磁光-光致发光分析CdZnTe单晶带边浅杂质能级

通过对Bridgeman方法生长的CdZnTe单晶样品进行光致发光(Photoluminescence,PL)光谱测量,发现CdZnTe样品表面Te沉淀物的存在明显影响能量低于1.5 eV的深能级发光过程.进一步对CdZnTe晶锭的不同位置取样进行低温变磁场光致发光光谱测试,获得高分辨光谱信息.拟合分析结果表明:(1)在不含Te沉淀物的CdZnTe样品内部存在应力分布,并因此导致轻、重空穴带分裂;(2)1.57 eV发光特征源于浅施主杂质与价带间的复合过程.

CdZnTe单晶表面原子结构

半导体表面是一个特殊区域,其表面原子结构与体态有很大区别,而且他们对材料的整体性能又起着十分重要的影响。本文通过真空Ar+离子刻蚀并原位退火的办法,获得理想清洁的CdZnTe单晶表面,采用低能电子衍射(LEED)观察了(110)、(111)A面和(111)B面的表面原子结构。发现(110)面为稳定面没有发生重构,而在(111)A面上发现了由空位形成的(31/2×31/2)R30o重构,在(111)B面上发现了由Te顶戴原子形成的(2×2)重构。