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CdO对In_2O_3电导和气敏性能的影响
被引量:
5
1
作者
侯长平
李永红
+3 位作者
葛秀涛
方大儒
沈玲
刘杏芹
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2004年第9期17-18,28,共3页
为探索新型CdO-In2O3材料的气敏性能,用化学共沉淀法制备了CdO掺杂的In2O3微粉,研究了CdO掺杂对In2O3电导和气敏效应的影响。结果表明CdO和In2O3间能形成有限固溶体In2-CdxO3(0≤x≤0.02);In1.98Cd0.02O3x的电导比纯In2O3小得多;900℃...
为探索新型CdO-In2O3材料的气敏性能,用化学共沉淀法制备了CdO掺杂的In2O3微粉,研究了CdO掺杂对In2O3电导和气敏效应的影响。结果表明CdO和In2O3间能形成有限固溶体In2-CdxO3(0≤x≤0.02);In1.98Cd0.02O3x的电导比纯In2O3小得多;900℃下热处理4h所得的x(CdO)为2%的In2O3传感器在183℃工作温度下,对45μmol·L–1C2H5OH的灵敏度达276、响应–恢复时间只有3s和180s。有望开发为一类新型酒敏材料。
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关键词
电子技术
In0.9sCd0.02O3传感器
Cdin^x
电导率
C2H5OH
气敏性能
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职称材料
题名
CdO对In_2O_3电导和气敏性能的影响
被引量:
5
1
作者
侯长平
李永红
葛秀涛
方大儒
沈玲
刘杏芹
机构
滁州学院化学系
中国科学技术大学材料科学与工程系
出处
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2004年第9期17-18,28,共3页
基金
安徽省教育厅自然科学基金资助项目(2004kj289)
滁州学院自然科学基金资助项目2002kj002)
文摘
为探索新型CdO-In2O3材料的气敏性能,用化学共沉淀法制备了CdO掺杂的In2O3微粉,研究了CdO掺杂对In2O3电导和气敏效应的影响。结果表明CdO和In2O3间能形成有限固溶体In2-CdxO3(0≤x≤0.02);In1.98Cd0.02O3x的电导比纯In2O3小得多;900℃下热处理4h所得的x(CdO)为2%的In2O3传感器在183℃工作温度下,对45μmol·L–1C2H5OH的灵敏度达276、响应–恢复时间只有3s和180s。有望开发为一类新型酒敏材料。
关键词
电子技术
In0.9sCd0.02O3传感器
Cdin^x
电导率
C2H5OH
气敏性能
Keywords
electronic technology
In_(1.98)Cd_(0.02)O_3 sensor
CdIn
conductivity
C_2H_5OH
gas-sensing property ×
分类号
O649.4 [理学—物理化学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
CdO对In_2O_3电导和气敏性能的影响
侯长平
李永红
葛秀涛
方大儒
沈玲
刘杏芹
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2004
5
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职称材料
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