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氮气反应溅射制备软X射线Co/Ti多层膜
被引量:
9
1
作者
朱京涛
岳帅鹏
+1 位作者
涂昱淳
张一志
《光学精密工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第1期10-14,共5页
针对“水窗”波段(280~540 eV)对多层膜反射镜的应用需求,在Ti的L吸收边(452.5 eV)附近,优化设计了Co/Ti多层膜的膜系结构.计算了不同界面粗糙度条件下的反射率,结果显示,界面粗糙度对多层膜反射率有较大影响.采用直流磁控溅射方...
针对“水窗”波段(280~540 eV)对多层膜反射镜的应用需求,在Ti的L吸收边(452.5 eV)附近,优化设计了Co/Ti多层膜的膜系结构.计算了不同界面粗糙度条件下的反射率,结果显示,界面粗糙度对多层膜反射率有较大影响.采用直流磁控溅射方法在超光滑硅基片上制备了Co/Ti多层膜,通过将氮气引入原有的溅射气体氩气中作为反应气体,明显减小了制备的多层膜的界面粗糙度.利用X射线掠入射反射实验和透射电子显微镜测试了多层膜结构,并在北京同步辐射装置(BSRF)3W1B实验站测量了不同氮气浓度下多层膜的反射率.结果显示,氮气含量为5%的溅射气体制备的多层膜样品反射率最高,即将纯氩气溅射制备得到的反射率9.5%提高到了12.0%.得到的结果表明,将氮气加入反应溅射气体可以有效改善Co/Ti多层膜的性能.
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关键词
co/ti多层膜
磁控溅射
反应溅射
同步辐射
反射率
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职称材料
Co/Ti非晶多层膜晶化过程中结构及磁性的变化
被引量:
4
2
作者
吴萍
姜恩永
+1 位作者
刘裕光
王存达
《金属学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1996年第11期1209-1214,共6页
利用双对向靶溅射方法在室温下制备Co/Ti非晶多层膜,并采用原位退火透射电镜和原位热重法,观测了Co/Ti多层膜结构与磁性随温度的变化,结果表明:退火温度ta为400℃时,薄膜开始晶化,Co,Ti颗粒析出并粗化;ta...
利用双对向靶溅射方法在室温下制备Co/Ti非晶多层膜,并采用原位退火透射电镜和原位热重法,观测了Co/Ti多层膜结构与磁性随温度的变化,结果表明:退火温度ta为400℃时,薄膜开始晶化,Co,Ti颗粒析出并粗化;ta>600℃时,具有铁磁性的Co单质完全消失,全部转化为Co2Ti相.热磁测量在390及520℃附近出现了两个明显的磁性转变峰,与薄膜结构变化对应.适当温度(400—520℃)的退火可获得高饱和磁化强度的Co-Ti颗粒膜.
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关键词
co/ti多层膜
非晶
晶化
薄
膜
磁性
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职称材料
题名
氮气反应溅射制备软X射线Co/Ti多层膜
被引量:
9
1
作者
朱京涛
岳帅鹏
涂昱淳
张一志
机构
同济大学物理科学与工程系精密光学工程技术研究所
出处
《光学精密工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第1期10-14,共5页
基金
国家自然科学基金资助项目(No.11375131
No.11305104)
国家973重点基础研究发展计划资助项目(No.2011CB922203)
文摘
针对“水窗”波段(280~540 eV)对多层膜反射镜的应用需求,在Ti的L吸收边(452.5 eV)附近,优化设计了Co/Ti多层膜的膜系结构.计算了不同界面粗糙度条件下的反射率,结果显示,界面粗糙度对多层膜反射率有较大影响.采用直流磁控溅射方法在超光滑硅基片上制备了Co/Ti多层膜,通过将氮气引入原有的溅射气体氩气中作为反应气体,明显减小了制备的多层膜的界面粗糙度.利用X射线掠入射反射实验和透射电子显微镜测试了多层膜结构,并在北京同步辐射装置(BSRF)3W1B实验站测量了不同氮气浓度下多层膜的反射率.结果显示,氮气含量为5%的溅射气体制备的多层膜样品反射率最高,即将纯氩气溅射制备得到的反射率9.5%提高到了12.0%.得到的结果表明,将氮气加入反应溅射气体可以有效改善Co/Ti多层膜的性能.
关键词
co/ti多层膜
磁控溅射
反应溅射
同步辐射
反射率
Keywords
co/ti
mul
ti
layer film
magnetron sputtering
reac
ti
ve sputtering
synchronous radia
ti
on
reflec
ti
vity
分类号
O484.1 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
Co/Ti非晶多层膜晶化过程中结构及磁性的变化
被引量:
4
2
作者
吴萍
姜恩永
刘裕光
王存达
机构
天津大学
出处
《金属学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1996年第11期1209-1214,共6页
基金
国家自然科学基金
北京中关村地区联合测试中心基金
文摘
利用双对向靶溅射方法在室温下制备Co/Ti非晶多层膜,并采用原位退火透射电镜和原位热重法,观测了Co/Ti多层膜结构与磁性随温度的变化,结果表明:退火温度ta为400℃时,薄膜开始晶化,Co,Ti颗粒析出并粗化;ta>600℃时,具有铁磁性的Co单质完全消失,全部转化为Co2Ti相.热磁测量在390及520℃附近出现了两个明显的磁性转变峰,与薄膜结构变化对应.适当温度(400—520℃)的退火可获得高饱和磁化强度的Co-Ti颗粒膜.
关键词
co/ti多层膜
非晶
晶化
薄
膜
磁性
Keywords
Co /
ti
mul
ti
layer film, amorphous, crystalliza
ti
on, satura
ti
on magne
ti
za
ti
on
分类号
O484.4 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
氮气反应溅射制备软X射线Co/Ti多层膜
朱京涛
岳帅鹏
涂昱淳
张一志
《光学精密工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015
9
下载PDF
职称材料
2
Co/Ti非晶多层膜晶化过程中结构及磁性的变化
吴萍
姜恩永
刘裕光
王存达
《金属学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1996
4
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职称材料
已选择
0
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