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Ce^3+注入对不同尺寸的nc-Si/SiO2超晶格发光特性的影响
被引量:
3
1
作者
杜玙璠
衣立新
+1 位作者
王申伟
邬洋
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第3期417-420,共4页
通过电子束蒸发方法以及高温退火处理,得到nc-Si/SiO2超晶格。将样品分别注入剂量为2.0×1014cm-2和2.0×1015cm-2的Ce3+,再对其进行二次退火处理,获得多组样品。通过对样品光致发光光谱的分析发现,样品发光强度的变化不仅受到C...
通过电子束蒸发方法以及高温退火处理,得到nc-Si/SiO2超晶格。将样品分别注入剂量为2.0×1014cm-2和2.0×1015cm-2的Ce3+,再对其进行二次退火处理,获得多组样品。通过对样品光致发光光谱的分析发现,样品发光强度的变化不仅受到Ce3+注入剂量的影响,而且也受到nc-Si颗粒大小的影响。在相同注入计量和相同的二次退火处理温度下,nc-Si颗粒较大的样品经Ce3+注入后其发光强度增强较为明显。
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关键词
超晶格
硅纳米晶
ce
3
+
注入
光致发光
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职称材料
题名
Ce^3+注入对不同尺寸的nc-Si/SiO2超晶格发光特性的影响
被引量:
3
1
作者
杜玙璠
衣立新
王申伟
邬洋
机构
北京交通大学光电子技术研究所
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第3期417-420,共4页
基金
国家自然科学基金(60577022)资助项目
文摘
通过电子束蒸发方法以及高温退火处理,得到nc-Si/SiO2超晶格。将样品分别注入剂量为2.0×1014cm-2和2.0×1015cm-2的Ce3+,再对其进行二次退火处理,获得多组样品。通过对样品光致发光光谱的分析发现,样品发光强度的变化不仅受到Ce3+注入剂量的影响,而且也受到nc-Si颗粒大小的影响。在相同注入计量和相同的二次退火处理温度下,nc-Si颗粒较大的样品经Ce3+注入后其发光强度增强较为明显。
关键词
超晶格
硅纳米晶
ce
3
+
注入
光致发光
Keywords
superlatti
ce
silicon nanocrystal
ce
^
3
+ implantation
photolumines
ce
n
ce
分类号
O482.31 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Ce^3+注入对不同尺寸的nc-Si/SiO2超晶格发光特性的影响
杜玙璠
衣立新
王申伟
邬洋
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009
3
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职称材料
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