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X-ray detection based on complementary metal-oxide-semiconductor sensors
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作者 Qian-Qian Cheng Chun-Wang Ma +3 位作者 Yan-Zhong Yuan Fang Wang Fu Jin Xian-Feng Liu 《Nuclear Science and Techniques》 SCIE CAS CSCD 2019年第1期43-48,共6页
Complementary metal-oxide-semiconductor(CMOS) sensors can convert X-rays into detectable signals; therefore, they are powerful tools in X-ray detection applications. Herein, we explore the physics behind X-ray detecti... Complementary metal-oxide-semiconductor(CMOS) sensors can convert X-rays into detectable signals; therefore, they are powerful tools in X-ray detection applications. Herein, we explore the physics behind X-ray detection performed using CMOS sensors. X-ray measurements were obtained using a simulated positioner based on a CMOS sensor, while the X-ray energy was modified by changing the voltage, current, and radiation time. A monitoring control unit collected video data of the detected X-rays. The video images were framed and filtered to detect the effective pixel points(radiation spots).The histograms of the images prove there is a linear relationship between the pixel points and X-ray energy. The relationships between the image pixel points, voltage, and current were quantified, and the resultant correlations were observed to obey some physical laws. 展开更多
关键词 X-ray detection SIMULATED POSITIONER complementary metal-oxide-semiconductor sensor Effective PIXEL POINTS
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用于射频能量收集的低阈值CMOS整流电路设计
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作者 徐雷钧 孙鑫 +1 位作者 白雪 陈建锋 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第4期365-372,共8页
基于TSMC 180 nm工艺,设计了一款高效率低阈值整流电路。在传统差分输入交叉耦合整流电路的基础上,提出源极与衬底之间增加双PMOS对称辅助晶体管配合缓冲电容的改进结构,对整流晶体管进行阈值补偿。有效缓解了MOS管的衬底偏置效应,降低... 基于TSMC 180 nm工艺,设计了一款高效率低阈值整流电路。在传统差分输入交叉耦合整流电路的基础上,提出源极与衬底之间增加双PMOS对称辅助晶体管配合缓冲电容的改进结构,对整流晶体管进行阈值补偿。有效缓解了MOS管的衬底偏置效应,降低了整流电路的开启阈值电压,针对较低输入信号功率,提高了整流电路的功率转换效率(PCE)。同时将低阈值整流电路三级级联以提高输出电压。测试结果显示,在输入信号功率为-14 dBm@915 MHz时,三级级联低阈值整流电路实现了升压功能,能稳定输出1.2 V电压,峰值PCE约为71.32%。相较于传统结构,该低阈值整流电路更适合用于射频能量收集。 展开更多
关键词 互补金属氧化物半导体(cmos) 射频能量收集 低阈值电压 RF-DC整流电路 差分输入交叉耦合整流电路
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MEMS矢量水听器敏感结构的后CMOS释放工艺研究 被引量:1
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作者 谭皓宇 刘国昌 +3 位作者 张文栋 张国军 杨玉华 王任鑫 《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2024年第4期33-36,共4页
纤毛式微机电系统(MEMS)矢量水听器可探测水下质点振速等矢量信息,与互补金属氧化物半导体(CMOS)集成能够很大程度地提升其性能。针对纤毛式MEMS矢量水听器的CMOS集成提出了一种方案,该方案在MEMS后处理工艺中,利用侧墙保护和各向异性... 纤毛式微机电系统(MEMS)矢量水听器可探测水下质点振速等矢量信息,与互补金属氧化物半导体(CMOS)集成能够很大程度地提升其性能。针对纤毛式MEMS矢量水听器的CMOS集成提出了一种方案,该方案在MEMS后处理工艺中,利用侧墙保护和各向异性湿法腐蚀从正面释放水听器的十字梁敏感结构。整个后处理过程不需要光刻,降低加工难度的同时,保证了加工结构的精确性。设计出了一种验证性的工艺流程,具体分析了4种不同结构的湿法腐蚀过程。最终完成了这4种结构的工艺流片,对实验结果进行了分析。实验验证了该方案的可行性,为纤毛式MEMS矢量水听器的CMOS集成奠定了基础。 展开更多
关键词 矢量水听器 互补金属氧化物半导体集成 各向异性湿法腐蚀 侧墙保护 结构释放
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DESIGN AND IMPLEMENTATION OF CMOS IMAGE SENSOR
4
作者 Liu Yu Wang Guoyu 《Journal of Electronics(China)》 2007年第1期95-99,共5页
A single Complementary Metal Oxide Semiconductor (CMOS) image sensor based on 0.35μm process along with its design and implementation is introduced in this paper. The pixel ar-chitecture of Active Pixel Sensor (APS) ... A single Complementary Metal Oxide Semiconductor (CMOS) image sensor based on 0.35μm process along with its design and implementation is introduced in this paper. The pixel ar-chitecture of Active Pixel Sensor (APS) is used in the chip,which comprises a 256×256 pixel array together with column amplifiers,scan array circuits,series interface,control logic and Analog-Digital Converter (ADC). With the use of smart layout design,fill factor of pixel cell is 43%. Moreover,a new method of Dynamic Digital Double Sample (DDDS) which removes Fixed Pattern Noise (FPN) is used. The CMOS image sensor chip is implemented based on the 0.35μm process of chartered by Multi-Project Wafer (MPW). This chip performs well as expected. 展开更多
关键词 complementary metal oxide semiconductor cmos Active Pixel sensor (APS) Fill factor Dynamic Digital Double Sample (DDDS) Fixed Pattern Noise (FPN)
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基于0.18μm CMOS工艺的300GHz高响应度探测器
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作者 徐雷钧 汪附凯 +3 位作者 白雪 张子宇 赵心可 姜高峰 《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第5期408-413,442,共7页
基于0.18μm CMOS工艺设计了一种300 GHz高响应度探测器。该探测器集成了双馈差分天线和双场效应管(FET)对称差分自混频电路。双馈差分天线较单馈天线有更高的精确度及更优的抗干扰性。差分自混频电路能有效地抑制共模信号,减小噪声输... 基于0.18μm CMOS工艺设计了一种300 GHz高响应度探测器。该探测器集成了双馈差分天线和双场效应管(FET)对称差分自混频电路。双馈差分天线较单馈天线有更高的精确度及更优的抗干扰性。差分自混频电路能有效地抑制共模信号,减小噪声输入。双场效应管后增加一级放大电路,将自混频电路输出的微弱信号进一步放大以增大响应度。天线与电路间的匹配网络实现了信号的最大功率传输。在全波电磁场仿真软件HFSS下对双馈天线进行建模与仿真优化,并与电路进行联合仿真。结果显示探测器在栅源电压为0.43 V、输入功率为-40 dBm时,最大响应度为11.25 kV/W,最小噪声等效功率为115pW/√Hz。 展开更多
关键词 互补金属氧化物半导体(cmos) 高响应度 双馈差分天线 对称差分自混频电路 放大电路
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Analysis of proton and γ-ray radiation effects on CMOS active pixel sensors 被引量:4
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作者 马林东 李豫东 +7 位作者 郭旗 文林 周东 冯婕 刘元 曾骏哲 张翔 王田珲 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2017年第11期264-268,共5页
Radiation effects on complementary metal-oxide-semiconductor(CMOS) active pixel sensors(APS) induced by proton and γ-ray are presented. The samples are manufactured with the standards of 0.35 μm CMOS technology.... Radiation effects on complementary metal-oxide-semiconductor(CMOS) active pixel sensors(APS) induced by proton and γ-ray are presented. The samples are manufactured with the standards of 0.35 μm CMOS technology. Two samples have been irradiated un-biased by 23 MeV protons with fluences of 1.43 × 10^11 protons/cm^2 and 2.14 × 10^11 protons/cm-2,respectively, while another sample has been exposed un-biased to 65 krad(Si) ^60Co γ-ray. The influences of radiation on the dark current, fixed-pattern noise under illumination, quantum efficiency, and conversion gain of the samples are investigated. The dark current, which increases drastically, is obtained by the theory based on thermal generation and the trap induced upon the irradiation. Both γ-ray and proton irradiation increase the non-uniformity of the signal, but the nonuniformity induced by protons is even worse. The degradation mechanisms of CMOS APS image sensors are analyzed,especially for the interaction induced by proton displacement damage and total ion dose(TID) damage. 展开更多
关键词 complementary metal-oxide-semiconductorcmos active pixel sensor dark current fixedpattern noise quantum efficiency
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Path Recognition Algorithm of Tracking Robots Based on Image Sensor
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作者 韩华 曹志强 +2 位作者 胡一帆 方易圆 黄镇 《Journal of Donghua University(English Edition)》 EI CAS 2014年第2期137-140,共4页
Path recognition is an inevitable core technology in the development of tracking robot. In this paper,the path tracking system of tracking robot can be realized by image sensor module based on camera to obtain lane im... Path recognition is an inevitable core technology in the development of tracking robot. In this paper,the path tracking system of tracking robot can be realized by image sensor module based on camera to obtain lane image information,and then extract the path through visual servo. The whole system can be divided into seven modules: micro control unit( MCU) processor module,image acquisition module,debugging module,motor drive module,servo drive module,speed sensor module,and voltage conversion module.In image pre-processing part,there is an introduction of binarization processing and the median filtering to strengthen the image information. About recognition algorithm,three key variables which are changed in the movement state are discussed and there are also many auxiliary algorithms that help to improve the path recognition.The experiment can verify that the whole system can accurately abstract the black guide lines from the white track and make the robot moving fast and stable by following the road parameters and conditions. 展开更多
关键词 complementary metal oxide semiconductor(cmos) tracking robots path recognition BINARIZATION median filtering
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一种25Gbit/s CMOS判决反馈均衡器设计
8
作者 章飞洋 何进 《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第9期770-775,共6页
为满足高速光通信系统的应用,基于标准40 nm CMOS工艺设计了一款25 Gbit/s判决反馈均衡器(DFE)电路,采用半速率结构以降低反馈路径的时序要求。主体电路由加法器、D触发器、多路复用器和缓冲器组成,为了满足25 Gbit/s高速信号的工作需求... 为满足高速光通信系统的应用,基于标准40 nm CMOS工艺设计了一款25 Gbit/s判决反馈均衡器(DFE)电路,采用半速率结构以降低反馈路径的时序要求。主体电路由加法器、D触发器、多路复用器和缓冲器组成,为了满足25 Gbit/s高速信号的工作需求,采用电流模逻辑(CML)进行设计。经过版图设计和工艺角后仿验证,该DFE实现了在25 Gbit/s的速率下可靠工作,能提供10 dB的均衡增益,峰-峰差分输出电压摆幅约为950 mV,眼图的垂直和水平张开度均大于0.9 UI,输出抖动小于3 ps,在1.1 V的电源电压下功耗为12.5 mW,芯片版图的面积为0.633 mm×0.449 mm。 展开更多
关键词 光通信 判决反馈均衡器(DFE) 码间干扰 半速率 互补金属氧化物半导体(cmos)
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CMOS低功耗模拟电路设计
9
作者 任文凤 段昱臻 《通信电源技术》 2023年第6期1-3,共3页
探讨了低功耗设计在便携设备中的重要性,并结合互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)环形振荡器的设计从不同角度阐述低功耗设计的要点。首先,介绍了低功耗设计的概念、背景以及其在现代便携设备中的应... 探讨了低功耗设计在便携设备中的重要性,并结合互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)环形振荡器的设计从不同角度阐述低功耗设计的要点。首先,介绍了低功耗设计的概念、背景以及其在现代便携设备中的应用。其次,讨论了动态功耗和静态功耗对电路的影响,提出相应的解决方法和优化措施。再次,从工艺调整和设计方法2个角度,详细介绍低功耗设计的方法。最后,结合具体的CMOS环形振荡器设计,展示了低功耗设计的实际应用和优势,为便携设备的高效、可靠运行提供了理论基础和技术支持。 展开更多
关键词 低功耗设计 互补金属氧化物半导体(cmos) 环形振荡器
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CMOS传感器紫外敏化膜层的厚度优化及其光电性能测试 被引量:8
10
作者 刘琼 马守宝 +3 位作者 钱晓晨 阮俊 卢忠荣 陶春先 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第6期225-230,共6页
采用真空热阻蒸方式在CMOS图像传感器感光面上镀制不同厚度性比价高的Lumogen薄膜.研究发现不同Lumogen薄膜厚度的CMOS传感器的暗电流噪声未发生明显变化,说明真空热蒸发方式对互补金属氧化物半导体器件本身未造成热损伤;光响应非均匀... 采用真空热阻蒸方式在CMOS图像传感器感光面上镀制不同厚度性比价高的Lumogen薄膜.研究发现不同Lumogen薄膜厚度的CMOS传感器的暗电流噪声未发生明显变化,说明真空热蒸发方式对互补金属氧化物半导体器件本身未造成热损伤;光响应非均匀度随膜厚增加而增大;动态范围却随膜厚增加而减小;量子效率随膜厚增加呈现先增大后减小.同时,研究发现敏化膜层最佳厚度为389nm,此时CMOS传感器的量子效率提高了10%,且光响应非均匀度,动态范围均在相对较好的范围内. 展开更多
关键词 传感器技术 薄膜技术 紫外敏化 互补金属氧化物半导体传感器 荧光材料 量子效率 动态范围
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基于CMOS摄像头的智能车控制系统设计及实现 被引量:32
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作者 李旭东 廖中浩 孟娇 《吉林大学学报(信息科学版)》 CAS 2013年第4期414-418,共5页
针对智能车因单条引导线信息量少而引起的误识别问题,设计一种能自动识别和跟踪双边引导线的智能车系统。智能车以Freescale公司MC9S12XSl28作为核心控制器,利用COMS(Complementary Metal OxideSemiconductor)摄像头OV7620作为路径信息... 针对智能车因单条引导线信息量少而引起的误识别问题,设计一种能自动识别和跟踪双边引导线的智能车系统。智能车以Freescale公司MC9S12XSl28作为核心控制器,利用COMS(Complementary Metal OxideSemiconductor)摄像头OV7620作为路径信息采集装置,对采集图像进行二值化处理、去噪操作和边缘检测后提取路径信息、进而准确地判别跑道的形状,为舵机和电机提供控制依据,以使小车平稳快速地行驶。同时,提出将行驶状态与赛道信息综合考虑的措施,并通过PID(Proportional Integral Differential)控制策略以及实验测试,实现了对各种典型跑道的优化处理,使高速行进中的智能车具有良好的转向调节能力和加减速响应能力。智能车可以在以白色为底面颜色,两边有黑色引导线的跑道上运行,克服了因单条引导线信息量少而引起的误识别问题。 展开更多
关键词 cmos摄像头 智能车 图像处理 路径识别 PID控制
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一种改进型的CMOS电荷泵锁相环电路 被引量:7
12
作者 李演明 仝倩 +4 位作者 倪旭文 邱彦章 文常保 吴凯凯 柴红 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第4期248-253,共6页
设计了一种宽频率范围的CMOS锁相环(PLL)电路,通过提高电荷泵电路的电流镜镜像精度和增加开关噪声抵消电路,有效地改善了传统电路中由于电流失配、电荷共享、时钟馈通等导致的相位偏差问题。另外,设计了一种倍频控制单元,通过编程锁频... 设计了一种宽频率范围的CMOS锁相环(PLL)电路,通过提高电荷泵电路的电流镜镜像精度和增加开关噪声抵消电路,有效地改善了传统电路中由于电流失配、电荷共享、时钟馈通等导致的相位偏差问题。另外,设计了一种倍频控制单元,通过编程锁频倍数和压控振荡器延迟单元的跨导,有效扩展了锁相环的锁频范围。该电路基于Dongbu HiTek 0.18μm CMOS工艺设计,仿真结果表明,在1.8 V的工作电压下,电荷泵电路输出电压在0.25~1.5 V变化时,电荷泵的充放电电流一致性保持很好,在100 MHz^2.2 GHz的输出频率内,频率捕获时间小于2μs,稳态相对相位误差小于0.6%。 展开更多
关键词 锁相环 电荷泵 鉴频鉴相器 压控振荡器 互补金属氧化物半导体(cmos )
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CMOS图像传感器在太阳磁场观测中的应用研究 被引量:5
13
作者 段帷 宋谦 +5 位作者 白先勇 郭晶晶 冯志伟 邓元勇 林佳本 张建立 《天文学报》 CSCD 北大核心 2020年第4期43-52,共10页
磁场是太阳物理的第1观测量,当前太阳磁场观测研究正迈向大视场、高时空分辨率、高偏振测量精度以及空间观测的时代.中国首颗太阳观测卫星-先进天基太阳天文台(ASO-S)也配置了具有高时空分辨率、高磁场灵敏度的全日面矢量磁像仪(FMG)载... 磁场是太阳物理的第1观测量,当前太阳磁场观测研究正迈向大视场、高时空分辨率、高偏振测量精度以及空间观测的时代.中国首颗太阳观测卫星-先进天基太阳天文台(ASO-S)也配置了具有高时空分辨率、高磁场灵敏度的全日面矢量磁像仪(FMG)载荷,针对FMG载荷的需求,讨论了大面阵、高帧频互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)图像传感器应用于太阳磁场观测的可行性.首先,基于滤光器型太阳磁像仪观测的原理,比较分析了目前CMOS图像传感器(可用的或是可选的两种快门模式)的特点,指出全局快门类型更适合FMG;其次搭建了CMOS传感器实验室测试系统,测量了CMOS图像传感器的像素增益及其分布规律;最后在怀柔太阳观测基地的全日面太阳望远镜上开展了实测验证,获得预期成果.在这些研究基础上,形成了FMG载荷探测器选型方向. 展开更多
关键词 仪器:探测器 太阳:磁场 cmos图像传感器 全局快门 有效载荷:FMG 滤光器型太阳磁像仪
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基于CMOS SOI工艺的射频开关设计 被引量:7
14
作者 蒋东铭 陈新宇 +1 位作者 许正荣 张有涛 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2014年第2期142-145,162,共5页
采用0.18μm CMOS SOI工艺技术研制加工的单刀双掷射频开关,集成了开关电路、驱动器和静电保护电路。在DC^6GHz频带内,测得插入损耗0.7dB@2GHz、1dB@4GHz、1.5dB@6GHz,隔离度37dB@2GHz、31dB@4GHz、27dB@6GHz,在5GHz以内端口输入输出驻... 采用0.18μm CMOS SOI工艺技术研制加工的单刀双掷射频开关,集成了开关电路、驱动器和静电保护电路。在DC^6GHz频带内,测得插入损耗0.7dB@2GHz、1dB@4GHz、1.5dB@6GHz,隔离度37dB@2GHz、31dB@4GHz、27dB@6GHz,在5GHz以内端口输入输出驻波比≤1.5:1,输入功率1dB压缩点达到33dBm,IP3达到42dBm。可应用于移动通信系统。 展开更多
关键词 互补金属氧化物半导体 绝缘衬底上硅 射频开关 驱动器 集成
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CCD与CMOS像素传感器γ射线电离辐射响应特性对比研究 被引量:6
15
作者 徐守龙 邹树梁 +2 位作者 黄有骏 郭赞 匡雅 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第6期815-822,共8页
为了研究CCD与CMOS像素传感器对γ射线电离辐射的响应差异,对比研究了4类像素传感器的结构特点和辐射响应特性。通过辐射实验,对各传感器在不同辐射水平条件下的光子响应事件分布、平均灰度值以及典型光子响应事件进行研究。研究结果表... 为了研究CCD与CMOS像素传感器对γ射线电离辐射的响应差异,对比研究了4类像素传感器的结构特点和辐射响应特性。通过辐射实验,对各传感器在不同辐射水平条件下的光子响应事件分布、平均灰度值以及典型光子响应事件进行研究。研究结果表明:光子响应程度均与辐射剂量率相关;CCD像素传感器的沟道传输方式使每列像元间的辐射响应更容易相互干扰;平均灰度值随剂量率的增大存在明显的梯度,各积分周期内输出信号灰度值围绕均值上下波动,CCD像素传感器输出信号灰度浮动范围较小;CMOS像素传感器各像元对光子的响应更加明显,CCD像素传感器各像元的响应信号易与相邻像元发生串扰;各类像素传感器典型辐射响应事件区域中发生光子响应的像元数量随剂量率的增大而增多,响应事件并非单个光子的行为,而是反映了多个光子在区域内同时沉积能量的过程。本研究为开发像素传感器的γ射线辐射探测技术和应用提供了重要的理论分析和实验数据支撑。 展开更多
关键词 互补金属氧化物半导体 电荷耦合元件 像素传感器 光子电离辐射 辐射响应特性
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两通道按列输出CMOS图像的非均匀性及校正方法 被引量:6
16
作者 杨国鹏 周欣 +1 位作者 陈东 胡昌苗 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第8期2087-2093,共7页
为确保航空遥感图像产品相对辐射质量,提出了一种对两通道按列输出CMOS(互补金属氧化物半导体)图像的非均匀性进行校正的方法。以美国仙童公司CMOS探测器CIS2521F为例,通过实验室积分球观测试验研究了暗电流噪声、平均灰度、两通道输出... 为确保航空遥感图像产品相对辐射质量,提出了一种对两通道按列输出CMOS(互补金属氧化物半导体)图像的非均匀性进行校正的方法。以美国仙童公司CMOS探测器CIS2521F为例,通过实验室积分球观测试验研究了暗电流噪声、平均灰度、两通道输出等因素造成的图像非均匀性;然后,基于实验室积分球观测数据,采用两点线性法,校正了由按列放大输出导致的列状条带噪声;接着,通过优化拼接线附近图像灰度差异统计结果,校正了两通道响应不一致造成的图像辐射差异。试验表明,单通道图像非均匀校正使积分球观测图像的平均非均匀度量值由4.4下降至2.4,两通道图像非均匀校正消除了两通道图像的目视差异。原始航空遥感图像经过非均匀性校正后,图像灰度均匀,能够满足遥感图像判读要求。 展开更多
关键词 遥感图像 cmos 图像非均匀性 两通道输出 辐射校正
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无源温度标签中的超低功耗CMOS温度传感器设计 被引量:2
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作者 冯鹏 邓元明 +5 位作者 伯林 刘力源 于双铭 李贵柯 王开友 吴南健 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第8期572-578,602,共8页
设计了一种适用于无源超高频(UHF)温度标签的超低功耗CMOS温度传感器电路。该电路利用衬底pnp晶体管产生随温度变化的电压信号,同时采用了逐次逼近寄存器(SAR)转换和Σ-Δ调制相结合的模拟数字转换方式。为了降低电源电压波动以及... 设计了一种适用于无源超高频(UHF)温度标签的超低功耗CMOS温度传感器电路。该电路利用衬底pnp晶体管产生随温度变化的电压信号,同时采用了逐次逼近寄存器(SAR)转换和Σ-Δ调制相结合的模拟数字转换方式。为了降低电源电压波动以及采样电容电荷泄漏对传感器测温精度的不利影响,提出了一种具有漏电保护机制的采样电路。基于0.18μm CMOS工艺设计实现了该传感器的电路和版图,其中版图面积为550μm×450μm,并利用Cadence Spectre仿真工具对电路进行了仿真。仿真结果表明,在-40~125℃,传感器的系统误差为-1.4~2.0℃,测温分辨率达到0.02℃;在1.2~2.6 V电源电压内,传感器输出温度波动小于0.3℃;在1.2 V电源电压下传感器电路(不含控制逻辑及数字滤波器)的功耗仅为2.4μW。 展开更多
关键词 互补金属氧化物半导体(cmos) 温度传感器 超低功耗 无源 温度标签
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基于FPGA的实时CMOS视频图像预处理系统 被引量:6
18
作者 徐渊 周清海 +1 位作者 张智 朱明程 《深圳大学学报(理工版)》 EI CAS 北大核心 2013年第4期416-422,共7页
架构一种实时互补金属氧化物半导体(complementary metal oxide semiconductor,CMOS)视频图像预处理系统的FPGA实现,该系统实现了图像传感器预处理的关键部分即色彩插值与色彩校正两大模块.在色彩插值处理中,引入一种简捷且有效的边界... 架构一种实时互补金属氧化物半导体(complementary metal oxide semiconductor,CMOS)视频图像预处理系统的FPGA实现,该系统实现了图像传感器预处理的关键部分即色彩插值与色彩校正两大模块.在色彩插值处理中,引入一种简捷且有效的边界处理方法;色彩校正中,针对CMOS传感器的特点提出一种RGB空间校正矩阵的便捷生成方法,并在该预处理系统实现了包括自动白平衡、色差校正和伽马校正的功能.设计实现在Xilinx spartan6 LX45T FPGA上,处理速度达120.758 MHz,能实时处理标准高清720P@60fps和1080P@30fps视频图像. 展开更多
关键词 集成电路技术 数据收集和处理系统 互补金属氧化物半导体 大规模集成电路芯片 现场可编程门阵列 实时 图像预处理 伽马校正 白平衡
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CMOS图像传感器在航天遥感中的应用 被引量:19
19
作者 王军 李国宏 《航天返回与遥感》 2008年第2期42-47,共6页
文章对互补金属氧化物半导体(CMOS)传感器的应用情况进行了综述,对CMOS传感器的优缺点与CCD进行了比较。通过计算CMOS遥感器的理论信噪比,证明CMOS传感器能满足航天遥感应用。
关键词 互补金属氧化物半导体 图像传感器 信噪比 航天遥感
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典型CMOS器件总剂量加速试验方法验证 被引量:3
20
作者 罗尹虹 龚建成 +2 位作者 郭红霞 何宝平 张凤祁 《辐射研究与辐射工艺学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期241-245,共5页
应用美军标试验方法1019.5和1019.4分别对两种典型(ComplementaryMetal?Oxide?SemiconductorTransistor,CMOS)器件进行试验验证,论述了试验原理,对试验现象进行了详细的分析,了解实验室条件下评估空间氧化物陷阱电荷和界面陷阱电荷的可... 应用美军标试验方法1019.5和1019.4分别对两种典型(ComplementaryMetal?Oxide?SemiconductorTransistor,CMOS)器件进行试验验证,论述了试验原理,对试验现象进行了详细的分析,了解实验室条件下评估空间氧化物陷阱电荷和界面陷阱电荷的可行性和保守性。实验表明,两种不同工艺的CC4069器件没有通过1019.5所做出的试验验证,从实验现象观察认为是由于界面陷阱电荷大量建立所引起的。加固LC4007?RHANMOS却通过了与1019.5相比过分保守的1019.4的试验验证。 展开更多
关键词 美军标1019.5 互补型金属氧化物半导体器件 辐射效应评估
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