,均有立方相CdTe,此外,还有CdS和SnO2:F衍射峰,CdTe晶粒随气压增加有减小趋势;随气压的增加,透过率呈下降趋势,相应的CdTe吸收边向短波方向移动。在此基础上制备出转换效率优良的结构为SnO2:F/CdS/CdTe/Au的串联集成电池。 展开更多
关键词 cdte 近空间升华(CSS) 多晶薄膜 太阳电池
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真空蒸发制备稀土Dy掺杂CdTe薄膜及其特性研究 被引量:6
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作者 董海成 李蓉萍 +2 位作者 李忠贤 何志刚 安晓晖 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第6期588-592,共5页
采用双源蒸镀法制备了稀土Dy掺杂CdTe薄膜,并对薄膜的晶体学和光学性质进行了研究。结果表明,掺杂Dy使薄膜中富Te的情况更加严重,且使CdTe薄膜具有了沿(111)晶向的择优取向,同时掺杂抑制了CdTe的化合与结晶,使薄膜的晶粒尺寸明显增大、... 采用双源蒸镀法制备了稀土Dy掺杂CdTe薄膜,并对薄膜的晶体学和光学性质进行了研究。结果表明,掺杂Dy使薄膜中富Te的情况更加严重,且使CdTe薄膜具有了沿(111)晶向的择优取向,同时掺杂抑制了CdTe的化合与结晶,使薄膜的晶粒尺寸明显增大、光学带隙明显减小。 展开更多
关键词 cdte薄膜 特性研究 真空蒸发 稀土掺杂
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玻璃上热壁真空沉积生长CdTe薄膜的结构及光学特性 被引量:3
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作者 姚朝晖 陈庭金 +4 位作者 夏朝凤 袁海荣 刘祖明 廖华 王帆 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第7期1236-1240,共5页
采用热壁真空沉积的方法,在清洁的玻璃衬底上生长了不同膜厚的CdTe薄膜,对其结构和薄膜的本征吸收光学特性进行了测量分析研究.XRD测试显示薄膜为多晶,具有标准的立方结构,沿(111)方向有明显的择优取向.晶格常数的计算值为0.649nm,与标... 采用热壁真空沉积的方法,在清洁的玻璃衬底上生长了不同膜厚的CdTe薄膜,对其结构和薄膜的本征吸收光学特性进行了测量分析研究.XRD测试显示薄膜为多晶,具有标准的立方结构,沿(111)方向有明显的择优取向.晶格常数的计算值为0.649nm,与标准值符合得较好.用Cary 5000型双光束分光光度计测试了薄膜的反射谱和透射谱,显示在本征吸收区透过率随着膜厚的增加和波长的减小而减小.对测量的反射谱和透射谱采用较严格的数学处理,计算得到了描述薄膜宏观光学特性的重要物理量,即薄膜的吸收系数、消光系数、折射率等.用(hνα)2对hν作图,得出了薄膜厚度为0.12,0.48和0.81μm的光学能隙分别为1.54,1.48和1.46eV,证实了材料是直接带隙结构,且在本征吸收的可见光区有高的吸收系数. 展开更多
关键词 热壁真空沉积 cdte薄膜 结构特性 光学特性
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掺Sb-CdTe薄膜的结构及其光学特性研究 被引量:4
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作者 李蓉萍 李琦 《真空科学与技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期474-476,共3页
用真空蒸发技术在玻璃衬底上获得了掺杂Sb的CdTe薄膜 ,薄膜为立方晶系结构 ,具有沿 [111]晶向的择优取向。薄膜为p型呈高阻状态 ,在可见光范围内透过率很低。研究了不同掺杂浓度下薄膜的性质 ,并在不同条件下对薄膜进行热处理 。
关键词 SB cdte薄膜 结构 光学特性 真空蒸发 热处理 掺杂 碲化镉 半导体 掺杂
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退火温度对ITO/Cu/AZO透明导电薄膜结构及性能的影响
14
作者 孙冰成 张健 +1 位作者 张贤旺 于尉 《微纳电子技术》 CAS 2024年第11期155-162,共8页
采用射频与直流磁控交替溅射法在石英玻璃载玻片上制备了氧化铟锡(ITO)/Cu/Al掺杂ZnO(AZO)(45 nm/10 nm/45 nm)组合结构的透明导电薄膜,并在不同退火温度下对薄膜进行真空热处理。利用X射线衍射仪(XRD)、紫外-可见分光光度计、四探针电... 采用射频与直流磁控交替溅射法在石英玻璃载玻片上制备了氧化铟锡(ITO)/Cu/Al掺杂ZnO(AZO)(45 nm/10 nm/45 nm)组合结构的透明导电薄膜,并在不同退火温度下对薄膜进行真空热处理。利用X射线衍射仪(XRD)、紫外-可见分光光度计、四探针电阻测试仪等表征手段,系统地研究了退火温度对ITO/Cu/AZO复合薄膜晶体结构和光电性能的影响。结果显示,经过不同温度的真空退火处理,薄膜的晶体结构和导电性能得到显著改善和提高,薄膜可见光平均透过率随着退火温度的升高先增加后降低。对比发现,在气压5×10^(-3)Pa、温度150℃下退火制备的ITO/Cu/AZO结构薄膜表现出最佳的综合性能,薄膜具有较强的(222)和(440)晶面衍射峰,在400~800 nm光波范围平均透过率约为80.5%,电导率约为1.76×10^(3) S/cm,综合品质因数达到约2.12×10^(-3)/Ω。 展开更多
关键词 磁控溅射 真空热处理 氧化铟锡(ITO)薄膜 Al掺杂ZnO(AZO)薄膜 交替溅射法
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真空蒸发制备Sb掺杂CdTe薄膜 被引量:1
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作者 冯松 李蓉萍 +2 位作者 田磊 邹凯 刘永生 《真空》 CAS 2013年第2期18-21,共4页
采用真空蒸发技术在玻璃衬底上制备了Sb掺杂的CdTe薄膜,薄膜为沿(111)晶向择优生长的立方闪锌矿结构的CdTe,结果表明Sb掺杂使得薄膜表面更加均匀致密,改善了薄膜的结晶状况,增大了薄膜的光吸收范围,同时也使薄膜的带隙宽度有所减小,大... 采用真空蒸发技术在玻璃衬底上制备了Sb掺杂的CdTe薄膜,薄膜为沿(111)晶向择优生长的立方闪锌矿结构的CdTe,结果表明Sb掺杂使得薄膜表面更加均匀致密,改善了薄膜的结晶状况,增大了薄膜的光吸收范围,同时也使薄膜的带隙宽度有所减小,大大降低了薄膜的电阻率。 展开更多
关键词 真空蒸发 Sb掺杂 cdte薄膜 性能研究
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近距离升华法制备Bi催化纳米晶CdTe薄膜的表征
16
作者 李锦 尚飞 +3 位作者 郑毓峰 孙言飞 简基康 吴荣 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2009年第5期719-723,共5页
采用近距离升华法(Close-Spaced-Sublimation,CSS)引入Bi催化剂成功制备出了具有纳米线、近阵列排布的纳米棒等形貌的纳米晶CdTe薄膜。并利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外可见分光光度计等研究了薄膜的结构、表面形貌和... 采用近距离升华法(Close-Spaced-Sublimation,CSS)引入Bi催化剂成功制备出了具有纳米线、近阵列排布的纳米棒等形貌的纳米晶CdTe薄膜。并利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外可见分光光度计等研究了薄膜的结构、表面形貌和光学性能。讨论了CdTe纳米结构可能的生长机制。 展开更多
关键词 近距离升华(CSS) cdte薄膜 纳米晶
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近空间升华沉积CdTe多晶薄膜过程的研究
17
作者 郑华靖 张静全 +2 位作者 冯良桓 郑家贵 谢二庆 《高技术通讯》 CAS CSCD 北大核心 2005年第11期58-62,共5页
研究了近空间升华(CSS)沉积CdTe多晶薄膜的物理机制,测量了近空间沉积装置内的温度分布,分析了升温过程、气压与薄膜的初期成核的关系,优化了升温过程,在此基础上制备出了转换效率优良的结构为SnO2:F/CdS/CdTe/Au的串联集成太阳电池.同... 研究了近空间升华(CSS)沉积CdTe多晶薄膜的物理机制,测量了近空间沉积装置内的温度分布,分析了升温过程、气压与薄膜的初期成核的关系,优化了升温过程,在此基础上制备出了转换效率优良的结构为SnO2:F/CdS/CdTe/Au的串联集成太阳电池.同时结果表明:近空间升华制备CdTe多晶薄膜的物理过程主要是,CdTe升华前升温,CdTe源升华分解为Cd、Te2,Cd、Te2在衬底上化合沉积以及衬底上的CdTe反升华等过程.在正常的近空间升华过程中,CdTe的蒸汽压远小于保护气体的气压.后者对对成核的晶粒方向几乎没有影响,但它通过改变分子平均自由程来影响Cd、Te2分子的扩散,从而影响薄膜的生长速率. 展开更多
关键词 cdte太阳电池 近空间升华 多晶薄膜 沉积过程
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升温过程和气压在近空间升华沉积CdTe多晶薄膜中的作用
18
作者 郑华靖 郑家贵 +1 位作者 冯良桓 谢二庆 《兰州大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2006年第2期60-64,共5页
近空间升华技术制备 CdTe 多晶薄膜具有薄膜质量好、沉积速率高、设备简单、生产成本低等优点.采用近空间升华法(CSS)制备的 CdTe 多晶薄膜,薄膜的结构、性质与整个沉积过程密切相关,其过程受到较多因素的影响.要实现对沉积过程的控制... 近空间升华技术制备 CdTe 多晶薄膜具有薄膜质量好、沉积速率高、设备简单、生产成本低等优点.采用近空间升华法(CSS)制备的 CdTe 多晶薄膜,薄膜的结构、性质与整个沉积过程密切相关,其过程受到较多因素的影响.要实现对沉积过程的控制,必须对沉积过程中的热交换、物质输运进行深入的研究.分析近空间沉积的物理机制,通过对装置内的温度进行测量,对升温曲线进行实验研究,优选了温度分布与升温曲线,研究了气压对 CdTe 薄膜结构、性质的影响.讨论了升温过程、气压与薄膜的初期成核的关系.结果表明:不同气压下沉积的样品均为立方相 CdTe,且还出现 CdS 和 SnO_2∶F 的衍射峰,随着气压增加,CdTe 晶粒减小,薄膜的透过率下降,相应的吸收边向短波方向移动.采用衬底温度500℃,源温度620℃,沉积时间4min 的沉积条件获得了性能优良的 CdTe 多晶薄膜. 展开更多
关键词 cdte多晶薄膜 近空间升华 太阳电池 升温过程
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退火温度对真空热蒸发CdTe薄膜特性的影响
19
作者 刘绰 张雷 +1 位作者 马蕾 彭英才 《材料热处理学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第3期167-171,共5页
采用真空热蒸发方法,以高纯CdTe粉末为蒸发源,在石英和AZO玻璃上沉积了厚度约为485 nm的CdTe薄膜,随后在N2氛围中于250~400℃条件下进行后退火处理。利用X射线衍射仪、拉曼光谱仪、分光光度计和数字源表测量了不同退火温度条件下样品的... 采用真空热蒸发方法,以高纯CdTe粉末为蒸发源,在石英和AZO玻璃上沉积了厚度约为485 nm的CdTe薄膜,随后在N2氛围中于250~400℃条件下进行后退火处理。利用X射线衍射仪、拉曼光谱仪、分光光度计和数字源表测量了不同退火温度条件下样品的结构、光学和电学特性。结果表明,所制备的薄膜为立方闪锌矿结构,择优取向为<111>晶向,提高退火温度可以促进薄膜结晶;光学测量结果证实,随退火温度升高,薄膜样品的光学带隙由1.527 e V减小到1.496 e V;电流-电压测试表明,薄膜电导率随退火温度的增加,由0.97μS/cm增大至87.3μS/cm。 展开更多
关键词 真空热蒸发 cdte薄膜 退火处理 结构特性
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Deposition and characterization of Pd-Ti thin film by sublimation
20
作者 Zhang Zhiwei Yang Yuchen +3 位作者 Ma Yongsheng Wang Xujian Liu Baiqi He Ping 《Radiation Detection Technology and Methods》 CSCD 2020年第4期465-471,共7页
Introduction Pd/Ti double-layer thin film as non-evaporable getter(NEG)was deposited by sublimation,and its activation temperature was as low as 100℃.The Pd film was deposited in situ after Ti deposition to ensure no... Introduction Pd/Ti double-layer thin film as non-evaporable getter(NEG)was deposited by sublimation,and its activation temperature was as low as 100℃.The Pd film was deposited in situ after Ti deposition to ensure no oxidization on Ti film.Pumping speed test and characterization method The pumping speed of the coated pipe was measured by a pumping speed test system.The sticking factor was calculated by Molflow.The surface morphology was observed by a scanning electron microscope(SEM).The chemical composition of the film was measured by an energy-dispersive spectrum inbuilt with the SEM.The crystalline structure of the film was measured using grazing incidence X-ray diffraction.Conclusion It was found that the pumping performance of the Pd/Ti film still remained high after 15 times of activation.The maximum pumping speed after heating at 100℃for 24 h was 1.1 L/s cm^(2)and 0.49 L/s cm^(2)for H_(2)and CO,respectively.It can be concluded that the key to reducing the activation temperature of NEG materials is to enhance the oxidation resistance of the surface of NEG. 展开更多
关键词 Pd/Ti film Low activation temperature sublimation Non-evaporable getter Ultra-high vacuum
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