CeO_2:Eu^(3+)纳米晶的溶剂热合成及其发光性能

采用溶剂热技术成功合成晶粒小于100nm的CeO2:Eu3+和CeO2纳米晶,其中CeO2:Eu3+样品在紫外光激发下发出明亮的橙红色光。用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)、傅立叶红外(FT-IR)、紫外漫反射(UV-vis)和光致发光(PL)等手段对产品的结构和性能进行分析和表征。结果表明:CeO2:Eu3+是纯立方萤石结构的单晶粉末;Eu3+已成功掺入CeO2晶格中,纳米级的CeO2:Eu3+和CeO2的带隙能量分别是2.831和2.925eV;CeO2:Eu3+纳米晶在593、612、632nm处具有较强的发射峰(橙红光),而且较高的退火温度有利于提高样品的晶化度和荧光强度。

CeO_2:Eu^(3+)纳米晶的发光特性与Gd^(3+)离子掺杂影响研究

以尿素为燃烧剂,采用低温燃烧法制备了Eu3+单掺杂和Eu3+、Gd3+共掺杂CeO2纳米晶粉末,用X射线衍射(XRD)和透射电镜(TEM)对样品进行了结构分析和形貌表征。对掺杂Gd3+离子的CeO2:1%Eu3+纳米晶的光谱研究发现,随着Gd3+离子掺杂浓度的增加,5 D0→7F2跃迁与5 D0→7F1跃迁的强度比随之增加,这表明Eu3+离子的格位对称性有所下降,且有利于提高红橙光的比例。鉴于CeO2基质在300～390nm有强吸收,Eu3+掺杂CeO2纳米晶在近紫外激发LED荧光粉方面有潜在应用前景。

白光LED用红色荧光粉CeO_2∶Eu^(3+)的光谱性能研究

使用共沉淀法制备不同掺杂浓度的CeO2∶Eu3+的荧光粉,并利用XRD,激发和发射光谱对其光学性质进行了研究。PL激发光谱中出现300~400nm的源于基质CeO2的强吸收宽带以及较弱的Eu3+的7 F0-5 D2(467nm)吸收峰。由于Ce4+和Eu3+半径十分接近,因而Eu3+在CeO2中具有较高的固溶度。当高浓度Eu3+掺杂CeO2时,出现了7F0-5 D2(467nm)吸收峰的极大增强。在467nm激发下获得了Eu3+的5 D0—7 F1(592nm)和5 D0—7 F2(612nm)跃迁的特征红光发射。与电荷迁移带激发下获得的红光相比,在467nm蓝光激发下获得的红光强度是其5倍。7 F0—5 D2(467nm)的强电子吸收与蓝光LED芯片的输出波长相匹配,在蓝光激发下获得明亮的红光发射。因此,Eu3+掺杂CeO2荧光粉是一种有潜力的用于白光LED的红色荧光粉。