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Quark Model Approach to the Charge Dependent N-N Interaction
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作者 Xu, Pu Zong, Hongshi +2 位作者 Ping, Jialun Wang, Fan He, Hanxin 《Chinese journal of nuclear physics》 EI 1997年第3期147-154,共8页
The N-N <sup>1</sup>S<sub>0</sub> scattering length differences Δα<sub>CSB</sub> and Δα<sub>CIH</sub> of the charge symmetrybreaking and charge independence breaking... The N-N <sup>1</sup>S<sub>0</sub> scattering length differences Δα<sub>CSB</sub> and Δα<sub>CIH</sub> of the charge symmetrybreaking and charge independence breaking are calculated by a resonating group method with aquark cluster model.By adding the QED-QCD interference effect to the quark mass differenceand the electromagnetic interaction,the Δα<sub>CSH</sub> and Δα<sub>CIH</sub> can be reproduced with modelparameters constrained by the hadron isomultiplet masses. 展开更多
关键词 QED-QCD interference effect charge dependence n-n interaction Quark cluster model
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准一维有机电荷迁移晶体电导率和温度的关系 被引量:1
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作者 黄元河 刘若庄 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 1992年第6期728-731,共4页
在有机电荷迁移晶体中,有一类是由荷正电的施体分子柱与荷负电的受体分子柱交错平行排列而成,如TTF-TCNQ,因为这类晶体具有很强的各向异性,表现为准一维导体.实验得到,在T_P<T<250K(T_P为Peierls相变温度)范围内,这类晶体TTF-TCNQ... 在有机电荷迁移晶体中,有一类是由荷正电的施体分子柱与荷负电的受体分子柱交错平行排列而成,如TTF-TCNQ,因为这类晶体具有很强的各向异性,表现为准一维导体.实验得到,在T_P<T<250K(T_P为Peierls相变温度)范围内,这类晶体TTF-TCNQ、TSeF-TCNQ等的电导率的倒数σ^(-1)近似地随T^2增大.本文用形变势理论研究电子-声子相互作用对载流子的影响,得出σ与温度的依赖关系式.并以TTF-TCNQ电导率为算例,得到与实验相一致的结果。 展开更多
关键词 电荷迁移晶体 电导率 温度
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高阶Bose-Einstein关联的动力学奇异性
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作者 赵喜 赵树松 《信阳师范学院学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2013年第2期184-189,共6页
量子场论中古典数学不能描写奇异性的g2R依赖(动力学奇异性),在现代数学刻画的非微扰(公理化)场论中g2R通过反常维度γB(gR)、γF(gR)与γm(gR)进入N点截断Green广函G(N)(gR,aQN)并控制其奇异性,NBγB(gR)阶导数将G(N)μ(gR,aQN)的奇异... 量子场论中古典数学不能描写奇异性的g2R依赖(动力学奇异性),在现代数学刻画的非微扰(公理化)场论中g2R通过反常维度γB(gR)、γF(gR)与γm(gR)进入N点截断Green广函G(N)(gR,aQN)并控制其奇异性,NBγB(gR)阶导数将G(N)μ(gR,aQN)的奇异性从极点移动到它的幂邻域,q阶Bose-Einstein真关联实验(q=2,3,UAI;q=2,3,4,NA22)揭示出:(1)奇异性完全由γB(gR)控制.(2)γB(gR)的电荷依赖为(gR±beR)2,这里b<1,gR=α槡s(QCD,-3γB(gR)=αs).(3)Bose-Einstein关联实验直接测量出反常维度γB(gR)的数值.(4)质量奇异性由反常维度γm(gR)控制,质壳超分布的奇异方程给出递增的质量序列m1<m2<…<m2n=Max m2,反常维度关系γm(gR)/γB(gR)=-6/π(QCD),与实验数据符合. 展开更多
关键词 奇异性的g2R依赖 Bose-Einstein关联A-D效应 质壳奇异方程 强相互作用的电荷依赖
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QCD×QED项引起的电荷相关互作用
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作者 徐浦 《南京理工大学学报》 EI CAS CSCD 1993年第5期1-4,共4页
该文用夸克模型和共振群方法计算了QCD和QED交叉项引起的N-N散射长度差别,证明QCD和QED交叉项对电荷相关互作用有影响,而且效应比普通电磁作用强得多。
关键词 散射 QCD QED 电荷相关效应 核力
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Effect of thickness on the photophysics and charge carrier kinetics of graphitic carbon nitride nanoflakes
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作者 Yaping Chen Huiyu Zhang +1 位作者 Rong Lu Anchi Yu 《Chinese Chemical Letters》 SCIE CAS CSCD 2018年第3期543-546,共4页
We investigated the thickness effect on the photophysics and charge carrier kinetics of graphitic carbon nitride nanoflakes (g-CNN) by using ultraviolet visible diffuse reflectance spectroscopy, atomic force microsc... We investigated the thickness effect on the photophysics and charge carrier kinetics of graphitic carbon nitride nanoflakes (g-CNN) by using ultraviolet visible diffuse reflectance spectroscopy, atomic force microscopy, femtosecond transient absorption spectroscopy, and picosecond time-correlated single photon counting measurement. For the first time, we found that g-CNN displays a layer-dependent indirect bandgap and layer-dependent charge carrier kinetics. 展开更多
关键词 Carbon nitride nanoflakes Layer dependence charge carrier kinetics Interlayer interaction Femtosecond transient absorption
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