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高阻值Cd_(1-x)Zn_xTe晶体的生长及其性能测试
1
作者
李国强
谷智
介万奇
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第8期833-836,共4页
通过适当的工艺措施 ,采用Bridgman法生长了直径为 30mm的X射线及γ射线探测器级的Cd0 9Zn0 1Te晶锭 .测试结果表明 :该晶锭结晶质量良好 ,位错密度低 ,成分均匀 ,杂质含量低 ,红外透过率和电阻率都十分接近本征Cd0 9Zn0 1Te的值 ....
通过适当的工艺措施 ,采用Bridgman法生长了直径为 30mm的X射线及γ射线探测器级的Cd0 9Zn0 1Te晶锭 .测试结果表明 :该晶锭结晶质量良好 ,位错密度低 ,成分均匀 ,杂质含量低 ,红外透过率和电阻率都十分接近本征Cd0 9Zn0 1Te的值 .并从晶体的生长特性、缺陷和杂质的角度 ,分析了生长高性能晶体的条件 。
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关键词
cdl-xznxte
布里奇曼法
电阻率
红外透过率
结晶质量
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职称材料
题名
高阻值Cd_(1-x)Zn_xTe晶体的生长及其性能测试
1
作者
李国强
谷智
介万奇
机构
西北工业大学凝固技术国家重点实验室
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第8期833-836,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目 (批准号 :5 9982 0 0 6)~~
文摘
通过适当的工艺措施 ,采用Bridgman法生长了直径为 30mm的X射线及γ射线探测器级的Cd0 9Zn0 1Te晶锭 .测试结果表明 :该晶锭结晶质量良好 ,位错密度低 ,成分均匀 ,杂质含量低 ,红外透过率和电阻率都十分接近本征Cd0 9Zn0 1Te的值 .并从晶体的生长特性、缺陷和杂质的角度 ,分析了生长高性能晶体的条件 。
关键词
cdl-xznxte
布里奇曼法
电阻率
红外透过率
结晶质量
Keywords
Cd 1-x Zn x Te
Bridgman method
resistance
transmittance
crystallinity
分类号
TN304 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
高阻值Cd_(1-x)Zn_xTe晶体的生长及其性能测试
李国强
谷智
介万奇
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003
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