纳米晶化对CoNbZr薄膜结构及阻抗的影响

采用独特的快速循环纳米晶化技术,对直流磁控溅射制备的非晶CoNbZr软磁膜,进行纳米晶化。研究了在不同的纳米晶化工艺条件下,薄膜的微观结构和阻抗性能。CoNbZr软磁薄膜晶粒细化到30nm,阻抗值从20Ω增加到100Ω(1400MHz),阻抗共振峰向低频移动200MHz左右,极大改善了薄膜的软磁性能。