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CdO对In_2O_3电导和气敏性能的影响 被引量:5
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作者 侯长平 李永红 +3 位作者 葛秀涛 方大儒 沈玲 刘杏芹 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2004年第9期17-18,28,共3页
为探索新型CdO-In2O3材料的气敏性能,用化学共沉淀法制备了CdO掺杂的In2O3微粉,研究了CdO掺杂对In2O3电导和气敏效应的影响。结果表明CdO和In2O3间能形成有限固溶体In2-CdxO3(0≤x≤0.02);In1.98Cd0.02O3x的电导比纯In2O3小得多;900℃... 为探索新型CdO-In2O3材料的气敏性能,用化学共沉淀法制备了CdO掺杂的In2O3微粉,研究了CdO掺杂对In2O3电导和气敏效应的影响。结果表明CdO和In2O3间能形成有限固溶体In2-CdxO3(0≤x≤0.02);In1.98Cd0.02O3x的电导比纯In2O3小得多;900℃下热处理4h所得的x(CdO)为2%的In2O3传感器在183℃工作温度下,对45μmol·L–1C2H5OH的灵敏度达276、响应–恢复时间只有3s和180s。有望开发为一类新型酒敏材料。 展开更多
关键词 电子技术 In0.9sCd0.02O3传感器 Cdin^x 电导率 C2H5OH 气敏性能
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