CeO_(2)-Ps-LaCoO_(3)/Al_(2)O_(3)的制备及其对高浓度有机废水的臭氧催化降解研究

为有效降解高浓度造纸废水有机物,通过电化学沉积法分别在磷酸盐中性缓冲溶液和纯水中制得CeO_(2)-Ps-LaCoO_(3)/Al_(2)O_(3)和CeO_(2)-LaCoO_(3)/Al_(2)O_(3)。通过对CeO_(2)-Ps-LaCoO_(3)/Al_(2)O_(3)、CeO_(2)-LaCoO_(3)/Al_(2)O_(3)以及LaCoO_(3)/Al_(2)O_(3)进行XRD、SEM、析氧过电位和电阻抗等物性表征发现,CeO_(2)-Ps-LaCoO_(3)/Al_(2)O_(3)具有更强催化氧化性及稳定性。对高浓度造纸废水臭氧催化氧化降解3 h后,CeO_(2)-Ps-LaCoO_(3)/Al_(2)O_(3)对废水COD的降解率为76.5%,而相同条件下CeO_(2)-LaCoO_(3)/Al_(2)O_(3)和LaCoO_(3)/Al2O_(3)的化学需氧量(COD)降解率分别为68.5%和63.5%。

磁控溅射法在立方织构镍基底上制备CeO_2缓冲层

论述了具有立方织构的金属镍基底上 ,采用射频磁控溅射的方法制备CeO2 缓冲层。以Ar/H2 混合气体作为溅射气体 ,有效地抑制了NiO的形成 ,获得纯c轴取向的CeO2 薄膜。X射线 φ扫描、ω扫描和极图的测试分析表明 ,CeO2 薄膜在平面内和垂直于膜面方向晶粒都是有序排列的 ,具有良好的立方织构。

YBCO涂层导体CeO_2,Y_2O_3缓冲层的生长研究

采用反应溅射的方法在具有立方织构的Ni基底上制备了CeO2,Y2O3缓冲层。Ar/H2气氛下预沉积的引入,有效地抑制了基底的氧化。同时,为保证薄膜的外延取向,预沉积时间必须和总沉积时间满足线性关系。对比CeO2,Y2O3的生长条件,发现CeO2的外延生长区间比Y2O3宽,Y2O3的生长对温度、气压等条件更为敏感。最终制备的CeO2缓冲层是纯的(100)取向,其平面内Ф扫描半高宽(FWHM)为8.5°;而Y2O3存在两种平面取向,一种是Y2O3(110)‖Ni(100),另一种是Y2O3(100)‖Ni(100)。俄歇能谱观察表明,CeO2/Ni界面优于Y2O3/Ni界面。扫描电镜照片显示,CeO2,Y2O3缓冲层的表面均匀致密,无裂纹生成,但两种薄膜中,都有呈三角形的胞状突起。

反应溅射法在立方织构镍基底上制备CeO_2缓冲层

采用反应溅射的方法在具有立方织构的Ni基底上制备了CeO2缓冲层。以Ar/H2混合气体为预沉积气体,有效地抑制了基底的氧化。在基片温度为650℃,气压为26Pa的条件下沉积的CeO2薄膜具有纯c轴取向。X射线θ-2θ扫描、极图分析、Φ扫描结果表明,CeO2薄膜有良好的立方织构,其Φ扫描半高宽(FWHM)为9.0°。扫描电镜观察表明,薄膜致密且没有裂纹。

高分子辅助化学溶液沉积制备涂层导体CeO_2缓冲层

分别采用两种高分子辅助化学溶液沉积方法,在双轴织构的NiW(200)合金基底上制备了涂层导体CeO2缓冲层。结果表明,制得的CeO2缓冲层双轴织构良好,表面无裂纹。比较两种不同的高分子辅助方法,利用聚甲基丙烯酸辅助制得的CeO2表面平整,均方根粗糙度在1μm×1μm的范围内仅为2nm,粗糙度远小于利用聚乙烯醇辅助沉积而得的CeO2缓冲层。

反应溅射法在蓝宝石衬底上制备CeO_2缓冲层

用金属铈作为靶材,采用射频反应磁控溅射法在(1 102)蓝宝石衬底上制备C轴取向CeO2外延薄膜缓冲层。结果表明在温度低于450℃或溅射功率低于50 W的条件下CeO2薄膜呈(111)取向生长;升高温度和功率CeO2薄膜的(111)取向减弱,(002)取向增强;在温度高于750℃或溅射功率高于120 W条件下CeO2薄膜呈(111)取向和(002)取向混合生长。结合X射线衍射仪和原子力显微镜表征CeO2薄膜的结构和表面形貌,获得在最优化条件下(衬底温度在680℃左右,溅射功率在80 W左右,溅射气压在25 Pa,氩氧比在15∶1)制备的CeO2薄膜具有优良的面内面外取向和平整的表面。

空穴缓冲层2T-NATA厚度对OLED器件性能的影响

在有机电致发光器件中,载流子的注入和匹配水平直接影响着器件性能。在器件中引入空穴缓冲传输层2T-NATA,能够有效改善阳极与有机层的接触,改变有机层中的势垒分布,提高载流子的注入和平衡水平,使激子复合率得到有效改善,从而使器件发光特性大幅提高。

ZnO和Al_2O_3缓冲层对AZO透明导电膜薄膜性能的影响

采用射频磁控溅射法,以纯度为99.9%,质量分数98%ZnO、2%Al2O3陶瓷靶为溅射靶材,在预先沉积了ZnO和Al2O3的玻璃衬底上制备了Al2O3掺杂的ZnO薄膜。研究并对比了两种不同的缓冲层对ZnO∶Al(AZO)薄膜的微观结构和光电性能的影响。并借助X线衍射(XRD)仪、扫描电子显微镜(SEM)、紫外可见光谱仪(UV-Vis)等方法测试和分析了不同缓冲层,对AZO薄膜的形貌结构、光电学性能的影响。结果表明:加入缓冲层后,在衬底温度为200℃时,溅射30min,负偏压为60V、在氮气气氛下经300℃退火处理后,制得薄膜的可见光透过率为83%～87%,AZO薄膜的最低电阻率,从9.2×10-4Ω.cm(玻璃)分别下降到8.0×10-4Ω.cm(ZnO)和5.4×10-4Ω.cm(Al2O3)。

Al_2O_3缓冲层对以ZnO∶Al为阳极的有机电致发光器件性能的影响

采用直流磁控溅射法制备ZnO∶Al(AZO)透明导电薄膜,薄膜电阻率为5.3×10-4Ω.cm,可见光区平均透过率大于85%。采用施加缓冲层的方法,在AZO和NPB之间加入一层Al2O3绝缘薄膜,提高了AZO阳极有机电致发光器件的性能,分析了Al2O3缓冲层的作用机理。结果表明施加1.5 nm缓冲层后器件的电流效率是单纯AZO阳极器件的3.4倍,同时也高于传统ITO器件。

TiO_2缓冲层对掺钨氧化钒热敏智能玻璃的制备及性能影响

用直流磁控溅射法在玻璃基片上先沉积TiO2缓冲层,再用直流/射频反应磁控共溅射法制备掺钨VOX薄膜,然后在氮气中退火。用X射线衍射、原子力显微镜、紫外可见光分光光度计、红外光谱仪等对薄膜的结构、表面形貌、光透过率等进行测试分析。结果表明:在溅射气压为1 Pa,氧氩气体比例为1:4,Ti靶采用100 W直流电源时,所制备的TiO2缓冲层上的掺钨VOX薄膜致密,晶粒大小均匀。掺钨VOX薄膜样品的相变温度降低至35℃,可见光透过率较高,对红外光的屏蔽效果明显。

H_2载气流量对AlN缓冲层生长的影响

在Si(111)衬底上用金属有机化学气相沉积(MOCVD)设备生长了AlN和GaN薄膜。采用高分辨X射线衍射、椭圆偏振光谱仪和原子力显微镜研究了AlN缓冲层生长时的载气(H2)流量变化对GaN外延层的影响。椭圆偏振仪测试表明:相同生长时间内AlN的厚度随着H2流量的增加而增加,即H2流量增加会导致AlN生长速率的提高。原子力显微镜测试表明:随着H2流量的增加,AlN表面粗糙度也呈上升趋势。XRD测试表明:随着AlN生长时的H2流量的增加,GaN的(0002)和(1012)峰值半宽增大,即螺型穿透位错密度和刃型穿透位错密度增加。可能是由于AlN缓冲层的表面形貌较差,导致GaN的晶体质量有所下降。实验结果表明:采用较低的H2流量生长AlN缓冲层可以控制AlN的生长速率,在一定程度上有助于提高GaN的晶体质量。

TiO_2缓冲层的退火气氛对ZnO薄膜微结构和光学性能的影响

采用射频磁控溅射法制备了ZnO/TiO2/Si薄膜,研究了TiO2缓冲层的不同退火气氛对ZnO薄膜的影响.利用X射线衍射分析(XRD)、紫外-可见分光光度计和荧光分光光度计等技术表征了ZnO/TiO2/Si薄膜的微结构和光学特性.XRD结果表明:沉积在经过O2退火缓冲层上的ZnO薄膜具有最好的c轴择优取向;透射吸收谱显示所有ZnO薄膜在可见光区域的平均透过率超过90%;引入未退火缓冲层后薄膜的光学带隙值增大,而缓冲层在真空、氧气进行退火后薄膜的光学带隙值均减小.薄膜的光致发光谱显示:所有样品出现了位于400nm,450nm和530nm的紫光峰、蓝光峰和绿光峰,并对各发光峰的来源进行了探讨.

化学溶液法制备的La_2Zr_2O_7缓冲层特性研究

利用XRD、电子背散射衍射分析(EBSD)和反射高能电子衍射(RHEED)等测试手段对化学溶液沉积技术制备的La2Zr2O7缓冲层的体织构和表面特性进行了研究。结果表明,在金属基带上,利用化学溶液沉积技术制备的La2Zr2O7缓冲层具有良好体织构和表面特性。

一种新型化学溶液沉积法制备涂层导体用RE2O3(RE=Y，Sm，Eu，Dy,Yb)缓冲层

用一种新的化学溶液沉积方法在双轴织构NiW(200)合金基底上制备了涂层导体用稀土氧化物RE2O3(RE=Y,Sm,Eu,Dy,Yb)缓冲层。分别利用X射线衍射,扫描电子显微镜,原子力显微镜对制得的RE2O3缓冲层的相结构、织构、表面形貌和平整度进行了检测。结果表明,RE2O3缓冲层具有较好的双轴织构,表面平整无裂纹。

连续生长的双面CeO_2种子层均匀性研究

采用直流反应磁控溅射方法在轧制辅助双轴织构Ni-5at%W基带上,成功连续制备出可用作第二代高温超导带材过渡层的高质量双面CeO2种子层薄膜。X射线衍射表明薄膜均为(00l)方向生长,并存在很强的内面外织构;原子力显微镜表征缓冲层表面连续平整,颗粒致密无裂纹,通过对长样品两面和不同位置研究,表明所制备得到的双面薄膜具有很好的两面一致性和单面均匀性。采用相同的工艺条件生长YSZ中间层以及CeO2模版层得到CeO2/YSZ/CeO23层缓冲层结构。并在其短样上采用直流溅射生长YBCO薄膜进一步验证过渡层薄膜的质量,YBCO薄膜具有较高的结晶质量;其单面临界电流密度Jc达到1.3MA/cm2,双面带材临界电流Ic为113A/cm。在总厚度增加不大的情况下,双面带材的提出,能够使电流承载水平成倍增加,其工程电流密度大幅度增加,并有利于器件小型化。

V_2O_5空穴缓冲层对绿色磷光OLED性能的影响

采用真空热蒸发的方法制备了V_2O_5薄膜,将其引入有机发光二极管(OLED)器件中用作空穴缓冲层,制备了以4,4'-N,N'-二咔唑基联苯(CBP)为主体材料,Ir(ppy)2acac为绿光磷光掺杂染料的OLED器件,结构为ITO/V_2O_5/NPB/TCTA/CBP∶Ir(ppy)2acac/BCP/Alq3/Li F/Al。研究了不同厚度的V_2O_5作为空穴缓冲层对绿色磷光OLED器件发光性能的影响。结果表明,当V_2O_5薄膜的厚度为30 nm时,器件的性能最佳,其最大电流效率和最大功率效率分别为54.36 cd/A和48.77 lm/W,比未加入缓冲层的常规器件均提高了34%。在驱动电压为11 V时,亮度可达到28 990 cd/m2,且在电压从5 V上升至10 V的过程中,对应的色坐标仅从(0.36,0.60)变化为(0.36,0.61),具有很高的稳定性。分析认为适当厚度的V_2O_5薄膜降低了发光层中空穴的浓度,提高了空穴和电子载流子的复合效率。

缓冲层对TiO_2染料敏化太阳电池光电性能的影响

在TiO2纳米晶薄膜与透明导电玻璃之间介入缓冲层,探究缓冲层对染料敏化太阳电池(Dye-sensitized Solar Cell,DSC)性能的影响,测试比较DSC的短路电流Isc和开路电压Voc。结果表明:缓冲层的设计增加表面粗糙度,提高染料分子负载率,增强对入射光的吸收和利用;具有缓冲层的DSC表现出较高的Isc和Voc,且随缓冲层厚度的增加,Isc有所提高;而当厚度过大时,有一部分入射光被反射,Isc呈下降趋势,Voc无明显变化。

Si基ZnO缓冲层溅射Ga_2O_3氨化反应生长GaN薄膜

利用射频磁控溅射法在Si(111)衬底上先溅射ZnO缓冲层,再溅射Ga2O3薄膜,然后在开管炉中分别以850℃,900℃,950℃和1 000℃等温度及常压下通氨气进行氨化,反应生长GaN薄膜。利用该方法制备的GaN薄膜是沿c轴方向择优生长的六角纤锌矿多晶结构,并且随着氨化温度的升高,GaN向棒状和线状形态生长。

金属有机沉积涂层导体La_2Zr_2O_7缓冲层长带制备

采用辊到辊方式利用金属有机沉积(MOD)技术在双轴织构的Ni W合金基带上制备了烧绿石结构的La2Zr2O7(LZO)缓冲层长带样品,利用X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)对长带样品不同部位截取短样的织构和表面形貌进行了分析.结果表明,已经制得了具有良好c轴织构且表面光滑的LZO膜.然而长带样品的织构锐利度小于静态短样的织构度,可以认为,热处理过程中影响升温速率以及恒温热处理时间的走带速度是获得高质量长带缓冲层样品的关键因素.

染料敏化太阳电池TiO2缓冲层厚度对性能的影响

影响染料敏化太阳电池性能因素较多。用水热法制备不同维数的TiO2纳米棒阵列作太阳电池缓冲层,其光电转换效率低。为深入研究TiO2缓冲层厚度与染料敏化太阳电池性能之间关系,采用凝胶法处理实验原料制备缓冲层薄膜,将缓冲层薄膜和TiO2纳晶胶体制备成染料敏化纳晶多空TiO2电极,将TiO2电极和镀铂电极组装成染料敏化太阳电池(DSSC)。利用仪器测试和表征缓冲层薄膜。数据表明:缓冲层薄膜结构和颗粒间连接性的修正对电子的传递有积极作用,DSSC无缓冲层时,染料敏化太阳电池短路电流、开路电压为10.06mA/cm^2和0.707V;有缓冲层,测试数据随厚度呈一定规律性变化,且厚度为10μm时,电池转换效率最大,短路电流、开路电压为11.42mA/cm^2、0.724V。