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CoSi_2薄膜二维X射线衍射线形分析与表征 被引量：2
1
作者 姜传海 程凡雄 吴建生 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期487-490,共4页
利用二维X射线衍射线形分析方法,分析了CoSi2薄膜材料的二维衍射线形.结果表明,薄膜中不同方位的衍射线形存在明显差异,主要与材料中晶粒尺寸及显微畸变的空间分布有关,其中沿薄膜法线方向上的晶粒尺寸最大,同时该方向的显微畸变最小.
关键词 cosi2薄膜材料 二维X射线衍射 线形分析
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