六氰合铁酸铜钴薄膜修饰铂电极的电化学、XRD及XPS研究

采用循环伏安法在铂电极上电聚合了六氰合铁酸铜钴薄膜 ,并用电化学、XRD和XPS对该薄膜进行了表征 .研究表明此薄膜属于取代型的多核六氰合铁酸盐 ,由Cu2 + ,Co2 + 和Fe2 + 共同占据晶格格点 .通过改变Cu2 + ,Co2 +和Fe3 + 在沉积液中的比例可以改变聚合膜的性质 .随沉积液中Cu2 + 含量的增加 ,聚合膜中铜的含量相应增加而晶格常数则逐渐减小 ,但保持着面心立方的晶格对称性 .当沉积液中Cu2 + ∶Co2 + ∶Fe3 + =1∶1∶2时 ,得到的聚合膜具有比较典型的性质 ,该薄膜修饰的铂电极在pH 4～ 10之间均能保持着稳定的电化学响应 .其对一价阳离子的选择性顺序为K+ >Li+ >Na+ >NH4 + ,与单组分的六氰合铁酸铜和六氰合铁酸钴都存在着较大的差别 .XPS实验表明氧化态薄膜中铁元素以Fe (Ⅲ )存在 ,并且在X射线的照射下很快转化为Fe (Ⅱ ) .

铁氰化铜修饰玻碳电极的制备及电化学性质(英文)

用电化学方法制备了铁氰化铜（ＣｕＨＣＦ）修饰玻碳电极，用循环伏安方法研究了ＣｕＨＣＦ修饰玻碳电极的电化学性质．实验表明ＣｕＨＣＦ在０．４～０．９Ｖ（ｖｓ．ＳＣＥ）电位范围内有一对良好的氧化还原峰，扫描速率为２０ｍＶ／ｓ时，Ｅｐａ＝６７４ｍＶ，Ｅｐｃ＝６５４ｍＶ．扫速增加，式量电位略向正移．考察了支持电解质浓度及平衡离子对ＣｕＨＣＦ修饰玻碳电极电化学性质的影响，支持电解质浓度增加，式量电位正移，峰电位差变小；平衡离子半径增加，式量电位正移．同时对ＣｕＨＣＦ用于电子传递媒体的可能性进行了探讨．

CuHCF/Pt的制备及其电化学性质

通过实验选择了制备铁氰化铜修饰铂电极（CuHCF/Pt）的最佳条件,并用循环伏安法考察了CuHCF/Pt对一价阳离子的选择性及VC在该电极上的电化学行为.实验结果表明,CuHCF/Pt在0.4~1.0 V（vs.SCE）范围内有一对可逆性良好的氧化还原峰,该电极对K＋有较好地选择性且对VC有催化氧化作用.