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CdWO_4闪烁晶体的生长及其光学性能的研究 被引量:8
1
作者 罗丽明 陶德节 王英俭 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第5期922-926,共5页
本工作生长出了57mm×45mm的大尺寸CdWO4单晶,并报道了该晶体的最佳生长工艺。对CdWO4原料的一次烧结物、生长炉壁的挥发物进行了XRD谱的测试分析,结果表明一次烧结可以得到基本成相的多晶料;生长原料CdO较WO3更易挥发。同时,测试... 本工作生长出了57mm×45mm的大尺寸CdWO4单晶,并报道了该晶体的最佳生长工艺。对CdWO4原料的一次烧结物、生长炉壁的挥发物进行了XRD谱的测试分析,结果表明一次烧结可以得到基本成相的多晶料;生长原料CdO较WO3更易挥发。同时,测试了CdWO4晶体的一些光学性能,初步探讨了该晶体的发光特性,分析表明氧退火有利于提高晶体的透过率,这可能是由氧退火使氧空位减少所致。此外,该晶体的本征发光主要是由蓝、绿光所组成的。 展开更多
关键词 cdwo4晶体 晶体生长 光学性能
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Tm^(3+)掺杂CdWO_4单晶的发光特性 被引量:3
2
作者 胡皓阳 万云涛 +3 位作者 胡建旭 夏海平 张约品 陈红兵 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第4期377-382,共6页
用坩埚下降法生长获得了尺寸为φ25 mm×90 mm、Tm2O3初始掺杂摩尔分数为0.5%的CdWO4单晶。晶体的颜色由上部血红色逐渐加深至下部的黑褐色。对不同部位的晶体薄片进行800℃的氧化处理,测定了处理前后不同部位的吸收光谱和FTIR红外... 用坩埚下降法生长获得了尺寸为φ25 mm×90 mm、Tm2O3初始掺杂摩尔分数为0.5%的CdWO4单晶。晶体的颜色由上部血红色逐渐加深至下部的黑褐色。对不同部位的晶体薄片进行800℃的氧化处理,测定了处理前后不同部位的吸收光谱和FTIR红外光谱。经氧气退火处理后,由于氧空位缺陷减少,晶体的颜色明显变淡。在吸收光谱中观测到421,684,805 nm的吸收带。其中421 nm的吸收峰随退火温度的升高而逐步减弱,经800℃处理后基本消失。在808 nm激光二极管激发下,观察到中心波长为1.5μm和1.8μm的荧光发射,分别对应于Tm3+的3H4→3F4,3F4→3H6的能级跃迁。 展开更多
关键词 cdwo4单晶 坩埚下降法 光谱性质 Tm3+掺杂
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表面活性剂辅助合成CdWO_4纳米棒和纳米线 被引量:10
3
作者 陈友存 张元广 《化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2006年第13期1314-1318,共5页
以Na2WO4?2H2O和CdCl2为主要原料,分别在十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)和十二烷基苯磺酸钠(SDBS)表面活性剂中,在180℃反应16h,水热制备了CdWO4纳米棒和纳米线.利用X射线粉末衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)和高分辨透射电子显微镜(HRTEM... 以Na2WO4?2H2O和CdCl2为主要原料,分别在十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)和十二烷基苯磺酸钠(SDBS)表面活性剂中,在180℃反应16h,水热制备了CdWO4纳米棒和纳米线.利用X射线粉末衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)和高分辨透射电子显微镜(HRTEM)等手段对产物进行了表征,并对其在室温下的发光特性进行了测定.实验结果表明:产物均为具有单斜结构的单相CdWO4.其中CdWO4纳米棒具有单晶属性,平均粒径约为63nm,长度近1μm;而CdWO4纳米线具有多晶特性,平均粒径约为12nm,长度达十几微米.当激发波长为253nm时均有460nm强的发射峰,其中CdWO4单晶纳米棒的发光强度大于CdWO4多晶纳米线.分别对CdWO4纳米棒和纳米线形成的可能机理进行了初步分析. 展开更多
关键词 cdwo4 合成 表面活性剂 纳米棒和纳米线
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制备条件对CdWO_4纳米棒的光致发光性能的影响 被引量:1
4
作者 宋旭春 郑遗凡 +2 位作者 杨娥 陈海芳 马荣 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2007年第10期1743-1746,共4页
以Na2WO4和CdCl2为主要原料,在130℃水热制备了CdWO4纳米棒,并用扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)、粉末X射线衍射(XRD)和能谱元素分析(EDS)对产物进行了表征。结果表明,产物为长约100nm,直径10~30nm的CdWO4纳米棒。研究了不同反应条件下... 以Na2WO4和CdCl2为主要原料,在130℃水热制备了CdWO4纳米棒,并用扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)、粉末X射线衍射(XRD)和能谱元素分析(EDS)对产物进行了表征。结果表明,产物为长约100nm,直径10~30nm的CdWO4纳米棒。研究了不同反应条件下制备的CdWO4纳米棒的光致发光性能。 展开更多
关键词 cdwo4 纳米棒 光致发光
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CdWO_4、CsI(Tl)和PbWO_4晶体在9MeV工业CT中探测效率比较 被引量:1
5
作者 张爱东 李炬 +1 位作者 孙灵霞 周瑛 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第11期1202-1204,共3页
为找出更适合于9 MeV加速器工业CT系统应用的闪烁晶体,对常用的工业CT闪烁晶体CdWO4、CsI(Tl)、PbWO4在系统上进行了实验。利用CCD相机、准直器、闪烁晶体等组成探测系统,在同一实验条件下对截面积相同,长度为25 mm~45 mm的CsI(Tl)、Cd... 为找出更适合于9 MeV加速器工业CT系统应用的闪烁晶体,对常用的工业CT闪烁晶体CdWO4、CsI(Tl)、PbWO4在系统上进行了实验。利用CCD相机、准直器、闪烁晶体等组成探测系统,在同一实验条件下对截面积相同,长度为25 mm~45 mm的CsI(Tl)、CdWO4、PbWO4晶体在同一位置的探测计数进行反复测量,得到不同晶体长度对应探测计数图。实验结果表明:不同晶体材料探测效率不同,闪烁晶体在未包裹反光膜状态,35 mm长度CsI(Tl)探测效率最好,而在包裹反光膜状态下45 mm长度CdWO4探测效率最好。 展开更多
关键词 工业CT cdwo4 CsI(Tl) PBWO4
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水热法合成纳米CdWO_4及其光催化性能研究 被引量:1
6
作者 马延会 田晓璇 《工业催化》 CAS 2019年第3期33-37,共5页
通过水热法合成光催化性能良好的纳米CdWO_4。采用粉末X射线衍射、扫描电子显微镜研究溶液pH值及水热温度对CdWO_4微观形貌、晶体结构的影响。在紫外线光照下甲基橙降解实验中测试制备的CdWO_4纳米颗粒的光催化活性。结果表明,合成的催... 通过水热法合成光催化性能良好的纳米CdWO_4。采用粉末X射线衍射、扫描电子显微镜研究溶液pH值及水热温度对CdWO_4微观形貌、晶体结构的影响。在紫外线光照下甲基橙降解实验中测试制备的CdWO_4纳米颗粒的光催化活性。结果表明,合成的催化剂为单斜晶系CdWO_4晶体,不含其他杂质。水热反应温度150℃时,随着溶液pH值的降低(10.0→9.20→8.60),CdWO_4颗粒逐渐减小,紫外光照射90 min后,甲基橙降解率分别为20%、 26%和40%,其降解动力学参数k分别为0.002 3 min^(-1)、0.003 3 min^(-1)、0.005 7 min^(-1)。水热反应温度升高至180℃,pH为8.60时,合成的CdWO_4催化剂呈细针状,具有最高的光催化活性,光照90 min后,甲基橙降解率70%,降解动力学参数k=0.026 2 min^(-1)。 展开更多
关键词 催化化学 光催化降解 cdwo4 纳米粉体 甲基橙 水热法
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CdSnO_3CdWO_4线性热敏电阻材料的显微组织结构
7
作者 梁辉 季会明 +1 位作者 徐廷献 沈继耀 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第9期24-27,共4页
利用X射线衍射技术结合差热分析实验、扫描电子显微镜观察以及电子能谱分析实验对CdSnO3 CdWO4 线性热敏电阻材料的显微组织结构(包括主晶相的组成、晶格参数、晶粒的生长形态等) 进行了深入的分析和研究, 并且讨论... 利用X射线衍射技术结合差热分析实验、扫描电子显微镜观察以及电子能谱分析实验对CdSnO3 CdWO4 线性热敏电阻材料的显微组织结构(包括主晶相的组成、晶格参数、晶粒的生长形态等) 进行了深入的分析和研究, 并且讨论了该材料制备过程中的固相反应历程。 展开更多
关键词 热敏电阻 线性 显微组织 锡酸镉
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表面活性剂辅助合成CdWO_4纳米棒及其光致发光性能
8
作者 高宾 张晓军 +1 位作者 朱长军 成鹏飞 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第14期20-23,共4页
以Na2WO4·2H2O和CdCl2·2.5H2O为主要原料,以表面活性剂十二烷基苯磺酸钠(SDBS)为添加剂,通过水热反应合成了CdWO4纳米棒。用XRD、TEM、EDS、SAED等对产物进行了表征,初步探讨了CdWO4纳米棒的形成机理,测试了CdWO4纳米棒的光... 以Na2WO4·2H2O和CdCl2·2.5H2O为主要原料,以表面活性剂十二烷基苯磺酸钠(SDBS)为添加剂,通过水热反应合成了CdWO4纳米棒。用XRD、TEM、EDS、SAED等对产物进行了表征,初步探讨了CdWO4纳米棒的形成机理,测试了CdWO4纳米棒的光致发光性能。结果表明:产物为长1~1.5μm、直径50~80nm的CdWO4纳米棒;SDBS对CdWO4纳米棒的形成具有关键作用;随着CdWO4纳米棒结晶性的提高,其光致发光性能增强。 展开更多
关键词 水热法 cdwo4 纳米棒 PL光谱
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用于高能X射线成像的CdWO_4闪烁探测器探测灵敏度的研究 被引量:4
9
作者 楼棋 李玉兰 +2 位作者 李元景 范佳锦 王义 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2002年第4期331-334,共4页
高能 X射线成像系统对小截面探测器的探测灵敏度提出了很高的要求。分析了由 Cd WO4 晶体耦合光电二极管所组成的探测器单元探测灵敏度的决定因素 ,采用蒙 -卡计算、经验估算等对其在高能加速器和 60 Co源下的探测灵敏度进行了估算 ,并... 高能 X射线成像系统对小截面探测器的探测灵敏度提出了很高的要求。分析了由 Cd WO4 晶体耦合光电二极管所组成的探测器单元探测灵敏度的决定因素 ,采用蒙 -卡计算、经验估算等对其在高能加速器和 60 Co源下的探测灵敏度进行了估算 ,并和测量值进行比较。二者吻合较好 ,证明了估算方法的正确性。 展开更多
关键词 高能X射线成像 cdwo4闪烁探测器 钨酸镉晶体 探测灵敏度 能量沉积率
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CdWO_4∶Yb^(3+),Ho^(3+)纳米晶的制备及发光性能研究 被引量:2
10
作者 韩松 宋博 +2 位作者 刘磊 贺超 杨魁胜 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第9期1183-1187,共5页
采用水热法制备CdWO4∶Yb3+,Ho3+纳米晶,运用X射线衍射、扫描电镜和光谱分析对制备样品的结构和发光性能进行了表征。结果表明:CdWO4∶Yb3+,Ho3+为单斜晶系,平均晶粒尺寸约为29.782 7 nm。用980 nm激光激发样品获得了发射光谱,位于552 n... 采用水热法制备CdWO4∶Yb3+,Ho3+纳米晶,运用X射线衍射、扫描电镜和光谱分析对制备样品的结构和发光性能进行了表征。结果表明:CdWO4∶Yb3+,Ho3+为单斜晶系,平均晶粒尺寸约为29.782 7 nm。用980 nm激光激发样品获得了发射光谱,位于552 nm和659 nm的发射峰分别对应于Ho3+离子的5F45S2→5I8和5F5→5I8的跃迁。根据泵浦功率和发光强度之间的双对数关系可知,552 nm和659 nm的发射均属于双光子过程。稀土离子的浓度对样品的发光强度的影响较大,结果表明:当Yb3+∶Ho3+离子的量比为5∶1且Ho3+摩尔分数为1.5%时,CdWO4∶Yb3+,Ho3+纳米晶的上转换发光强度最大。 展开更多
关键词 cdwo4∶Yb3+ Ho3+ 上转换发光 水热法
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Ni^(2+)掺杂CdWO_4晶体的发光特性研究 被引量:1
11
作者 钟月锋 万云涛 +1 位作者 夏海平 张约品 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第12期2241-2244,共4页
应用坩埚下降法成功地生长出了Ni 2+掺杂的CdWO4单晶。测定了晶体的吸收与荧光光谱。根据晶体分裂场理论和吸收特性,计算了Ni 2+在该Cd-WO4晶体中的晶格场分裂参量Dq=1054cm-1、Racah参量B=1280cm-1与C=5982cm-1。在314nm光的激发下,观... 应用坩埚下降法成功地生长出了Ni 2+掺杂的CdWO4单晶。测定了晶体的吸收与荧光光谱。根据晶体分裂场理论和吸收特性,计算了Ni 2+在该Cd-WO4晶体中的晶格场分裂参量Dq=1054cm-1、Racah参量B=1280cm-1与C=5982cm-1。在314nm光的激发下,观察到发光中心为480nm的蓝光,这是Cd-WO4晶体中WO66+中的电子跃迁所致。在808与980nm的激发下,均观察到发光中心分别为1068nm的近红外发射带,归结为和Ni 2+八面体格位的3 T2g(3F)→3 A2g(3F)能级跃迁。 展开更多
关键词 光学材料 镍掺杂cdwo4晶体 近红外发光 荧光半高宽
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传统固相法制备CdWO_4微波介质陶瓷及其表征 被引量:1
12
作者 郭保春 刘鹏 +1 位作者 陈爽 杨桃 《陕西师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2014年第2期33-36,共4页
采用传统固相法在低温下合成CdWO4单相,研究了CdWO4陶瓷的微波介电性能.实验结果表明:普通球磨CdO和WO3混合物10 h,在200℃下预烧2h后获得CdWO4纯相粉体;用此粉体制成的素坯在1075~1 200℃烧结,均能得到相对密度比较高的单斜结构CdWO... 采用传统固相法在低温下合成CdWO4单相,研究了CdWO4陶瓷的微波介电性能.实验结果表明:普通球磨CdO和WO3混合物10 h,在200℃下预烧2h后获得CdWO4纯相粉体;用此粉体制成的素坯在1075~1 200℃烧结,均能得到相对密度比较高的单斜结构CdWO4陶瓷;在1 150℃烧结的CdWO4陶瓷表现出优良的微波介电性能,其中Q×f=41 000 GHz,εr=12.8,(r)f=-14×10-6℃-1. 展开更多
关键词 cdwo4 微波介电陶瓷 传统固相法
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CdWO_4纳米棒的合成及转光性能研究 被引量:4
13
作者 侯冰 刘连利 +2 位作者 徐姝颖 王绘 寇俊娇 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2014年第11期36-38,43,共4页
以Cd(NO3)2·4H2O和Na2WO4·2H2O为原料,采用水热法合成了高荧光性CdWO4纳米棒,并通过X射线粉末衍射、扫描电子显微镜及荧光光谱对其进行了表征,系统地研究了体系的p H值及乙醇添加量对合成产物的物相、形貌和下转换发光性能... 以Cd(NO3)2·4H2O和Na2WO4·2H2O为原料,采用水热法合成了高荧光性CdWO4纳米棒,并通过X射线粉末衍射、扫描电子显微镜及荧光光谱对其进行了表征,系统地研究了体系的p H值及乙醇添加量对合成产物的物相、形貌和下转换发光性能的影响。结果表明:在p H值为5-9的范围内,能得到单斜晶系的CdWO4纳米棒,当激发波长为297nm时,所得样品均在400-550 nm有很强的发射峰。在水体系中引入乙醇后,所得Cd WO4纳米棒变细,随着乙醇量的增加,样品发光强度逐渐增大。 展开更多
关键词 水热法 cdwo4 纳米棒 转光性能 PH值 乙醇 单斜结构
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Mn^(2+)掺杂CdWO_4晶体的生长及光谱特性 被引量:1
14
作者 万云涛 钟月锋 夏海平 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第9期1360-1363,共4页
采用坩埚下降法技术,选用CdO∶WO3∶MnO摩尔比为100∶100∶0.5的化学组分配比,在约60℃固液界面温度梯度与0.05 mm/h生长速度条件下,成功地生长出Φ25 mm×100 mm Mn2+掺杂CdWO4(Mn2+:CWO)单晶。观测了晶体未退火、经空气和O2退火... 采用坩埚下降法技术,选用CdO∶WO3∶MnO摩尔比为100∶100∶0.5的化学组分配比,在约60℃固液界面温度梯度与0.05 mm/h生长速度条件下,成功地生长出Φ25 mm×100 mm Mn2+掺杂CdWO4(Mn2+:CWO)单晶。观测了晶体未退火、经空气和O2退火处理后的的吸收、激发和发射光谱。结果表明,在Mn2+:CWO晶体的发射光谱中观测到发光中心约为591 nm的橙色荧光带,它归属于Mn2+的4T1g→6A1g能级跃迁。从Mn2+的橙色发射可以推断Mn2+取代晶体中Cd2+的格位,位于八面体晶场中。从其光谱特性,确定了Mn2+的能级结构。退火处理增强了激发和发射峰的强度,并且O2退火比空气退火的效果更显著。 展开更多
关键词 Mn^2+掺杂cdwo4(Mn^2+:CWO)晶体 坩埚下降法 光谱 退火处理
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钨酸镉单晶的提拉法生长 被引量:3
15
作者 张敬富 潘金根 +2 位作者 娄丙谦 潘建国 陈红兵 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第6期1336-1340,1345,共6页
采用液相合成法制备出了CdWO4多晶料。研究了反应溶液pH对原料纯度的影响,探索出满足晶体生长用原料的最佳制备条件。利用提拉法生长出尺寸为15 mm×60 mm的透明、接近无色的钨酸镉单晶。透光性及发光性等单晶性能测试表明,CdWO4... 采用液相合成法制备出了CdWO4多晶料。研究了反应溶液pH对原料纯度的影响,探索出满足晶体生长用原料的最佳制备条件。利用提拉法生长出尺寸为15 mm×60 mm的透明、接近无色的钨酸镉单晶。透光性及发光性等单晶性能测试表明,CdWO4单晶在可见光区域的透过率达70%左右,吸收边位于315 nm,荧光发射峰位于473.8 nm,即本征发光由蓝光组成。 展开更多
关键词 闪烁晶体 cdwo4 提拉法
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Hydrothermal synthesis of uniform CdWO4:Eu^3+microrods as single component for UV-based WLEDs 被引量:3
16
作者 雷芳 殷录桥 +3 位作者 施鹰 谢建军 章蕾 范灵聪 《Journal of Rare Earths》 SCIE EI CAS CSCD 2016年第12期1179-1187,共9页
A series of single-composition emission-tunable CdWO4:Eu^3+ uniform size nanorods were synthesized by polyvinylpyrrolidone(PVP) assisted hydrothermal process. The products were measured by powder X-ray diffraction... A series of single-composition emission-tunable CdWO4:Eu^3+ uniform size nanorods were synthesized by polyvinylpyrrolidone(PVP) assisted hydrothermal process. The products were measured by powder X-ray diffraction(PXRD), scanning electron microscopy(SEM), transmission electron microscopy(TEM), photoluminescence, and fluorescent decay test. The results showed that reaction time, temperature, p H values and Eu^3+ doped concentration played important roles in determining the morphologies and photoluminescent properties. And we also investigated its use in Ga N LED, warm-white-light could be obtained by the combination of the bright blue light originated from the charge transfer transition in the tungstate groups and the near UV light from LED chip with the red emission from 4f-4f transition of Eu^3+, respectively. By properly tuning the doping concentration of Eu^3+, chromaticity coordinates(0.30 0.22) could be achieved under the 380 nm excitation and its color rendering index was 80.6. So it has potential application in warm-WLED and replacing the commercial YAG:Ce phosphor which absence of red band emission. 展开更多
关键词 cdwo4:Eu3+ hydrothermal synthesis WLED photoluminescence single-component rare earths
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掺Bi钨酸镉单晶体的坩埚下降法生长及近红外发光特性 被引量:6
17
作者 虞灿 夏海平 +3 位作者 罗彩香 胡元 陈红兵 徐军 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第10期2610-2614,共5页
采用坩埚下降法,成功地生长出了尺寸达25 mm×100 mm,Bi2O3初始掺杂摩尔分数为0.5%的CdWO4单晶。生长初期下部晶体呈青黄色,而生长后期晶体的颜色则显血红色。在808 nm与980 nm光激发下,观察到弱的1396~1550 nm(中心波长为1504 ... 采用坩埚下降法,成功地生长出了尺寸达25 mm×100 mm,Bi2O3初始掺杂摩尔分数为0.5%的CdWO4单晶。生长初期下部晶体呈青黄色,而生长后期晶体的颜色则显血红色。在808 nm与980 nm光激发下,观察到弱的1396~1550 nm(中心波长为1504 nm)与较强的1037~1274 nm(中心波长为1078 nm)波段的近红外宽带发光,并测定其荧光寿命分别为238μs和294μs。从生长初期的青黄色到生长后期的血红色晶体,1504 nm波段的荧光强度逐步增强,而1078 nm波段的荧光强度逐步减弱。根据实验结果初步探讨了红外宽带发光的机理和起因,1078 nm波段的荧光发射与Bi离子的掺杂有密切关系,而弱的1504 nm荧光发射可能与晶体中的杂质或掺杂后形成的缺陷等因素有关。 展开更多
关键词 材料 cdwo4单晶 坩埚下降法 近红外宽带发光
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掺Bi钨酸镉单晶体发光特性的研究 被引量:3
18
作者 罗彩香 夏海平 +1 位作者 虞灿 徐军 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第7期768-773,共6页
用坩埚下降法(Bridgman)生长出了Bi离子掺杂的CdWO4单晶.测定了晶体不同部位的吸收光谱、发射光谱和X射线电子能谱(XPS).Bi离子的掺入引起CdWO4晶体的吸收边从345nm红移到399nm.在311nm,373nm,808nm和980nm光的激发下,分别观测到中心波... 用坩埚下降法(Bridgman)生长出了Bi离子掺杂的CdWO4单晶.测定了晶体不同部位的吸收光谱、发射光谱和X射线电子能谱(XPS).Bi离子的掺入引起CdWO4晶体的吸收边从345nm红移到399nm.在311nm,373nm,808nm和980nm光的激发下,分别观测到中心波长为470nm,528nm,1078nm和较弱的1504nm四个不同发射带.Bi:CdWO4单晶的XPS谱分别与Bi2O3(Bi3+)和NaBiO3(Bi5+)样品的进行比较,推断Bi3+和Bi5+离子同时存在于CdWO4晶体中.可见光波段的470nm与528nm荧光发射起因于CdWO4晶体基质中WO66-与掺杂于晶格中Bi3+离子的发光;而1078nm的发射峰则起因于Bi5+离子的发光.XPS的分析结果与荧光强度的变化一致,沿着晶体生长方向,1078nm的荧光强度逐步变弱,Bi5+离子的含量逐步减少;而位于528nm处的荧光强度则逐步增强,Bi3+离子的含量逐步增多. 展开更多
关键词 Bi离子 荧光光谱 X射线电子能谱 cdwo4单晶
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