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高阻值Cd_(1-x)Zn_xTe晶体的生长及其性能测试
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作者 李国强 谷智 介万奇 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第8期833-836,共4页
通过适当的工艺措施 ,采用Bridgman法生长了直径为 30mm的X射线及γ射线探测器级的Cd0 9Zn0 1Te晶锭 .测试结果表明 :该晶锭结晶质量良好 ,位错密度低 ,成分均匀 ,杂质含量低 ,红外透过率和电阻率都十分接近本征Cd0 9Zn0 1Te的值 .... 通过适当的工艺措施 ,采用Bridgman法生长了直径为 30mm的X射线及γ射线探测器级的Cd0 9Zn0 1Te晶锭 .测试结果表明 :该晶锭结晶质量良好 ,位错密度低 ,成分均匀 ,杂质含量低 ,红外透过率和电阻率都十分接近本征Cd0 9Zn0 1Te的值 .并从晶体的生长特性、缺陷和杂质的角度 ,分析了生长高性能晶体的条件 。 展开更多
关键词 cdl-xznxte 布里奇曼法 电阻率 红外透过率 结晶质量
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