热处理及厚度对Co_(90)Fe_(10)薄膜磁电阻的影响

利用电子束真空蒸发方法制备了不同厚度的Co90Fe10磁性薄膜,研究了热处理及厚度对薄膜磁电阻的影响。利用四探针法测量了薄膜的磁电阻,利用磁力显微镜观察了薄膜的磁畴结构。结果表明:热处理可以提高薄膜的磁电阻,尤其是厚度较小的样品,效果更加明显。对于厚度较大的薄膜,热处理可以改善磁织构,磁畴分布更加有序,出现了类巨磁电阻特征。

[Co_(90)Fe_(10)/Pt]_(3)反常霍尔薄膜噪声研究

利用磁控溅射法制备[Co_(90)Fe_(10)(2.8Å)/Pt(12Å)]_(3)反常霍尔薄膜,分析了其噪声。反常霍尔薄膜低频噪声呈1/f^(2)形式,这可能与反常霍尔效应的机制有关。低频噪声与霍尔电压都能够反映薄膜内部的磁畴随外场的变化。霍尔电压的热噪声是由薄膜磁畴的分布决定的,低场下热噪声较小,有磁畴翻转或是巴克豪森跳跃时热噪声明显增大,热噪声达到最大值与霍尔电压达到极值不同步。

脉冲激光沉积法制备的Ge(S_(90)Se_(10))_2硫系薄膜中的光致漂白效应研究(英文)

运用激光脉冲沉积法(PLD)制备了Ge(S90Se10)2薄膜,通过运用紫外汞灯对制备的薄膜进行不同时间的辐照,我们确定了达到饱和状态所需要的辐照时间(90分钟)。当薄膜处于饱和状态时,巨大的光致漂白效应被观察到了(ΔE=0.36ev)。此外,在本文中,我们也对光致漂白效应的机理进行了阐述,一种新型的光电子材料被发现了。

非晶Fe_（90）Zr_（10）合金表面状态的研究

分别在大气和氩气保护条件下制备了非晶Ｆｅ９０Ｚｒ１０合金条带，采用ＡＥＳ和ＸＰＳ，并结合Ａｒ离子原位溅射剥层技术，分别研究了非晶Ｆｅ９０Ｚｒ１０合金条带自由侧和贴辊侧的表层成分分布及元素的化学状态。结果表明：大气中制备的条带自由侧存在Ｚｒ的偏聚；贴辊侧存在Ｆｅ的偏聚；Ｚｒ在表面以ＺｒＯｘ（１＜ｘ＜２）形式存在；Ｆｅ在自由侧和贴辊侧表面分别以Ｆｅ２Ｏ３和Ｆｅ３Ｏ４形式存在。氩气保护条件下制备的条带的两侧表面均被一层Ｆｅ３Ｏ４覆盖；Ｚｒ在次表层以ＺｒＯｘ（１＜Ｘ＜２）形式产生聚集。

(SrZrO_3)_(10)(SrTiO_3)_(90)缓冲层对PZT结晶及性能的影响

采用Sol-gel法制备了PbZr0.52Ti0.48O3(PZT)薄膜,并研究了(SrZrO3)10(SrTiO3)90((SZO)10(STO)90)缓冲层对PZT薄膜结晶和性能的影响。X射线衍射(XRD)结果表明:(SZO)10(STO)90缓冲层对PZT薄膜结晶有取向诱导作用,由(SZO)10(STO)90诱导的PZT薄膜有很强的(111)择优取向,缓冲层将PZT薄膜的取向度α由45.0%提高到了90.1%以上;PZT的(111)择优取向提高了薄膜的电性能,使剩余极化强度Pr从26.8μC/cm2增大到38.8μC/cm2。

脉冲激光沉积制备的Co_(80)Cr_(20)/Ti_(90)Cr_(10)薄膜的结构与磁性

用脉冲激光沉积(PLD)的方法在硅单晶基片上制备了Ti90Cr10和Co80Cr20/Ti90Cr10薄膜,用XRD研究了Ti90Cr10薄膜的晶体结构与制备温度的关系,结果表明随着温度升高,薄膜从非晶态逐步向晶态转化,并且计算了Ti90Cr10薄膜的晶粒大小以及晶格常数.利用透射电镜对Ti90Cr10薄膜进行了表面和截面形貌的表征.采用纳米压痕仪对Ti90Cr10薄膜的硬度和膜基界面结合力进行了分析,表明薄膜的硬度和膜基结合力随制备条件改变有所变化,制备温度增加,薄膜的硬度和膜基结合力随之增加.利用Ti90Cr10薄膜作为中间层,用PLD制备了Co80Cr20磁性层,获得了很好的垂直磁化性质,膜厚减小,矫顽力和矩形比有所增加,600℃真空条件下制备的Co80Cr20(8nm)/Ti90Cr10(14nm)薄膜的矫顽力为65·25kA/m,矩形比为0·86,并且讨论了Co80Cr20/Ti90Cr10薄膜的磁化性质.