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题名CeO_2/Si薄膜的紫/蓝光跃迁
被引量：5
- 1
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作者
柴春林
杨少延
刘志凯
廖梅勇
陈诺夫
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机构
中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室
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出处
《科学通报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第8期780-782,共3页
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基金
国家重点基础研究发展规划(批准号:G2000036505)
国家自然科学基金(批准号:60206007)资助项目
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文摘
利用双离子束外延技术制备了CeO2/Si薄膜,观察到了CeO2室温蓝光发光以及低温紫光致发光(PL)现象.利用XRD和XPS对薄膜结构及价态进行分析后表明,CeO2的发光机制是由于电子的Ce4f→O2p跃迁和缺陷能级→O2p能级跃迁共同作用的结果,并且这些缺陷能级位于Ce4f能级上下1 eV的范围内.
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关键词
ceo2/si薄膜
室温蓝光发光
低温紫光致发光
薄膜结构
发光机制
能级跃迁
双离子束外延技术
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分类号
O484.41
[理学—固体物理]
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题名CeO_2/Si薄膜PL谱的“紫移”
被引量：1
- 2
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作者
柴春林
杨少延
刘志凯
廖梅勇
陈诺夫
王占国
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机构
中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室
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出处
《科学通报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第18期1511-1513,共3页
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基金
国家重点基础研究发展规划资助项目(批准号: G2000036505).
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文摘
利用双离子束外延技术制备了CeO2/Si薄膜, 椭圆偏振仪测得薄膜厚度为100 nm, 折射系数约为2.455. 实验中发现未经退火处理的CeO2室温光致发光(PL)谱存在着紫移现象, 其移动距离约为65 nm. 利用XRD和XPS对薄膜结构及价态进行分析后表明, PL谱的移动与氧化物中Ce离子价态有关. 当Ce离子价态发生Ce4+Ce3+变化时, 其PL谱峰位要从蓝光区向紫光区移动, 出现发光峰紫移现象.
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关键词
ceo2/si薄膜
PL谱
“紫移”
二氧化铈/硅薄膜
光致发光谱
薄膜结构
离子价态
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分类号
O657.3
[理学—分析化学]
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