MgO/Pd底层对CoSiB/Pd多层膜垂直磁各向异性及热稳定性的影响

采用磁控溅射方法在玻璃基片上制备以MgO/Pd为底层的CoSiB/Pd多层膜样品,研究MgO底层厚度t对CoSiB/Pd多层膜垂直磁各向异性(perpendicular magnetic anisotropy,PMA)的影响,分析具有MgO/Pd底层的多层膜的热稳定性。通过对样品的反常霍尔效应的测试分析发现,底层中引入MgO层能够提高其PMA性能,当t为3.5 nm时,样品的矩形度最好。对最佳样品MgO(3.5 nm)/Pd(3 nm)/[CoSiB(0.5 nm)/Pd(0.8 nm)]2/Ta(2 nm)的磁滞回线进行测试,其有效磁各向异性常数K eff达到2.0×10^5 J/m^3。热稳定性分析发现,当退火温度为200℃时,样品的K eff达到最大值2.6×10^5 J/m^3;当退火温度达到400℃时,样品仍能保持良好的PMA性能。

Co/Pd纳米多层膜的制备及其磁性能

以单晶Si（111）为基底，采用双槽法电结晶制备了Co／Pd纳米多层膜，使用电化学石英晶体微天平（EQCM）精确测定沉积过程中Co和Pd膜的质量随沉积时间的变化．通过电位阶跃法探讨了沉积层晶体成核机理，得到Co和Pd电结晶初期均为三维瞬时成核过程．X射线衍射（XRD）研究表明，Co和Pd的结晶与生长显示择优取向，出现了111c—Pd的合金峰．并用物性测量系统（PPMS）测试了Co／Pd多层膜的磁性能，所得磁滞回线表明：矫顽力随着多层膜磁性层厚度的减小而增大，可达到9.0×10^4A／m．

Co/Cr/Pd多层膜的磁性及其准确性

研究了测量程序对不同Cr层厚度的Co/Cr/Pd多层膜磁性的影响 ,分析了反磁化机理在不同测量程序中对磁性准确性的影响。

CoSiB/Pt多层膜垂直磁各向异性及热稳定性

采用磁控溅射方法在单面附有300 nm SiO_(2)的单晶硅基片上制备了以Pt为底层的CoSiB/Pt多层膜样品。CoSiB/Pt层周期数确定为2,对样品底层厚度及周期层厚度进行调制,根据反常霍尔效应系统地研究了CoSiB/Pt多层膜垂直磁各向异性(perpendicular magnetic anisotropy,PMA)及薄膜的热稳定性。通过对这些参数的调节获得了具有良好垂直磁各向异性的最佳多层膜样品结构Pt(1)/[CoSiB(0.5)/Pt(1)]_(2),底层Pt和周期层中CoSiB,Pt的最佳厚度分别为1,0.5 nm和1 nm。对最佳样品进行XRD图谱分析,磁滞回线测量以及一系列退火处理。结果表明,样品具有明显的(111)_(CoPt)衍射峰,形成了较好的(111)织构,界面耦合增强,结晶度较好,计算出样品的有效磁各向异性常数K_(eff)达到5.11×10^(4)J·m^(-3),样品具有良好的PMA;当退火温度为200℃时,样品的CoPt(111)峰强度显著增强,界面形成了较强的(111)织构,K_(eff)达到最大值1.0×10^(5)J·m^(-3),当退火温度不超过400℃时,样品仍能保持良好的PMA。多层膜样品结构Pt(1)/[CoSiB(0.5)/Pt(1)]_(2)具有良好的PMA和热稳定性,且合适的退火温度有利于提高样品的PMA。

基于PDS工艺的多频段手机天线设计

介绍了一种新型的天线加工工艺——印刷直接成型结构(PDS)工艺技术,即将导电银浆涂敷到工件表面,然后通过多层印刷银浆,以形成导电立体电路。根据这种加工工艺,设计了一种新型的多频段手机天线,并制作实物。该天线尺寸仅占31 mm×4 mm×1.5 mm,能够覆盖手机通信的频段有GPS、Wi Fi、Bluetooth。测试结果表明,在工作频段内,该天线的电压驻波比小于等于3:1,S11≤-6 d B,可应用于当下的手机天线设计。

安徽建筑工业学院校园网建设规划

安徽建筑工业学院校园网作为学院的基础设施 ,应遵循网络的设计原则。网络布线采用结构化布线 ,主干网选择快速以太网 ,网络系统应易于扩充、升级、管理和使用 。

CoSiB/Pd多层膜垂直各向异性及热稳定性的研究

采用磁控溅射方法在玻璃基片上制备了以Pd为底层的CoSiB／Pd多层膜样品，利用反常霍尔效应研究了多层膜垂直磁各向异性（perpendicular magnetic anisotropy，PMA）及薄膜的热稳定性。实验中改变了样品周期层中各层的厚度和周期数，结果表明这些变化对反常霍尔效应有着重要的影响。本实验通过对这些参数的调节获得了最佳多层膜样品结构Pd（3）／[CoSiB（0．5）／Pd（0．8）]2，周期层中CoSiB和Pd的最佳厚度分别为0．5和0．8BITI，最佳周期数为2。根据最佳样品的磁滞回线，计算得出该样品的有效各向异性常数Keff为9．0×10^4J·m^-3，说明样品具有良好的PMA性能。之后又对Pd（3）／[CoSiB（0．5）／Pd（0．8）]2进行了热稳定性分析，由于适当的退火有利于提高样品的结晶度，结果发现样品在200℃退火1h之后的KⅡ提高到了9．6××10^4J·m^-3，样品的PMA性能得到了进一步的提高。而退火温度超过300℃时，由于高温破坏了多层膜界面，导致其PMA明显变差。该样品的总厚度为5．6nm，完全满足制备垂直磁结构材料的厚度要求。这些特点使其有利于作为自由层应用到磁隧道结构中。

原位电阻法研究高温器件焊面多层金属膜间的扩散

采用原位电阻法测量了高温器件焊面多层金属膜Ａｕ／Ｔｉ，Ｐｄ／Ｔｉ在３００℃不同气氛下电阻随退火时间的变化．结果表明，３００℃退火时Ａｕ膜中存在Ｔｉ的扩散导致电阻显著增加，但电阻随时间变化与气氛的关系不大．电阻变化的规律基本符合一维有限厚无限大平面体扩散模型．空气中退火时电阻增加小于 Ａｒ气氛下退火电阻增加，可用 Ａｕ膜中 Ｔｉ扩散速率的差异来解释． Ｐｄ／Ｔｉ膜在 Ａｒ气氛下退火时电阻基本无变化，但空气中退火时因 Ｔｉ层部分氧化而导致膜的电阻少量增加（约 ３％）．

层层自组装聚烯丙胺盐酸盐/Pd纳米复合薄膜的制备及其电催化特性

利用层层静电自组装技术将聚烯丙胺盐酸盐(PAH)和四氯合钯酸根离子(24PdCl-)交替沉积在基底上,然后用硼氢化钠还原,构筑了含钯纳米粒子的PAH/Pd纳米复合薄膜.通过紫外-可见吸收光谱(UV-Vis)、扫描电子显微镜(FESEM),X射线光电子能谱(XPS)和循环伏安(CV)等手段对复合膜的组装、成分、微结构、表面形貌和光学性能进行了测试分析.FESEM图形显示膜表面有一定的粗糙度,膜上生成了粒径在50～100 nm范围的钯纳米粒子;UV-Vis结果显示多层膜在特征吸收峰处的吸光度数值随膜双层数增加逐渐增大,呈良好的线性关系,表明多层膜是均匀组装的;XPS结果证实了复合膜上有Pd生成,CV结果说明复合薄膜对尿酸的氧化具有较好的电催化活性,有望用于电化学传感器.

多层瓷介电容器绝缘特性RC的研究

采用N-沟道MOS场效应晶体管搭建电路,测得了多层瓷介电容器通过本身绝缘电阻放电的时间常数τ,对比了Ni和Pd/Ag内电极多层瓷介电容器的绝缘特性RC(绝缘电阻乘以电容量)指标,分析了Ni内电极绝缘特性较差的原因和潜在风险。结果表明:RC反映了介质材料的本身属性,代表电容器通过本身绝缘电阻放电的时间常数τ;Ni内电极的RC考核指标相对于Pd/Ag内电极从1 000 s降至100 s;Ni内电极多层瓷介电容器在高可靠长寿命电路使用时应提高其绝缘特性RC的考核指标。