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Synthesis and microwave characterization of Co-SiC core-shell powders by electroless plating 被引量:1
1
作者 ZHANG Haijun WU Xiangwei JIA Quanli JIA Xiaolin 《Rare Metals》 SCIE EI CAS CSCD 2006年第3期216-220,共5页
Co-SiC core-shell powders were prepared by electroless plating. Scanning electron microscopy (SEM) revealed that Co-SiC core-shell powders were of nearly sphere-like shape and were about 0.3 pan. X-ray powder diffra... Co-SiC core-shell powders were prepared by electroless plating. Scanning electron microscopy (SEM) revealed that Co-SiC core-shell powders were of nearly sphere-like shape and were about 0.3 pan. X-ray powder diffraction (XRD) patterns showed that the cobalt powder was hexagonal crystallite. The complex dielectric constant and the complex permeability of Co-SiC core-shell powders-paraffin wax composite were measured by the rectangle wavegnide method. It showed that the dielectric loss was less than 0.1 and the magnetic loss was about 0.2 in 8.2-12.4 GHz for prepared Co-SiC core-shell comoosite oowders. 展开更多
关键词 co-sic CORE-SHELL POWDERS electroless plating dielectric constant PERMEABILITY
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基于COMSOL的Ni-Co-SiC纳米镀层摩擦性能研究
2
作者 朱兆阁 李强 张红哲 《化工机械》 CAS 2022年第3期400-406,449,共8页
运用COMSOL软件对不同电流密度下Ni-Co-SiC纳米镀层的生长过程进行仿真,研究Ni-Co-SiC纳米镀层晶粒生长过程及其摩擦性能。利用脉冲电沉积法制备Ni-Co-SiC纳米镀层,并通过扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、摩擦磨损试验机及镀层... 运用COMSOL软件对不同电流密度下Ni-Co-SiC纳米镀层的生长过程进行仿真,研究Ni-Co-SiC纳米镀层晶粒生长过程及其摩擦性能。利用脉冲电沉积法制备Ni-Co-SiC纳米镀层,并通过扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、摩擦磨损试验机及镀层测厚仪等表征测试手段进行表征。结果表明:COMSOL软件仿真结果与实际实验结果保持一致,在电流密度为2.0 A/dm^(2)时,采用脉冲电沉积法制得的Ni-Co-SiC纳米镀层表面平整、厚度均匀、晶粒细小,具有优异的表面形貌和耐磨性能,且采用COMSOL仿真预测纳米镀层厚度值与真实值最高误差仅为2.36%,证实了COMSOL仿真应用于纳米镀层生长预测的准确性。 展开更多
关键词 Ni-co-sic纳米镀层 电流密度 耐磨性能 COMSOL软件
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脉冲占空比和脉冲频率对Ni-Co-SiC复合涂层组织和性能的影响
3
作者 姚艳玲 《铸造技术》 北大核心 2017年第7期1615-1619,共5页
在碳钢X65上通过脉冲电流沉积的方法制备Ni-Co-SiC复合涂层,研究了脉冲占空比和脉冲频率对涂层性能的影响。结果表明,随着脉冲占空比的减少和脉冲频率的增加,Ni-Co-SiC复合涂层形态从结节变为针状结构,沉积在涂层中的SiC颗粒增加,晶粒... 在碳钢X65上通过脉冲电流沉积的方法制备Ni-Co-SiC复合涂层,研究了脉冲占空比和脉冲频率对涂层性能的影响。结果表明,随着脉冲占空比的减少和脉冲频率的增加,Ni-Co-SiC复合涂层形态从结节变为针状结构,沉积在涂层中的SiC颗粒增加,晶粒尺寸变得更加细小。当显微硬度在5100N/mm^2和6700N/mm^2之间变化时,涂层的显微硬度随着脉冲占空比的增加而降低,随着频率的增加而增加。随着脉冲占空比的减小,电荷转移电阻值增加,复合涂层材料的耐腐蚀性增强;随着脉冲频率的增加,电荷转移电阻增加,复合涂层材料的耐腐蚀性增强。 展开更多
关键词 脉冲电沉积 Ni-Co-Si C 脉冲占空比 脉冲频率
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沉积温度对不同Co含量WC-Co/SiC/Diamond界面结合性能的影响
4
作者 杨俊茹 岳艳萍 +2 位作者 吕浩 任保飞 陈公领 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2023年第11期1997-2006,共10页
本文构建了Co质量分数分别为6%、8%、10%和12%的WC-Co/SiC/Diamond金刚石涂层硬质合金界面模型,利用分子动力学方法模拟了不同沉积温度对其界面结合强度的影响,从黏附功及键长分布两个方面进行具体分析。黏附功分析结果表明,与其他三种C... 本文构建了Co质量分数分别为6%、8%、10%和12%的WC-Co/SiC/Diamond金刚石涂层硬质合金界面模型,利用分子动力学方法模拟了不同沉积温度对其界面结合强度的影响,从黏附功及键长分布两个方面进行具体分析。黏附功分析结果表明,与其他三种Co含量界面模型相比,WC-6%Co/SiC/Diamond界面模型在七个沉积温度下所包含的两种界面的黏附功值均为最高值,并且在不同沉积温度下,WC-6%Co/SiC/Diamond界面模型所包含的WC-6%Co/SiC界面、SiC/Diamond界面的黏附功分别在1123、1173 K时最大,为2.468、5.394 J/m^(2)。键长分布概率分析结果表明,与其他三种Co含量界面模型相比,在任一沉积温度下,WC-6%Co/SiC/Diamond界面模型各界面处键长分布范围的最大值较小,且在1123 K时在WC-6%Co基体上沉积SiC中间层,在1173 K时在SiC中间层上沉积Diamond涂层后,该界面模型界面处的键长最短,键能最大,界面结合性能最好。 展开更多
关键词 金刚石涂层硬质合金 WC-Co/SiC/Diamond 沉积温度 CO含量 界面黏附功 界面结合性能 键长
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SiC器件在高速永磁电机转速跟踪控制中的应用研究 被引量:1
5
作者 蒋冬 赵金星 +1 位作者 胥阳 李晨 《控制工程》 CSCD 北大核心 2023年第4期687-693,共7页
针对高速永磁同步电机(HSPMSM)的电感值小、基波频率高等特点,以及Si基IGBT开关速度和电压等级限制而引起的电机运行过程中定子电流谐波含量高、发热严重和响应延迟大的问题,研究SiC金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)在HSPMSM转速... 针对高速永磁同步电机(HSPMSM)的电感值小、基波频率高等特点,以及Si基IGBT开关速度和电压等级限制而引起的电机运行过程中定子电流谐波含量高、发热严重和响应延迟大的问题,研究SiC金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)在HSPMSM转速跟踪控制中的应用。通过双脉冲测试电路分析了SiC和Si器件的开关特性,结果表明SiC MOSFET具有更快的开关速度和更低的开关损耗。基于Simulink/PSpice联合仿真,搭建了HSPMSM矢量控制仿真模型。仿真结果表明,采用SiC器件的逆变器能加快电机转速响应速度,减少电流高次谐波,提高输出稳定性,从而提高转速跟踪性能。 展开更多
关键词 SiC MOSFET 联合仿真 高速永磁同步电机 转速跟踪 矢量控制
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-βSiC纳米颗粒对Ni-Co共电沉积合金结构和性能的影响 被引量:2
6
作者 杨秀英 彭晓 王福会 《沈阳理工大学学报》 CAS 2011年第2期49-51,60,共4页
采用复合电沉积方法在Ni基体上制备了(Ni-Co)-SiC纳米复合镀层,该镀层的组织结构与电沉积Ni-Co合金(晶粒尺寸:110 nm)镀层不同,由Ni-Co固溶体基体(晶粒尺寸:50 nm)和均匀分布其中的SiC纳米颗粒(晶粒尺寸:45 nm)组成。SiC纳米颗粒的加入... 采用复合电沉积方法在Ni基体上制备了(Ni-Co)-SiC纳米复合镀层,该镀层的组织结构与电沉积Ni-Co合金(晶粒尺寸:110 nm)镀层不同,由Ni-Co固溶体基体(晶粒尺寸:50 nm)和均匀分布其中的SiC纳米颗粒(晶粒尺寸:45 nm)组成。SiC纳米颗粒的加入大大细化了镀层的组织,增加了镀层的显微硬度.电化学实验表明:SiC纳米颗粒使金属还原电位发生正移,降低了Ni-Co合金镀液的极化作用. 展开更多
关键词 共电沉积 Nico-sic纳米复合镀层 硬度 极化曲线
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非完美条件下的非正交多址接入星地融合网络性能分析 被引量:3
7
作者 帅海峰 郭克锋 +2 位作者 安康 朱诗兵 李长青 《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2023年第2期427-435,共9页
随着星地融合网络(ISTNs)的快速发展,大量的传感器和无线设备都有无线服务的接入需求,从而对星地融合网络的频谱效率和服务质量提出了新的挑战。不同于传统的正交多址接入技术,非正交多址接入(NOMA)技术可在相同的频率下传输不同用户的... 随着星地融合网络(ISTNs)的快速发展,大量的传感器和无线设备都有无线服务的接入需求,从而对星地融合网络的频谱效率和服务质量提出了新的挑战。不同于传统的正交多址接入技术,非正交多址接入(NOMA)技术可在相同的频率下传输不同用户的信号,其被认作为提高星地融合网络频谱效率的有效方法,从而被广泛研究。目前,针对NOMA和星地融合网络的研究大多都是在理想条件下进行的,由此该文研究更加实际的情况,即在非完美串行干扰消除(SIC)、信道估计误差和同频干扰下,对星地融合网络的性能进行研究。该文在假设卫星端和地面端均采用多天线的前提下,推导了系统遍历容量的闭式表达式,验证了非完美条件对于系统性能的影响。同时蒙特卡罗仿真验证了理论分析和推导的正确性。 展开更多
关键词 星地融合网络 非正交多址接入 串行干扰消除 信道状态信息 同频干扰
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多热源SiC合成炉内CO气体参数实验 被引量:7
8
作者 王晓刚 李成峰 郭继华 《长安大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期84-87,共4页
采用自行发明的多热源合成SiC技术,研究了SiC合成炉逸出气体的成分、温度、压强、流量等性能参数在一定的供电制度、保温料厚度条件下的变化规律。研究结果表明,气体的主要成分为CO,其浓度高达92%;合成炉内空间位置越高,气体温度值越小... 采用自行发明的多热源合成SiC技术,研究了SiC合成炉逸出气体的成分、温度、压强、流量等性能参数在一定的供电制度、保温料厚度条件下的变化规律。研究结果表明,气体的主要成分为CO,其浓度高达92%;合成炉内空间位置越高,气体温度值越小;保温料厚度值为0.5cm的条件下,气体温度最大值为249℃,温度梯度高达139℃/m;炉内不同部位气体的温度增长速率差异较大;压强与流量之间满足同步单调增减规律。 展开更多
关键词 碳化硅 合成炉 一氧化碳气体 温度梯度
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nc-SiC/SiO_2镶嵌薄膜材料的制备、结构和发光特性 被引量:4
9
作者 石礼伟 李玉国 +2 位作者 王强 薛成山 庄惠照 《微纳电子技术》 CAS 2004年第7期23-26,30,共5页
采用二氧化硅/碳化硅复合靶,用射频磁控共溅射技术和后高温退火的方法在Si(111)衬底上制备了碳化硅纳米颗粒/二氧化硅基质(nc-SiC/SiO2)镶嵌结构薄膜材料。用X射线衍射(XRD),傅里叶红外吸收(FTIR),扫描电子显微镜(SEM)和光致发光(PL)实... 采用二氧化硅/碳化硅复合靶,用射频磁控共溅射技术和后高温退火的方法在Si(111)衬底上制备了碳化硅纳米颗粒/二氧化硅基质(nc-SiC/SiO2)镶嵌结构薄膜材料。用X射线衍射(XRD),傅里叶红外吸收(FTIR),扫描电子显微镜(SEM)和光致发光(PL)实验分析了薄膜的微结构以及光致发光特性。实验结果表明,样品薄膜经高温退火后,部分无定形SiC发生晶化,形成β-SiC纳米颗粒而较均匀地镶嵌在SiO2基质中。以280nm波长光激发薄膜表面,有较强的365nm的紫外光发射以及458nm和490nm处的蓝光发射,其发光强度随退火温度的升高显著增强,发光归结为薄膜中与Si—O相关的缺陷形成的发光中心。 展开更多
关键词 磁控共溅射 SiC纳米颗粒 微观结构 光致发光
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煤的新型气化技术与多联产理论 被引量:9
10
作者 强军锋 田欣伟 +4 位作者 王晓刚 田玉仙 李晓池 邵水源 王爱民 《煤炭学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第B08期93-96,共4页
介绍以煤炭、石英矿资源和电力资源,采用电热还原法生产高纯CO(煤)气并伴生四高SiC栽能新材料的煤的新型气化技术.阐述在循环经济理念下,研发并实施以煤、电为基础资源实现煤的新型气化生产大气量高纯CO-醋酸-四高SiC栽能新材料产... 介绍以煤炭、石英矿资源和电力资源,采用电热还原法生产高纯CO(煤)气并伴生四高SiC栽能新材料的煤的新型气化技术.阐述在循环经济理念下,研发并实施以煤、电为基础资源实现煤的新型气化生产大气量高纯CO-醋酸-四高SiC栽能新材料产品的多联产理论及意义. 展开更多
关键词 煤的新型气化 多联产 新材料 CO 醋酸 SIC
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激光熔覆SiC/Co复合涂层的组织与性能研究 被引量:8
11
作者 张维平 郎志华 马海波 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第1期8-10,33,共4页
在45钢表面采用激光熔覆工艺制备了SiC/Co复合涂层,分析了涂层的显微组织,测试了涂层的硬度和摩擦学性能。结果表明:SiC/Co涂层主要由γ-Co和Cr23C6共晶组织组成,涂层结合区为枝晶,熔覆区为等轴晶;熔覆区的显微硬度为1 300~1 500 HK,约... 在45钢表面采用激光熔覆工艺制备了SiC/Co复合涂层,分析了涂层的显微组织,测试了涂层的硬度和摩擦学性能。结果表明:SiC/Co涂层主要由γ-Co和Cr23C6共晶组织组成,涂层结合区为枝晶,熔覆区为等轴晶;熔覆区的显微硬度为1 300~1 500 HK,约为45钢基体硬度的4倍;该涂层明显改善了45钢基体的摩擦磨损性能。 展开更多
关键词 激光熔覆 SiC/Co复合涂层 显微组织 摩擦学性能
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反应烧结SiC/Co-Si体系的润湿性及界面反应 被引量:7
12
作者 李树杰 王川宝 +2 位作者 宋旻键 贺跃辉 付春娟 《粉末冶金材料科学与工程》 EI 2010年第2期110-116,共7页
采用座滴法研究反应烧结(Reaction bonded)SiC/Co-Si体系在真空中的润湿性及界面反应,并研究Si含量和实验温度对润湿角的影响。结果表明,元素Si对反应烧结(RB)SiC/Co-Si体系的润湿性有显著影响,当Co-Si钎料粉体中Si含量(质量分数)为6.7%... 采用座滴法研究反应烧结(Reaction bonded)SiC/Co-Si体系在真空中的润湿性及界面反应,并研究Si含量和实验温度对润湿角的影响。结果表明,元素Si对反应烧结(RB)SiC/Co-Si体系的润湿性有显著影响,当Co-Si钎料粉体中Si含量(质量分数)为6.7%和60%时,体系的最终润湿角都低于SiC/纯Co体系。SiC/Co-Si体系的润湿过程属于反应性润湿,随着温度升高,润湿角明显减小。微观结构研究和XRD相分析表明,对于SiC/Co-3Si体系(Co-3Si钎料中Si的质量分数为3%),界面区域发生了化学反应,反应产物为CoSi和碳,同时发生元素的互扩散,形成反应中间层;对于SiC/Co-60Si体系,界面反应产物只有CoSi2,界面区域没有存留碳。界面反应改变体系的界面结构,从而改善体系的润湿性。 展开更多
关键词 润湿性 界面反应 SiC/Co-Si体系
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挤压铸造SiC/ZL109铝合金双连续相复合材料的凝固组织 被引量:6
13
作者 赵龙志 曹小明 +3 位作者 田冲 胡宛平 邢宏伟 张劲松 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期325-330,共6页
研究了挤压铸造工艺参数和SiC泡沫增强体对ZL109铝合金基体凝固组织的影响,探讨了复合材料的凝固过程.结果表明,采用先浇注基体熔体、后放置骨架的复合工艺制备的复合材料组织比先放置骨架、后浇注熔体的复合材料均匀; SiC泡沫增强体... 研究了挤压铸造工艺参数和SiC泡沫增强体对ZL109铝合金基体凝固组织的影响,探讨了复合材料的凝固过程.结果表明,采用先浇注基体熔体、后放置骨架的复合工艺制备的复合材料组织比先放置骨架、后浇注熔体的复合材料均匀; SiC泡沫增强体降低了复合压力对基体组织的影响,使得提高复合压力虽然可以细化基体的组织,但效果不明显. SiC泡沫增强体对基体的晶粒尺寸没有明显的影响,但是改变了晶粒的形态.泡沫孔内的α-Al初晶表现为粗大的柱状晶,其方向垂直于泡沫增强体的筋.泡沫孔的尺寸越小,越容易形成枝晶组织,枝晶的方向性越强. SiC/ZL109铝合金双连续相复合材料基体凝固时, α-Al 首先在泡沫筋的附近形核,然后逐渐向泡沫孔的中心长大.α-Al枝晶形成轮廓以后,中心富硅区发生共晶反应,筋表面的共晶硅最后形成. 展开更多
关键词 SiC/ZL109铝合金双连续相复合材料 工艺参数 碳化硅泡沫 凝固过程
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表面活性剂对Ni-SiC复合镀层性能的影响 被引量:3
14
作者 吴向清 谢发勤 《材料保护》 CAS CSCD 北大核心 2009年第2期10-12,18,共4页
表面活性剂能改善复合镀层的性能,过去对离子型和非离子型表面活性剂影响复合镀层性能的研究报道不多。为此,利用电子探针分析仪、电化学分析方法以及摩擦磨损试验,系统地研究了表面活性剂对Ni-SiC复合镀层性能的影响。结果表明:非离子... 表面活性剂能改善复合镀层的性能,过去对离子型和非离子型表面活性剂影响复合镀层性能的研究报道不多。为此,利用电子探针分析仪、电化学分析方法以及摩擦磨损试验,系统地研究了表面活性剂对Ni-SiC复合镀层性能的影响。结果表明:非离子表面活性剂不易使微粒与基体金属发生共沉积,对沉积速度有一定的抑制作用;阳离子表面活性剂能够增加镀层中SiC粒子的含量,当浓度为0.12g/L时SiC粒子含量最高,随着镀层中SiC离子含量的增加镀层的硬度增加,耐磨性能提高,其中XCG阳离子表面活性剂效果最好;非离子表面活性剂与阳离子表面活性剂的协同作用,进一步促进了镀层中SiC微粒的共沉积,改善了复合镀层的性能。 展开更多
关键词 复合镀 Ni—SiC 表面活性剂 SiC共析 镀层性能
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射频共溅射SiC薄膜的制备和特性研究 被引量:6
15
作者 刘雪芹 龚恒翔 +3 位作者 杨映虎 甄聪棉 蒋钢娟 王印月 《兰州大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 1999年第4期38-43,共6页
用射频(RF)共溅射复合靶技术和N2 气保护下高温退火的后处理方法,在Si 衬底上制备出了碳化硅(SiC) 薄膜,通过傅里叶变换红外光谱(FTIR) 、室温光致发光谱(PL) 、电阻率—温度关系谱、X 射线光电子谱(XPS... 用射频(RF)共溅射复合靶技术和N2 气保护下高温退火的后处理方法,在Si 衬底上制备出了碳化硅(SiC) 薄膜,通过傅里叶变换红外光谱(FTIR) 、室温光致发光谱(PL) 、电阻率—温度关系谱、X 射线光电子谱(XPS)等测量手段,研究了淀积膜和不同温度退火薄膜的结构、电学和光致发光等性质.与采用SiC合金靶制备的薄膜作分析比较,结果表明,采用简单经济的复合靶共溅射方法,可以制备出性能较好的SiC薄膜;通过调整靶中Si,C比例并经高温退火后,有效地改善了薄膜的结构和性能. 展开更多
关键词 RF共溅射 碳化硅薄膜 制备 射频共溅射 半导体
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多层喷射共沉积法制备6066铝合金/SiC颗粒复合材料 被引量:20
16
作者 陈振华 张豪 +3 位作者 刘秋林 陈刚 孙章明 杨伏良 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 1996年第4期83-86,共4页
采用多层喷射共沉积工艺制备6066铝合金/15%SiC颗粒复合材料,得到了增强颗粒分布均匀、增强颗粒与基体界面洁净、基体冷凝速度高的沉积坯,沉积坯经挤压后进行T6状态处理,其力学性能为σb=640MPa,σ0.2=5... 采用多层喷射共沉积工艺制备6066铝合金/15%SiC颗粒复合材料,得到了增强颗粒分布均匀、增强颗粒与基体界面洁净、基体冷凝速度高的沉积坯,沉积坯经挤压后进行T6状态处理,其力学性能为σb=640MPa,σ0.2=510MPa,E=133GPa,δ=9.4%。 展开更多
关键词 6066铝合金 碳化硅颗粒 喷射沉积 复合材料
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磁控共溅射SiC纳米颗粒/SiO_2基质镶嵌结构薄膜材料的微结构和光致发光特性 被引量:1
17
作者 石礼伟 李玉国 +2 位作者 王强 薛成山 庄惠照 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第7期1073-1076,共4页
采用二氧化硅/碳化硅复合靶,用射频磁控共溅射技术和后高温退火的方法在Si(111)衬底上制备了碳化硅纳米颗粒/二氧化硅基质(nc-SiC/SiO2)镶嵌结构薄膜材料,用X射线衍射(XRD),傅里叶红外吸收(FTIR),扫描电子显微镜(SEM)和光致发光(PL)实... 采用二氧化硅/碳化硅复合靶,用射频磁控共溅射技术和后高温退火的方法在Si(111)衬底上制备了碳化硅纳米颗粒/二氧化硅基质(nc-SiC/SiO2)镶嵌结构薄膜材料,用X射线衍射(XRD),傅里叶红外吸收(FTIR),扫描电子显微镜(SEM)和光致发光(PL)实验分析了薄膜的微结构以及光致发光特性。结果表明:样品薄膜经高温退火后,部分无定形SiC发生晶化,形成β-SiC纳米颗粒而较均匀地镶嵌在SiO2基质中。以280nm波长光激发薄膜表面,有较强的365nm的紫外光发射以及458nm和490nm处的蓝光发射,其发光强度随退火温度的升高显著增强,发光归结为薄膜中与Si-O相关的缺陷形成的发光中心。 展开更多
关键词 磁控共溅射 SiC纳米颗粒 微观结构 光致发光
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高频脉冲复合电镀(Ni-Co)-SiC复合镀层的耐蚀性研究 被引量:3
18
作者 李岑 许韵华 《电镀与精饰》 CAS 北大核心 2010年第6期1-5,共5页
用高频脉冲复合电镀方法制备了(Ni-Co)-SiC复合镀层。研究了脉冲频率对镀层硬度及耐蚀性的影响。结果表明:随着脉冲频率的增加,复合镀层表面更加致密、均匀,硬度提高。在3.5%NaCl溶液和15%H2SO4溶液中,(Ni-Co)-SiC复合镀层的自腐蚀电位... 用高频脉冲复合电镀方法制备了(Ni-Co)-SiC复合镀层。研究了脉冲频率对镀层硬度及耐蚀性的影响。结果表明:随着脉冲频率的增加,复合镀层表面更加致密、均匀,硬度提高。在3.5%NaCl溶液和15%H2SO4溶液中,(Ni-Co)-SiC复合镀层的自腐蚀电位均发生正移,腐蚀质量损失速率变慢。与Ni-Co合金镀层相比,复合镀层具有较高的硬度和耐蚀性。 展开更多
关键词 高频脉冲电镀 (Ni—Co)-SiC复合镀层 耐蚀性 硬度
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SiC/YAG陶瓷复合粉体的烧结行为和力学性能 被引量:7
19
作者 张宁 茹红强 +1 位作者 孙旭东 吴进怡 《东北大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第7期667-670,共4页
研究了分别利用共沉淀法和机械混合法制备的两种SiC/ (Al2 O3 +Y2 O3 )复合粉体的烧结行为、力学性能、YAG分布及相组成·结果表明 ,共沉淀法制备的复合材料YAG相分散均匀、反应完全、烧结致密化温度比机械混合方法低约 10 0℃ ,并... 研究了分别利用共沉淀法和机械混合法制备的两种SiC/ (Al2 O3 +Y2 O3 )复合粉体的烧结行为、力学性能、YAG分布及相组成·结果表明 ,共沉淀法制备的复合材料YAG相分散均匀、反应完全、烧结致密化温度比机械混合方法低约 10 0℃ ,并具有较高的强度和相对体积质量·在175 0℃烧结 30min ,共沉淀法得到的SiC/YAG陶瓷相对体积质量为 98 8% ,抗弯强度为 5 5 3MPa ,硬度为 2 3 9GPa· 展开更多
关键词 复合粉体 共沉淀法 机械混合法 SiC/YAG陶瓷 力学性能 烧结行为
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化学镀Co-P-SiC复合薄膜性能的研究 被引量:1
20
作者 姜秀榕 李鑫海 +2 位作者 吴鹏 胡志彪 童长青 《电镀与环保》 CAS CSCD 北大核心 2018年第2期17-19,共3页
研究了SiC微粒的质量浓度对化学镀Co-P-SiC复合薄膜的厚度、硬度、表面形貌和磁性能的影响。研究发现:适当的SiC的质量浓度,有利于提高薄膜的沉积速率,细化表面颗粒,从而提高薄膜的硬度。当SiC的质量浓度大于16g/L时,大量悬浮的SiC微粒... 研究了SiC微粒的质量浓度对化学镀Co-P-SiC复合薄膜的厚度、硬度、表面形貌和磁性能的影响。研究发现:适当的SiC的质量浓度,有利于提高薄膜的沉积速率,细化表面颗粒,从而提高薄膜的硬度。当SiC的质量浓度大于16g/L时,大量悬浮的SiC微粒掩盖了基底的活性点,使得沉积速率和薄膜的硬度下降。当SiC的质量浓度为8g/L时,Co-P-SiC复合薄膜具有最佳的矫顽力和比饱和磁化强度。 展开更多
关键词 Co-P-SiC复合薄膜 化学镀 矫顽力
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