利用聚苯乙烯(polystyrene,PS)纳米球刻蚀结合水热生长,制备了周期有序的δ-MnO_(2)纳米阵列。首先通过PS纳米球自组装,形成密堆积单层膜,并转移到硅(Si)衬底上。随后反应离子刻蚀(reactive ion etching,RIE)被用来减小PS纳米球的尺寸...利用聚苯乙烯(polystyrene,PS)纳米球刻蚀结合水热生长,制备了周期有序的δ-MnO_(2)纳米阵列。首先通过PS纳米球自组装,形成密堆积单层膜,并转移到硅(Si)衬底上。随后反应离子刻蚀(reactive ion etching,RIE)被用来减小PS纳米球的尺寸。然后磁控溅射铜(Cu)材料作为隔离层。将Si衬底上的PS纳米球去除后,磁控溅射MnO_(2)材料。最后通过化学腐蚀方法去除Cu膜,使覆盖在Cu表面的MnO_(2)一起去除,从而得到用于后续水热生长的周期有序排布的MnO_(2)种子位点。制备不同周期的纳米阵列,可通过选择不同直径的PS纳米球获得。通过扫描电子显微镜(scanning electron microscopy,SEM)确认了周期为500和800 nm纳米阵列的形成。利用X射线衍射(X-ray diffraction,XRD)方法确认了阵列中MnO_(2)材料为δ相。本研究为制备半导体材料的有序结构提供了一种新的方法。展开更多
文摘利用聚苯乙烯(polystyrene,PS)纳米球刻蚀结合水热生长,制备了周期有序的δ-MnO_(2)纳米阵列。首先通过PS纳米球自组装,形成密堆积单层膜,并转移到硅(Si)衬底上。随后反应离子刻蚀(reactive ion etching,RIE)被用来减小PS纳米球的尺寸。然后磁控溅射铜(Cu)材料作为隔离层。将Si衬底上的PS纳米球去除后,磁控溅射MnO_(2)材料。最后通过化学腐蚀方法去除Cu膜,使覆盖在Cu表面的MnO_(2)一起去除,从而得到用于后续水热生长的周期有序排布的MnO_(2)种子位点。制备不同周期的纳米阵列,可通过选择不同直径的PS纳米球获得。通过扫描电子显微镜(scanning electron microscopy,SEM)确认了周期为500和800 nm纳米阵列的形成。利用X射线衍射(X-ray diffraction,XRD)方法确认了阵列中MnO_(2)材料为δ相。本研究为制备半导体材料的有序结构提供了一种新的方法。