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Nb和Co掺杂对PZT铁电薄膜电性能的影响
1
作者 刘国营 柳擎 罗时军 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2006年第8期33-35,共3页
用sol—gel法在ITO玻璃衬底上制备了不同比例Nb和Co掺杂的PZT铁电薄膜，薄膜呈以（101）为首要方向的多晶结构。结果表明，Co掺杂的PZT薄膜的剩余极化强度、矫顽场强、相对介电常数和漏电流密度均大于PZT薄膜的相应值，但在掺杂x（Nb）... 用sol—gel法在ITO玻璃衬底上制备了不同比例Nb和Co掺杂的PZT铁电薄膜，薄膜呈以（101）为首要方向的多晶结构。结果表明，Co掺杂的PZT薄膜的剩余极化强度、矫顽场强、相对介电常数和漏电流密度均大于PZT薄膜的相应值，但在掺杂x（Nb）为1％-10％内漏电流密度随着Nb掺杂比例的增加而减小，薄膜的剩余极化强度和相对介电常数也有所减小。 展开更多
关键词 无机非金属材料 co和nb掺杂 PZT铁电薄膜 SOL-GEL法 电学性质
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Nb和Co掺杂对PZT铁电薄膜电性能的影响 被引量：1
2
作者 刘国营 柳擎 《重庆工学院学报》 2006年第8期57-59,共3页
用Sol-Gel法在ITO玻璃衬底上制备了不同比例Nb和Co掺杂的PZT铁电薄膜,薄膜呈以(1 0 1)为首要方向的多晶结构.测试结果表明:Co掺杂的PZT薄膜的剩余极化、矫顽场、介电常数和漏电流密度均大于PZT薄膜的相应值,但在1 mol%到10 mol%Nb掺杂... 用Sol-Gel法在ITO玻璃衬底上制备了不同比例Nb和Co掺杂的PZT铁电薄膜,薄膜呈以(1 0 1)为首要方向的多晶结构.测试结果表明:Co掺杂的PZT薄膜的剩余极化、矫顽场、介电常数和漏电流密度均大于PZT薄膜的相应值,但在1 mol%到10 mol%Nb掺杂范围内漏电流密度随着Nb掺杂比例的增加而减小,薄膜的剩余极化强度和介电常数也有所减小. 展开更多
关键词 co和nb掺杂PZT 铁电薄膜 Sol-Cel法 电学性质
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