An obvious weak localization correction to anomalous Hall conductance（AHC） in very thin CoFeB film is reported.We find that both the weak localization to AHC and the mechanism of the anomalous Hall effect are relate...An obvious weak localization correction to anomalous Hall conductance（AHC） in very thin CoFeB film is reported.We find that both the weak localization to AHC and the mechanism of the anomalous Hall effect are related to the CoFeB thickness.When the film is thicker than 3 nm,the side jump mechanism dominates and the weak locaUzation to AHC vanishes.For very thin CoFeB films,both the side jump and skew scattering mechanisms contribute to the anomalous Hall effect,and the weak localization correction to AHC is observed.展开更多
聚焦离子束系统(focus ion beam,FIB)作为一种成熟的材料加工技术,在磁性材料的加工中得到广泛应用。然而,在利用FIB对磁性材料的加工过程中,难免会因为离子的辐照对样品产生影响。本文以CoFeB薄膜为研究对象,研究辐照强度对样品磁性质...聚焦离子束系统(focus ion beam,FIB)作为一种成熟的材料加工技术,在磁性材料的加工中得到广泛应用。然而,在利用FIB对磁性材料的加工过程中,难免会因为离子的辐照对样品产生影响。本文以CoFeB薄膜为研究对象,研究辐照强度对样品磁性质的影响。对于利用离子束辐照来调控薄膜性质具有指导意义。展开更多
利用倾斜溅射的方法制备了非晶Co Fe B磁性薄膜,研究了倾斜溅射对非晶Co Fe B磁性薄膜条纹磁畴结构、面内静态磁各向异性、面内转动磁各向异性、垂直磁各向异性的影响规律。结果表明,倾斜溅射可以有效地降低Co Fe B非晶薄膜条纹磁畴结...利用倾斜溅射的方法制备了非晶Co Fe B磁性薄膜,研究了倾斜溅射对非晶Co Fe B磁性薄膜条纹磁畴结构、面内静态磁各向异性、面内转动磁各向异性、垂直磁各向异性的影响规律。结果表明,倾斜溅射可以有效地降低Co Fe B非晶薄膜条纹磁畴结构出现的临界厚度,无倾斜溅射时,Co Fe B薄膜出现条纹磁畴结构的临界厚度大于240 nm,倾斜溅射时,出现条纹磁畴结构的临界厚度小于240 nm。磁性测试结果表明,对于具有条纹磁畴结构的Co Fe B薄膜,倾斜溅射不仅可以提高磁性薄膜的面内静态磁各向异性的强度,同时还可以增强面内转动磁各向异性与垂直磁各向异性的强度。随着倾斜溅射角度的逐渐增大,磁各向异性的强度均呈现增大的趋势。XRD和TEM观测结果证明,Co Fe B薄膜趋于非晶结构,同时,SEM观察结果表明,Co Fe B薄膜虽然不存在长程有序的晶体结构,但依然可以形成柱状结构,由于倾斜溅射技术,形成的柱状结构呈倾斜状态,从而增强了薄膜的垂直磁各向异性,导致条纹磁畴结构的出现。展开更多
基金supported by the National Basic Research Program of China(Grant No.2012CB933102)the National Natural Science Foundation of China(Grant Nos.11079052,11174354,and 51172080)
文摘An obvious weak localization correction to anomalous Hall conductance（AHC） in very thin CoFeB film is reported.We find that both the weak localization to AHC and the mechanism of the anomalous Hall effect are related to the CoFeB thickness.When the film is thicker than 3 nm,the side jump mechanism dominates and the weak locaUzation to AHC vanishes.For very thin CoFeB films,both the side jump and skew scattering mechanisms contribute to the anomalous Hall effect,and the weak localization correction to AHC is observed.
文摘聚焦离子束系统(focus ion beam,FIB)作为一种成熟的材料加工技术,在磁性材料的加工中得到广泛应用。然而,在利用FIB对磁性材料的加工过程中,难免会因为离子的辐照对样品产生影响。本文以CoFeB薄膜为研究对象,研究辐照强度对样品磁性质的影响。对于利用离子束辐照来调控薄膜性质具有指导意义。
文摘利用倾斜溅射的方法制备了非晶Co Fe B磁性薄膜,研究了倾斜溅射对非晶Co Fe B磁性薄膜条纹磁畴结构、面内静态磁各向异性、面内转动磁各向异性、垂直磁各向异性的影响规律。结果表明,倾斜溅射可以有效地降低Co Fe B非晶薄膜条纹磁畴结构出现的临界厚度,无倾斜溅射时,Co Fe B薄膜出现条纹磁畴结构的临界厚度大于240 nm,倾斜溅射时,出现条纹磁畴结构的临界厚度小于240 nm。磁性测试结果表明,对于具有条纹磁畴结构的Co Fe B薄膜,倾斜溅射不仅可以提高磁性薄膜的面内静态磁各向异性的强度,同时还可以增强面内转动磁各向异性与垂直磁各向异性的强度。随着倾斜溅射角度的逐渐增大,磁各向异性的强度均呈现增大的趋势。XRD和TEM观测结果证明,Co Fe B薄膜趋于非晶结构,同时,SEM观察结果表明,Co Fe B薄膜虽然不存在长程有序的晶体结构,但依然可以形成柱状结构,由于倾斜溅射技术,形成的柱状结构呈倾斜状态,从而增强了薄膜的垂直磁各向异性,导致条纹磁畴结构的出现。
