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过渡金属原子钴掺杂硅团簇CoSi_(6～9)的密度泛函理论研究 被引量：5
1
作者 傅院霞 王倩 +4 位作者 吕思斌 许永红 汤庆国 胡守信 崔执凤 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2011年第5期859-865,共7页
利用密度泛函理论对CoSi_n(n=6～9)中性团簇的几何结构演化和电子结构性质进行研究,结果表明Co掺杂硅团簇的最小笼状尺寸是n=9,其中Co原子被扭曲状的Si_9棱柱包拢.CoSi_8团簇由于存在多个能量相近的异构体,导致团簇的吸附活性降低.自然... 利用密度泛函理论对CoSi_n(n=6～9)中性团簇的几何结构演化和电子结构性质进行研究,结果表明Co掺杂硅团簇的最小笼状尺寸是n=9,其中Co原子被扭曲状的Si_9棱柱包拢.CoSi_8团簇由于存在多个能量相近的异构体,导致团簇的吸附活性降低.自然电荷布局分析表明对于笼状的Co@Si_9团簇,其电荷主要分布在外围的硅笼,内部的Co原子通过spd杂化与外部硅笼成键,这保持了笼状团簇的稳定. 展开更多
关键词 密度泛函理论 co掺杂硅团簇 几何结构
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