一种新型低相位噪声低功耗Colpitts QVCO设计

设计了一种新型的低相位噪声低功耗Colpitts正交压控振荡器（QVCO）。此QVCO采用电流开关技术降低相位噪声,采用跨导增强技术改善核心电路的起振条件,并基于器件重用技术实现电路的反向注入锁定。提出的Colpitts QVCO比交叉耦合LC VCO的相位噪声更低,并且比传统QVCO的相位噪声、正交相位精度以及调谐范围的性能更优。最终基于0.18μm CMOS工艺流片实现的Colpitts QVCO在1.5 V工作电压下,功耗为0.9 m W,振荡频率为4.8-5.6 GHz,调谐范围高达15.4%,在中心振荡频率5.2 GHz处的相位噪声为-115.8 d Bc/Hz@1 MHz,正交相位误差为0.3°,此QVCO的芯片面积为0.5 mm×1 mm。