期刊文献+
共找到93篇文章
< 1 2 5 >
每页显示 20 50 100
Chemical Mechanical Planarization (CMP) for Microelectronic Applications 被引量:4
1
作者 Li Yuzhuo 《合成化学》 CAS CSCD 2004年第z1期115-115,共1页
关键词 cmp for Microelectronic Applications Chemical Mechanical planarization
下载PDF
pH调节剂在CMP工艺中的应用研究进展
2
作者 董常鑫 牛新环 +4 位作者 刘江皓 占妮 邹毅达 何潮 李鑫杰 《半导体技术》 北大核心 2024年第1期30-38,共9页
pH调节剂在化学机械抛光(CMP)工艺中有重要应用,可以调节抛光液的pH值以确保抛光过程的化学反应在理想的pH值下进行,同时保持抛光化学环境的稳定等。对无机酸、有机酸、无机碱和有机碱四大类pH调节剂在合金、金属和金属化合物等材料的CM... pH调节剂在化学机械抛光(CMP)工艺中有重要应用,可以调节抛光液的pH值以确保抛光过程的化学反应在理想的pH值下进行,同时保持抛光化学环境的稳定等。对无机酸、有机酸、无机碱和有机碱四大类pH调节剂在合金、金属和金属化合物等材料的CMP中的应用及其作用机理进行综述。无机酸pH调节剂的主要作用机理是快速腐蚀材料表面,但其主要缺点是会将多余的金属离子引入抛光液中污染金属表面。有机酸pH调节剂的主要作用机理是螯合金属离子形成大分子络合物,但其主要缺点是稳定性差,难以保存。无机碱pH调节剂的主要作用机理是在基底表面生成一层软化层,使其在机械作用下更容易被去除,但其主要缺点是仍会引入金属离子污染材料表面。有机碱pH调节剂的主要作用机理是加速钝化膜的形成,但其主要缺点是制备困难、成本高。最后对pH调节剂在CMP中的应用前景进行了展望。 展开更多
关键词 PH调节剂 化学机械抛光(cmp) 抛光液 稳定性 平坦化
下载PDF
基于SSA-GRNN的铜CMP抛光液抛光速率预测
3
作者 栾晓东 张拓 穆成银 《江苏海洋大学学报(自然科学版)》 CAS 2024年第3期86-92,共7页
铜化学机械抛光(CMP)是集成电路制造的关键步骤之一,其中铜抛光速率是衡量抛光液性能的关键指标。在CMP过程中,由于铜抛光液中各组分与铜之间的化学反应复杂,需要大量的数据实验来实现可调的抛光速率。为提高铜CMP抛光速率预测的准确性... 铜化学机械抛光(CMP)是集成电路制造的关键步骤之一,其中铜抛光速率是衡量抛光液性能的关键指标。在CMP过程中,由于铜抛光液中各组分与铜之间的化学反应复杂,需要大量的数据实验来实现可调的抛光速率。为提高铜CMP抛光速率预测的准确性,利用麻雀搜索算法对广义回归神经网络的平滑因子进行优化,提出了一种基于麻雀搜索算法的广义回归神经网络(SSA-GRNN)铜CMP抛光液抛光速率预测模型。首先,在MATLAB中建立SSA-GRNN网络模型,然后输入抛光液各组分数据,预测在不同组分下抛光液的抛光速率,最后将SSA-GRNN模型的预测结果与BP神经网络模型(BP-NCABC)的预测结果对比。结果表明,SSA-GRNN模型在训练集上的平均绝对百分比误差(MAPE)比BP-NCABC模型降低4.82百分点,在测试集上的MAPE比BP-NCABC模型降低1.78百分点;SSA-GRNN模型在训练集上的最优预测精度比BP-NCABC模型提高0.09百分点,在测试集上的最优预测精度比BP-NCABC模型提高0.32百分点。上述研究结果表明,在CMP抛光速率的预测上SSA-GRNN模型比BP-NCABC模型的准确性更高,这为指导CMP实验、提升实验效率、降低研发成本和优化抛光液组分提供了一种可选的模型。 展开更多
关键词 化学机械抛光 抛光液 广义回归神经网络 麻雀搜索算法
下载PDF
铜互连CMP工艺技术分析
4
作者 宋红伟 宋洁晶 秦龙 《集成电路应用》 2024年第7期78-79,共2页
阐述CMP设备抛光头压力和抛光液中H_(2)O_(2)浓度对TSV工艺面铜去除速率和平坦化的影响。分析发现,粗抛压力3.0psi、精抛压力1.0psi、H_(2)O_(2)浓度2wt%时CMP加工效率高且通孔碟坑深度≤0.5μm。
关键词 集成电路制造 TSV cmp 去除速率 平坦化
下载PDF
TWO STEPS CHEMICAL-MECHANICAL POLISHING OF RIGID DISK SUBSTRATE TO GET ATOM-SCALE PLANARIZATION SURFACE 被引量:11
5
作者 LEI Hong LUO Jianbin LU Xinchun 《Chinese Journal of Mechanical Engineering》 SCIE EI CAS CSCD 2006年第4期496-499,共4页
In order to get atomic smooth rigid disk substrate surface, ultra-fined alumina slurry and nanometer silica slurry are prepared, and two steps chemical-mechanical polishing (CMP) of rigid disk substrate in the two s... In order to get atomic smooth rigid disk substrate surface, ultra-fined alumina slurry and nanometer silica slurry are prepared, and two steps chemical-mechanical polishing (CMP) of rigid disk substrate in the two slurries are studied. The results show that, during the first step CMP in the alumina slurry, a high material removal rate is reached, and the average roughness (Ra) and the average waviness (Wa) of the polished surfaces can be decreased from previous 1.4 nm and 1.6 nm to about 0.6 nm and 0.7 nm, respectively. By using the nanometer silica slurry and optimized polishing process parameters in the second step CMP, the Ra and the Wa of the polished surfaces can be further reduced to 0.038 nm and 0.06 am, respectively. Atom force microscopy (AFM) analysis shows that the final polished surfaces are ultra-smooth without micro-defects. 展开更多
关键词 TWo steps Chemical-mechanical polishing(cmp Rigid disk substrateAtom-scale planarization Slurry
下载PDF
CMP工艺晶圆表面颗粒去除问题的研究 被引量:1
6
作者 李岩 于静 +1 位作者 戴豪 钱震坤 《电子工业专用设备》 2023年第1期28-30,64,共4页
CMP之后晶圆表面颗粒数目是CMP工艺的一项关键指标。针对Si CMP之后的清洗效果,分析了晶圆表面亲疏水性、清洗液浓度方面对清洗效果的影响。结果表明通过一定浓度的清洗液清洗抛光之后晶圆能取得较好的表面颗粒数量,满足工艺需求。
关键词 化学机械平坦化(cmp) 清洗液 颗粒度
下载PDF
化学机械抛光(CMP)技术的发展、应用及存在问题 被引量:53
7
作者 雷红 雒建斌 马俊杰 《润滑与密封》 CAS CSCD 北大核心 2002年第4期73-76,共4页
在亚微米半导体制造中 ,器件互连结构的平坦化正越来越广泛采用化学机械抛光 (CMP)技术 ,这几乎是目前唯一的可以提供在整个硅圆晶片上全面平坦化的工艺技术。本文综述了化学机械抛光的基本工作原理。
关键词 化学机械抛光 设备 研浆 平面化技术 半导体器件
下载PDF
300mm铜膜低压低磨料CMP表面粗糙度的研究 被引量:7
8
作者 田雨 王胜利 +3 位作者 刘玉岭 刘效岩 邢少川 马迎姿 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第11期836-839,共4页
随着集成电路特征尺寸的减小、低k介质的引入及晶圆尺寸的增加,如何保证在低压无磨料条件下完成大尺寸铜互连线平坦化已经成为集成电路制造工艺发展的关键。采用法国Alpsitec公司的E460E抛光机在低压低磨料的条件下,研究了12英寸(1英寸=... 随着集成电路特征尺寸的减小、低k介质的引入及晶圆尺寸的增加,如何保证在低压无磨料条件下完成大尺寸铜互连线平坦化已经成为集成电路制造工艺发展的关键。采用法国Alpsitec公司的E460E抛光机在低压低磨料的条件下,研究了12英寸(1英寸=25.4 mm)无图形(blanket)铜膜CMP工艺和抛光液配比对抛光表面质量的影响。实验结果表明,在压力为0.65 psi(1 psi=6.89×103 Pa),抛光液主要成分为体积分数分别为5%的螯合剂、2%的氧化剂和3%的表面活性剂。抛光后表面无划伤,表面非均匀性为0.085,抛光速率为400 nm.min-1,表面粗糙度为0.223 nm,各参数均满足工业化生产的需要。 展开更多
关键词 铜互连线 低磨料 低压 粗糙度 化学机械抛光
下载PDF
不同粒径硅溶胶磨料对Cu CMP的综合影响 被引量:6
9
作者 闫辰奇 刘玉岭 +5 位作者 张金 张文霞 王辰伟 何平 潘国峰 牛新环 《微纳电子技术》 北大核心 2017年第1期58-64,共7页
结合实验数据详细地分析了基于不同粒径硅溶胶磨料的抛光液对铜化学机械平坦化(CMP)性能的表征。研究表明,磨料粒径是决定CMP效率和最终晶圆表面平坦化质量的重要因素。分析了化学机械抛光过程中的机械作用及质量传递作用。通过在铜光... 结合实验数据详细地分析了基于不同粒径硅溶胶磨料的抛光液对铜化学机械平坦化(CMP)性能的表征。研究表明,磨料粒径是决定CMP效率和最终晶圆表面平坦化质量的重要因素。分析了化学机械抛光过程中的机械作用及质量传递作用。通过在铜光片及图形片上进行实验验证,结果表明,在低磨料质量分数条件下,当磨料粒径为60 nm时,可获得最优的平坦化效果,铜膜抛光速率可达623 nm/min,抛光后晶圆片内非均匀性和碟形坑高低差分别降为3.8%和75.1 nm,表面粗糙度为0.324 nm。在此基础上,为进一步建立磨料颗粒的微观动力学模型提出了一些理论基础上的建议。 展开更多
关键词 化学机械平坦化(cmp) 磨料粒径 机械作用 质量传递 平坦化性能
下载PDF
抛光压力与表面活性剂对铜CMP均匀性的影响 被引量:9
10
作者 赵亚东 刘玉岭 +2 位作者 栾晓东 牛新环 王仲杰 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2017年第2期119-123,152,共6页
研究了铜化学机械抛光(CMP)过程中,不同压力和非离子型表面活性剂对片内非均匀性(WIWNU)的影响。通过改变抛光压力大小和非离子型表面活性剂浓度,得出WIWNU的变化规律。实验表明,在不同抛光压力下,铜去除速率有明显的变化。当抛光压力为... 研究了铜化学机械抛光(CMP)过程中,不同压力和非离子型表面活性剂对片内非均匀性(WIWNU)的影响。通过改变抛光压力大小和非离子型表面活性剂浓度,得出WIWNU的变化规律。实验表明,在不同抛光压力下,铜去除速率有明显的变化。当抛光压力为0 psi(1 psi=6.89×103Pa)时,去除速率呈中间高边缘低。当压力为0.5 psi时,边缘处去除速率较高,且随着压力的增大,晶圆边缘处去除速率与晶圆中心处去除速率差将更明显,导致片内非一致性增大。通过添加非离子型表面活性剂,可以改善WIWNU。当压力为1.5 psi时,非离子型表面活性剂体积分数为5%,WIWNU可降低到3.01%,并且得到良好的平坦化结果。同时,非离子型表面活性剂对晶圆表面残留颗粒具有良好的去除作用。 展开更多
关键词 化学机械抛光(cmp) 片内非均匀性(WIWNU) 抛光压力 非离子型表面活性剂 铜去除速率
下载PDF
基于Arrhenius方程研究活性剂对铜CMP粗糙度的影响 被引量:6
11
作者 栾晓东 牛新环 +4 位作者 刘玉岭 闫辰奇 赵亚东 王仲杰 王辰伟 《微纳电子技术》 北大核心 2016年第12期822-827,共6页
选用非离子表面活性剂脂肪醇聚氧乙烯醚(AEO),通过自制的碱性铜抛光液,在E460E机台上研究不同体积分数活性剂对铜化学机械抛光(CMP)效果的影响。利用原子力显微镜(AFM)观察抛光后铜表面粗糙度,采用接触角测试仪测试不同的抛光液在铜表... 选用非离子表面活性剂脂肪醇聚氧乙烯醚(AEO),通过自制的碱性铜抛光液,在E460E机台上研究不同体积分数活性剂对铜化学机械抛光(CMP)效果的影响。利用原子力显微镜(AFM)观察抛光后铜表面粗糙度,采用接触角测试仪测试不同的抛光液在铜表面的接触角。结果表明:铜抛光速率随着活性剂体积分数的增加呈缓慢降低趋势,加入活性剂可显著降低抛光后铜表面粗糙度。当加入体积分数3.0%的活性剂时,铜抛光速率从678.096 nm/min降低到625.638 nm/min,同时铜表面粗糙度从10.52 nm降低到1.784 nm,接触角从28.33°降低到12.25°。活性剂分子优先吸附在抛光后铜表面形成一层分子膜,表面粗糙度降低的根本原因是该分子膜增加了化学反应的活化能以及提高了抛光液的润湿性。基于Arrhenius方程,从活化能和温度两个参数阐述活性剂降低铜表面粗糙度的机制。 展开更多
关键词 化学机械抛光(cmp) 非离子活性剂 表面粗糙度 活化能 接触角
下载PDF
CMP平坦化技术在LCoS显示器中的应用 被引量:8
12
作者 代永平 耿卫东 +1 位作者 孙钟林 王隆望 《光电子技术》 CAS 2003年第1期41-45,共5页
作为一类新型 L CD技术的 LCo S显示屏是一种反射式液晶显示器 ,其镜面反射电极的平整性决定了整个显示器的亮度和对比度等主要显示参数。本文详细讨论了 CMP技术在LCo
关键词 硅基液晶屏 平整度 化学机械抛光
下载PDF
碱性抛光液中纳米SiO_2磨料在Cu CMP中的作用 被引量:4
13
作者 郑伟艳 刘玉岭 +4 位作者 王辰伟 王萌 戎向向 王海霞 田巧伟 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2013年第1期52-56,共5页
GLSI多层铜互连线的平坦化中,抛光液中的SiO2磨料对铜的平坦化效率具有重要的作用。研究了碱性纳米SiO2质量分数对300 mm铜去除速率和300 mm铜布线平坦化作用的影响。结果表明,随着磨料质量分数的增大,铜的去除速率增大,晶圆的均匀性变... GLSI多层铜互连线的平坦化中,抛光液中的SiO2磨料对铜的平坦化效率具有重要的作用。研究了碱性纳米SiO2质量分数对300 mm铜去除速率和300 mm铜布线平坦化作用的影响。结果表明,随着磨料质量分数的增大,铜的去除速率增大,晶圆的均匀性变好,但磨料质量分数过高时,铜的去除速率略有降低,可能由于纳米SiO2表面硅羟基吸附在金属铜表面,导致质量传递作用变弱,引起速率降低。通过对图形片平坦化实验研究表明,随着磨料质量分数的增大,平坦化能力增强,这是因为磨料的质量分数增大使得高低速率差增大,能够有效消除高低差,实现平坦化。 展开更多
关键词 化学机械抛光(cmp) 铜布线 磨料浓度 去除速率 平坦化效率
下载PDF
TSV Cu CMP碱性抛光液及工艺 被引量:5
14
作者 蔡婷 刘玉岭 +3 位作者 王辰伟 牛新环 陈蕊 高娇娇 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2013年第11期735-738,742,共5页
穿透硅通孔(through silicon via,TSV)技术采用铜作为互连材料,晶圆表面沉积了一层厚厚的铜膜,对铜去除速率提出了新要求。从化学机械平坦化(CMP)过程的机理出发,对影响铜去除速率的因素,如磨料、活性剂、氧化剂、螯合剂以及抛光工艺中... 穿透硅通孔(through silicon via,TSV)技术采用铜作为互连材料,晶圆表面沉积了一层厚厚的铜膜,对铜去除速率提出了新要求。从化学机械平坦化(CMP)过程的机理出发,对影响铜去除速率的因素,如磨料、活性剂、氧化剂、螯合剂以及抛光工艺中抛头转速、转盘转速、抛光液流量、工作压力进行了单因素实验和规律分析。通过单因素实验得出,在磨料、活性剂、氧化剂和螯合剂的体积分数分别为50%,1.5%,0.5%和5%,抛头转速和转盘转速分别为105和100 r/min、抛光液流量为225 mL/min和工作压力为4 psi(1 psi=6 895 Pa)时,铜去除速率高达1.5μm/min。 展开更多
关键词 穿透硅通孔(TSV) 化学机械平坦化(cmp) 单因素 高去除速率 抛光液
下载PDF
Cu CMP抛光液对速率的影响分析及优化 被引量:4
15
作者 李晖 刘玉岭 +2 位作者 刘效岩 刘海晓 胡轶 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第11期1071-1074,共4页
在超大规模集成电路多层Cu布线CMP工艺中,抛光液是决定抛光速率、抛光表面状态和平坦化能力的重要因素。采用Plackett-Burman(PB)筛选实验对抛光液成分(磨料、氧化剂、活性剂、螯合剂)进行显著性因素分析,得出磨料、FA/O螯合剂Ⅱ型和氧... 在超大规模集成电路多层Cu布线CMP工艺中,抛光液是决定抛光速率、抛光表面状态和平坦化能力的重要因素。采用Plackett-Burman(PB)筛选实验对抛光液成分(磨料、氧化剂、活性剂、螯合剂)进行显著性因素分析,得出磨料、FA/O螯合剂Ⅱ型和氧化剂为显著性因素,并采用响应曲面法对其进行优化并建立了模型,最终得到以去除速率为评价条件的综合最优抛光液配比,为Cu抛光液配比优化及对CMP的进一步发展提供了新的思路与途径。 展开更多
关键词 抛光液 化学机械抛光 PB实验 响应曲面法 去除速率
下载PDF
对比不同特性蓝宝石抛光液的CMP性能 被引量:3
16
作者 闫辰奇 刘玉岭 +5 位作者 张金 张文霞 王辰伟 何平 潘国峰 牛新环 《微纳电子技术》 北大核心 2016年第11期757-762,共6页
比较了两种不同特性蓝宝石抛光液的化学机械平坦化(CMP)性能。在蓝宝石CMP过程中,针对抛光液pH值、硅溶胶磨料粒径以及抛光液中的化学添加剂(如螯合剂和表面活性剂)的作用进行了研究,以比较材料去除速率和表面形貌。分析表明,pH值和磨... 比较了两种不同特性蓝宝石抛光液的化学机械平坦化(CMP)性能。在蓝宝石CMP过程中,针对抛光液pH值、硅溶胶磨料粒径以及抛光液中的化学添加剂(如螯合剂和表面活性剂)的作用进行了研究,以比较材料去除速率和表面形貌。分析表明,pH值和磨料粒径是影响蓝宝石材料去除率的主要因素,螯合剂和表面活性剂分别有助于提高蓝宝石的去除速率和降低表面粗糙度。研究结果表明,低pH值、小磨料粒径和以化学作用为主的蓝宝石抛光液具有良好的CMP性能。 展开更多
关键词 蓝宝石 化学机械平坦化(cmp) 抛光液 化学作用 去除速率 表面形貌
下载PDF
碱性抛光液中H_2O_2对铜布线CMP的影响 被引量:3
17
作者 岳红维 王胜利 +4 位作者 刘玉岭 王辰伟 尹康达 郑伟艳 串利伟 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2012年第8期553-556,共4页
化学机械平坦化(CMP)过程中,抛光液的化学作用对平坦化效果起着不可替代的作用。介绍了碱性抛光液中氧化剂(H2O2)对铜布线CMP的作用:H2O2对铜的强氧化性可以将铜氧化为离子状态,然后在螯合剂的螯合作用下快速去除铜膜;H2O2对铜的钝化作... 化学机械平坦化(CMP)过程中,抛光液的化学作用对平坦化效果起着不可替代的作用。介绍了碱性抛光液中氧化剂(H2O2)对铜布线CMP的作用:H2O2对铜的强氧化性可以将铜氧化为离子状态,然后在螯合剂的螯合作用下快速去除铜膜;H2O2对铜的钝化作用可以保护凹处铜膜不被快速去除,从而有效降低高低差。此外,还研究了碱性抛光液中不同H2O2浓度对铜的静态腐蚀速率、动态去除速率及铜布线平坦化结果的影响。研究表明:抛光液对铜的静态腐蚀速率随H2O2浓度的增大逐渐降低然后趋于饱和;铜的动态去除速率随H2O2浓度的增大而逐渐降低;抛光液的平坦化能力随H2O2浓度的增大逐渐增强再趋于稳定。 展开更多
关键词 铜布线 化学机械平坦化(cmp) 碱性抛光液 H2O2 高低差
下载PDF
ULSI多层布线中SiO_2介质CMP技术 被引量:7
18
作者 檀柏梅 刘玉岭 《电子器件》 CAS 2001年第2期101-106,共6页
对甚大规模集成电路 ( ULSI)多层布线中二氧化硅介质的抛光机理、工艺条件选择、抛光液成分与作用等进行了综合分析 ,如何使用化学方法提高抛光速率、改善表面状况以及解决金属离子沾污等问题及发展趋势进行了综述 ,对现存的一些难题提... 对甚大规模集成电路 ( ULSI)多层布线中二氧化硅介质的抛光机理、工艺条件选择、抛光液成分与作用等进行了综合分析 ,如何使用化学方法提高抛光速率、改善表面状况以及解决金属离子沾污等问题及发展趋势进行了综述 ,对现存的一些难题提出了改进方案。 展开更多
关键词 化学机械抛光 全局平面化 多层布线 二氧化硅 cmp技术
下载PDF
CMP后清洗技术的研究进展 被引量:21
19
作者 雷红 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第5期369-373,共5页
化学机械抛光(CMP)技术是目前广泛采用的几乎唯一的高精度全局平面化技术,抛光后表面的清洗质量直接关系到CMP技术水平的高低。介绍了各种机械、物理及化学清洗方法与工艺技术优缺点,指出了清洗剂、清洗方式是CMP后清洗技术中的关键要... 化学机械抛光(CMP)技术是目前广泛采用的几乎唯一的高精度全局平面化技术,抛光后表面的清洗质量直接关系到CMP技术水平的高低。介绍了各种机械、物理及化学清洗方法与工艺技术优缺点,指出了清洗剂、清洗方式是CMP后清洗技术中的关键要素。综述了CMP后清洗技术的发展现状,分析了CMP后清洗存在的问题,并对其发展趋势进行了展望。 展开更多
关键词 化学机械抛光 原子级精度表面 清洗技术
下载PDF
ULSI/GLSI低Na CMP浆料的纯化效率 被引量:1
20
作者 甘小伟 刘玉岭 +3 位作者 何彦刚 李伟娟 王娟 宋洵奕 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2011年第10期669-673,共5页
采用离子交换法去除ULSI/GLSI CMP浆料SiO2水溶胶中的Na+。介绍了微电子专用CMP SiO2水溶胶纯化的研究现状。实验分析了SiO2水溶胶中Na+与阳离子树脂的交换机理,硅溶胶中Na+去除分为硅溶胶溶液中Na+的去除和被硅溶胶胶团吸附Na+的去除... 采用离子交换法去除ULSI/GLSI CMP浆料SiO2水溶胶中的Na+。介绍了微电子专用CMP SiO2水溶胶纯化的研究现状。实验分析了SiO2水溶胶中Na+与阳离子树脂的交换机理,硅溶胶中Na+去除分为硅溶胶溶液中Na+的去除和被硅溶胶胶团吸附Na+的去除。在交换动态平衡时,动态交换1 h较静态交换24 h生产效率提高了20多倍。同时阳1-阳1、阳2-阳1、阳3-阳1、阳1-阴1-阳1等离子交换工艺均能得到很好的纯化效果CNa+<5×10-6,不仅循环利用了树脂,而且酸碱耗量减少了50%以上。同时纯化硅溶胶配成碱性抛光液在硅片CMP应用中取得良好的结果。 展开更多
关键词 化学机械平坦化技术(cmp) 浆料 纯化 离子交换 NA^+
下载PDF
上一页 1 2 5 下一页 到第
使用帮助 返回顶部