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P^(5+)共掺杂对Lu_(2)SiO_(5):Pr^(3+)纳米颗粒紫外区长余辉发光性能的影响
1
作者
范丽艳
张洪武
《厦门理工学院学报》
2023年第3期33-39,共7页
用溶胶-凝胶法合成Lu_(2)SiO_(5):Pr^(3+)纳米紫外长余辉发光材料,并研究P^(5+)共掺杂对该材料长余辉发光性能的影响。结果表明,P^(5+)的少量加入对Lu_(2)SiO_(5):Pr^(3+)样品的光致发光性能几乎没有影响,Lu_(2)SiO_(5):Pr^(3+)的发光...
用溶胶-凝胶法合成Lu_(2)SiO_(5):Pr^(3+)纳米紫外长余辉发光材料,并研究P^(5+)共掺杂对该材料长余辉发光性能的影响。结果表明,P^(5+)的少量加入对Lu_(2)SiO_(5):Pr^(3+)样品的光致发光性能几乎没有影响,Lu_(2)SiO_(5):Pr^(3+)的发光主要由270 nm处的UVC发光和320 nm处的UVB发光组成,位于270 nm的峰由5d^(1)-^(3)H_(4)跃迁引起,位于320 nm的峰由5d1-3H5跃迁引起。P^(5+)的加入可以很好增强Lu_(2)SiO_(5):Pr^(3+)样品的紫外长余辉发光性能,当P^(5+)的掺杂浓度达到4%时,Lu_(2)SiO_(5):Pr^(3+)的紫外长余辉性能达到最佳。热释发光的结果证明,P^(5+)的加入可以提高样品中陷阱的浓度,从而实现样品的长余辉发光性能的提升。
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关键词
P^(5+)共掺杂
Lu_(2)SiO_(5):Pr^(3+)纳米颗粒
紫外长余辉发光
发光性能
长余辉发光机制
下载PDF
职称材料
硅酸镥闪烁晶体的研究进展与发展方向
被引量:
16
2
作者
秦来顺
任国浩
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第4期286-294,共9页
本文首先综述了硅酸镥 (Ce:Lu2 SiO5)闪烁晶体的晶体结构、闪烁性能、闪烁机理与晶体生长的研究现状 ,重点阐述了目前的三种晶体生长工艺及其取得的研究进展 ,然后分析了目前文献报道晶体中存在的问题 ,提出了硅酸镥闪烁晶体未来研究发...
本文首先综述了硅酸镥 (Ce:Lu2 SiO5)闪烁晶体的晶体结构、闪烁性能、闪烁机理与晶体生长的研究现状 ,重点阐述了目前的三种晶体生长工艺及其取得的研究进展 ,然后分析了目前文献报道晶体中存在的问题 ,提出了硅酸镥闪烁晶体未来研究发展的几个方向为 :各向异性研究、开拓新的生长方法、类质同象置换与发光均匀性、晶体余辉及发光机理的研究。
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关键词
硅酸镥
闪烁晶体
研究进展
发展方向
晶体结构
晶体生产
闪烁机理
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职称材料
题名
P^(5+)共掺杂对Lu_(2)SiO_(5):Pr^(3+)纳米颗粒紫外区长余辉发光性能的影响
1
作者
范丽艳
张洪武
机构
鲁东大学化学与材料科学学院
出处
《厦门理工学院学报》
2023年第3期33-39,共7页
文摘
用溶胶-凝胶法合成Lu_(2)SiO_(5):Pr^(3+)纳米紫外长余辉发光材料,并研究P^(5+)共掺杂对该材料长余辉发光性能的影响。结果表明,P^(5+)的少量加入对Lu_(2)SiO_(5):Pr^(3+)样品的光致发光性能几乎没有影响,Lu_(2)SiO_(5):Pr^(3+)的发光主要由270 nm处的UVC发光和320 nm处的UVB发光组成,位于270 nm的峰由5d^(1)-^(3)H_(4)跃迁引起,位于320 nm的峰由5d1-3H5跃迁引起。P^(5+)的加入可以很好增强Lu_(2)SiO_(5):Pr^(3+)样品的紫外长余辉发光性能,当P^(5+)的掺杂浓度达到4%时,Lu_(2)SiO_(5):Pr^(3+)的紫外长余辉性能达到最佳。热释发光的结果证明,P^(5+)的加入可以提高样品中陷阱的浓度,从而实现样品的长余辉发光性能的提升。
关键词
P^(5+)共掺杂
Lu_(2)SiO_(5):Pr^(3+)纳米颗粒
紫外长余辉发光
发光性能
长余辉发光机制
Keywords
P^(5+)co-doping
Lu_(2)SiO_(5):Pr^(3+) nanoparticles
long afterglow ultraviolet lumines
ce
n
ce
lumines
ce
nt properties
long afterglow lumines
ce
nt mechanism
分类号
TB34 [一般工业技术—材料科学与工程]
O482.31 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
硅酸镥闪烁晶体的研究进展与发展方向
被引量:
16
2
作者
秦来顺
任国浩
机构
中国科学院上海硅酸盐研究所
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第4期286-294,共9页
基金
国家自然科学基金 (No .5 0 2 72 0 72 )
863项目 (No .2 0 0 2AA3 2 40 70 )
上海市科委项目 (No.0 114 610 62 )
文摘
本文首先综述了硅酸镥 (Ce:Lu2 SiO5)闪烁晶体的晶体结构、闪烁性能、闪烁机理与晶体生长的研究现状 ,重点阐述了目前的三种晶体生长工艺及其取得的研究进展 ,然后分析了目前文献报道晶体中存在的问题 ,提出了硅酸镥闪烁晶体未来研究发展的几个方向为 :各向异性研究、开拓新的生长方法、类质同象置换与发光均匀性、晶体余辉及发光机理的研究。
关键词
硅酸镥
闪烁晶体
研究进展
发展方向
晶体结构
晶体生产
闪烁机理
Keywords
ce
:Lu_2SiO_5(
lso
)
scintillation crystal
research progress
分类号
O614.347 [理学—无机化学]
O78 [理学—晶体学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
P^(5+)共掺杂对Lu_(2)SiO_(5):Pr^(3+)纳米颗粒紫外区长余辉发光性能的影响
范丽艳
张洪武
《厦门理工学院学报》
2023
0
下载PDF
职称材料
2
硅酸镥闪烁晶体的研究进展与发展方向
秦来顺
任国浩
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003
16
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
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