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光沉积制备pSi@CoO_(x)高性能锂离子电池负极材料 被引量:3
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作者 龚俊捷 王建明 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2021年第10期1773-1781,共9页
选用微米级商业硅铝合金粉末作为原料,采用酸刻蚀、光沉积和后续的还原过程制备了 CoOx纳米片原位包覆的多孔硅复合材料。探究了不同光沉积时间对pSi@CoO_(x)材料形貌及其储锂性能的影响。CoOx纳米片的引入有效改善了材料的导电性并提... 选用微米级商业硅铝合金粉末作为原料,采用酸刻蚀、光沉积和后续的还原过程制备了 CoOx纳米片原位包覆的多孔硅复合材料。探究了不同光沉积时间对pSi@CoO_(x)材料形貌及其储锂性能的影响。CoOx纳米片的引入有效改善了材料的导电性并提高了材料的结构稳定性,即使在1 A·g^(-1)的电流密度下循环200圈后,pSi@CoO_(x)-5的比容量仍能保持774.2 mAh·g^(-1)。 展开更多
关键词 Si-Al合金 多孔硅 光沉积 coox纳米片 锂离子电池
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