Co-Ni/FeMn双层膜中磁化强度对交换偏置的影响

固定Co Ni FeMn双层膜中反铁磁层的厚度 ,改变Co Ni铁磁层的成分来调节磁化强度 ,从而研究铁磁层的饱和磁化强度对Co Ni FeMn双层膜中交换偏置的影响 .研究表明 ,Co Ni FeMn界面的交换耦合能U不是一个常量 ,而是随 (MFM) 1 2 的增加而线性增加 .其原因是铁磁层磁矩通过界面相互作用在反铁磁层中形成的局域交换磁场 。

织构和界面粗糙度对NiFe/FeMn双层膜交换偏置场的影响

采用磁控溅射方法制备NiFe/FeMn双层膜 (分别以Ta、Cu作为缓冲层 ,Ta作为保护层 )。实验发现 ,以Ta为缓冲层的NiFe/FeMn双层膜的交换偏置场比以Cu为缓冲层的NiFe/FeMn双层膜的交换偏置场大 ,而矫顽力却很小。我们从织构、界面粗糙度两方面对其中的原因进行了分析。以Ta为缓冲层的NiFe/FeMn双层膜有好的织构且NiFe/FeMn界面较平滑 ,这引起了较强的交换偏置场和较低的矫顽力。

不同缓冲层对NiFe/FeMn双层膜交换耦合场的影响

采用磁控溅射方法制备了NiFe/FeMn双层膜 ,分别以Ta ,Cu作为缓冲层 ,Ta作为保护层。实验发现 ,以Ta为缓冲层的NiFe/FeMn双层膜的交换耦合场比以Cu为缓冲层的NiFe/FeMn双层膜的交换耦合场大 ,而矫顽力却很小。本文分别从织构、界面粗糙度、界面偏聚等几方面对其中的原因进行了分析。除不同缓冲层引起的织构、界面粗糙度不同对交换耦合场有影响外 。

膜厚对NiFe单层膜及NiFe/FeMn双层膜性能的影响对比研究

采用直流磁控溅射法在Si(111)基片上制备不同厚度的NiFe单层膜、NiFe/FeMn双层膜,结合原子力显微镜(AFM)、振动样品磁强计(VSM)及电子顺磁共振(EPR)波谱仪研究了纳米膜的微观形貌、表面粗糙度、静磁性能及微波磁性能。结果表明,相对于NiFe单层膜,反铁磁性覆盖层FeMn的引入,使NiFe/FeMn双层膜的共振场(Hres)下降,与自旋波共振相关的有效交换场得以提升,说明在一定的外加稳恒磁场下,利用铁磁/反铁磁(FM/AF)多层膜结构所产生的钉扎效应能够提高薄膜的共振频率。在20~70 nm的NiFe薄膜厚度范围内,单层膜的共振场为1289~1354Oe,而双层膜的共振场降至1089~1118 Oe。

Ta,Ta/Cu缓冲层对NiFe/FeMn双层膜交换偏置场的影响

采用磁控溅射方法制备了分别以Ta和Ta Cu作为缓冲层的一系列NiFe FeMn双层膜 .实验发现 ,以Ta为缓冲层的NiFe FeMn双层膜的交换偏置场比以Ta Cu为缓冲层的NiFe FeMn双层膜的交换偏置场大 .测量了这两种双层膜的织构、表面粗糙度和表面成分 .结果表明 ,以Ta Cu为缓冲层时 ,Cu在NiFe层的上表面偏聚是造成NiFe FeMn双层膜交换偏置场降低的重要原因 .