Cd_nSe_n(1≤n≤12)团簇结构与电子性质的第一性原理研究

采用基于密度泛函理论的第一性原理方法对Cd_nSe_n(1≤n≤12)团簇的几何结构进行优化,并对其能量、频率以及电子性质进行了模拟分析.结果表明,当n=1～3时,团簇的最低能量结构是平面结构,Cd-Se键长是影响硒化镉团簇总能量的重要因素;当n=4～12时,团簇的最低能量结构可以看成是由Cd_2Se_2和Cd_3Se_3团簇的最低能量结构连接而成的三维结构,而Se-Cd-Se键角是影响硒化镉团簇总能量的主要因素.随着团簇尺寸的增大,转移的电荷逐渐增加,转移的电荷量有达到块体中电荷值的趋势.团簇的总能量二阶有限差分,平均结合能以及最高已占据轨道和最低未占据轨道的能隙都显示团簇的幻数为n=3,6和9.