透明导电Cd_2SnO_4和Cdln_2O_4薄膜的塞贝克效应和红外特性研究

报道了射频反应溅射Cd-Sn和Cd-In合金靶沉积获得的Cd_2SnO_4(简称CTO)和CdIn_2O_4(简称CIO)薄膜在0.2μm-6.0μm波长范围内的透射谱和反射谱测量结果,并对CTO和CIO膜的红外特性进行了理论分析和讨论。温差电动势(塞贝克效应)测量表明:对于CTO膜,以自由载流子与中性杂质的散射占主导地位;而对于CIO膜,则以离子化杂质的散射起支配作用。