Cd补偿垂直布里奇曼法生长Cd_(0.9)Zn_(0.1)Te晶体

采用传统垂直布里奇曼法和Cd补偿垂直布里奇曼法,分别生长出两根尺寸为φ30mm×130mm的Cd0.9Zn0.1Te晶锭。测试了晶体的结晶质量、成分分布、位错腐蚀坑密度(EPD)、红外透过率及电阻率。结果表明,Cd补偿垂直布里奇曼法生长的晶体结晶质量好、成分分布均匀、EPD低、红外透过性能好且电阻率高。这说明Cd补偿垂直布里奇曼法是一种生长高阻值CZT晶体的优良方法。

钒掺杂Cd_(0.9)Mn_(0.1)Te晶体生长与深能级缺陷研究

CdMnTe(碲锰镉)材料作为新一代的半导体材料,在核辐射探测领域具有很高的应用价值。本实验采用Te溶液垂直布里奇曼法生长Cd_(0.9)Mn_(0.1)Te:V晶体,研究其光电性能及深能级缺陷的分布。紫外-可见-近红外光谱分析表明晶锭中部和尾部的禁带宽度分别为1.602和1.597 eV。光致发光谱中,晶体的(D^(0),X)峰形尖锐,半峰宽较小,表明缺陷或杂质含量低,晶体质量好。室温I-V测试晶锭中部和尾部晶体电阻率分别为2.85×10^(10)和9.54×10^(9)Ω·cm,漏电流分别为3和8.5 nA。霍尔测试表明晶体导电类型为n型。通过热激电流谱研究了Cd_(0.9)Mn_(0.1)Te:V晶体中缺陷的能级和浓度,其中晶锭中部和尾部样品中源于Te反位(Te_(Cd)^(2+))的深施主能级(E_(DD))的值分别为0.90和0.812 eV。并且深施主能级E_(DD)使费米能级位于禁带中央,从而使晶体呈现高电阻率。