Co-Si金属间化合物深过冷快速凝固及组织演化机理研究

目的探究Co-Si金属间化合物在深过冷条件下产生的再辉现象及对应组织的演化阶段,并分析其形成机理。方法为获得深过冷,结合了两种热力学方法:循环过热法及熔融玻璃净化法,实现了Co2Si金属间化合物(Co-33at%Si)、CoSi金属间化合物(Co-50at%Si)的深过冷快速凝固,并通过光学显微镜、扫描电子显微镜和XRD进行分析。结果发现Co-33at%Si金属间化合物凝固过程中存在两次再辉现象,晶粒尺寸随着过冷度的增加而减小,ΔT=190 K时,二次枝晶间距大约为0.5μm,层片间距为0.289μm,而Co-50at%Si金属间化合物凝固过程仅有一次再辉现象,且随过冷度增加,晶粒尺寸减小。ΔT<50K时,微观组织形貌为树枝晶;ΔT>90 K时,微观组织形貌为细小等轴晶。结论 Co-33at%Si中一次再辉对应于初始枝晶形成及细化过程,二次再辉对应于晶粒间残余液相二次凝固,即晶间细小树枝状共晶的形成。而Co-50at%Si中唯一一次再辉现象则对应枝晶向等轴晶的转变。

Si衬底上Co薄膜氧化观察

用透射电子显微镜和Ｘ射线衍射方法研究Ｓｉ衬底上的Ｃｏ薄膜氧化．发现：在５５０℃以下，薄膜氧化产物是ＣｏＯ；在９００℃再次进行真空热处理，ＣｏＯ能转变为硅化物．薄膜氧化，对Ｃｏ／Ｓｉ界面硅化物转变有影响．