Ce：Cu：BSO晶体的生长及其相位共轭效应的研究

本文报道了Ｃｅ：Ｃｕ：ＢＳＯ晶体的生长。测试了晶体相位共轭反射率和响应时间．利用Ｃｅ：Ｃｕ：ＢＳＯ晶体二波耦合相位变化，实现了畸变的波前相位的畸变消除。

Ce∶Cu∶BSO晶体生长及光折变效应的研究

硅酸铋 (Bi12 SiO2 0 简称BSO)晶体具有电光效应和非线性光学效应 ,它的响应时间是光折变晶体中最短的 ,光折变灵敏度 ( 30 0 μJ/cm2 )比LiNbO3 晶体高 3个数量级。BSO晶体可用于光放大、相位共轭、全息存储、图象处理等方面。在BSO中掺进CeO2 和CuO以Czochralski法生长Ce∶Cu∶BSO晶体 ,原料配比为Bi2 O3 ∶SiO2 =6∶1 ,CeO2 和CuO的掺量为 0 .0 1mol%。采用二波耦合光路 ,以Ar+激光器作光源 ,λ =488nm泵浦光I10 和信号光I2 0 以 2θ角入射在晶体上 ,在晶体内产生干涉 ,形成折射率光栅。晶体尺寸为 8mm× 8mm× 8mm衍射率 η定义为衍射光强I’2 和透射光强I2 之比η=I’2 /I2 × 1 0 0 % 在实验中晶体外加电场为 6kV/cmI10 =I2 0 =80mW/cm2 测得Ce∶Cu∶BSO晶体的衍射效率为 4% ,响应时间为 880ms。相位共轭是一种非线性光学效应。光与非线性介质相互作用后 ,产生一种新波场 ,即相位共轭波 ,相位共轭波可以消除原光束在传播过程中产生的相位畸变。采用四波混频光路测试Ce∶Cu∶BSO晶体相位共轭反射率和响应时间。晶片 1 1 0面通光光源为He Ne激光λ =6 32 .8nm。I1和I2 为二束反向泵浦光 ,其强度 1 8mW ,I4为信号光 ,I4=0 .8mW ,I1与I4的夹角 2θ =1 1° ,I3 为相位共轭光 。