中高能电子电离He原子的二重微分截面

这篇文章用BBK和DS3C模型,计算了入射能为100,200,300,400和600 eV等中、高能情况下,电子入射电离He原子的二重微分截面(DDCS),给出了散射电子和敲出电子截面的角分布.散射电子和敲出电子的二重微分截面分别通过敲出电子和散射电子三重微分截面(TDCS)在全空间的角度积分而得到,所有的理论结果与有效的实验测量进行了比较.研究表明:除400和600 eV的高入射能之外,理论结果均能与绝对测量的实验结果较好的符合.

中高能电子散射全截面测量装置的设计

介绍了中高能电子散射全截面绝对测量装置的设计,采用直线透射技术.因采用了恒温控制作用室,以便较准确测量反应室的绝对气压值;同时采用静电型圆柱能量分析器,并用计数率测量模式代替通常的束流强度测量模式,从而可以大幅度减小接收立体角,抑制零度角的弹性散射贡献.通过以上几项措施,可以有效地提高测量的精度,从而可以对一些有意义的分子的中、高能电子散射全截面进行绝对测量.

计算中高能区电子与多原子分子散射总截面的经验公式

根据相关文献中实验测得的一些分子总截面与分子极化率的定量关系,利用分子的平均键长和极化率等参数拟合了一种计算中高能区电子与多原子分子散射总截面的经验公式,并对e-CH3Cl,e-CH2Cl2,e-CH3I和e-O3散射的总截面进行了计算,结果与文献中的实验结果较为吻合.

基于部件分解法的运载火箭RCS仿真计算方法

为估算运载火箭的RCS(Radar Cross Section,雷达散射截面积),采用部件分解法对运载火箭进行电磁散射几何建模,根据飞行过程中运载火箭和雷达的几何关系建立雷达照射目标视线角的计算模型,并运用高频散射理论提出运载火箭RCS的仿真计算方法;最后,对运载火箭的静态RCS和动态RCS进行仿真计算与分析。结果表明:对运载火箭电磁散射几何建模合理可行,提出的火箭RCS计算方法可以满足工程应用需要。采用该方法仅修改几何建模中的模型结构和部分尺寸参数即可方便计算不同型号运载火箭的RCS特性,可以为航天测控雷达系统设计和布站优化提供依据。

电子束曲面直写的Monte Carlo仿真与实验

电子束直写技术具有分辨率高、操作简单等优势,是制备微纳米曲面器件的一种理想工具。光刻胶的吸收能量沉积密度分布直接决定了直写后图形的精度和分辨率,由于曲面直写时吸收能量沉积密度分布非对称,因而现有的平面直写工艺不再适用于曲面直写。本文采用基于立方体计算微元的Monte Carlo方法计算不同直写参数变化下的吸收能量沉积密度分布。仿真结果表明:随着入射能量或入射角度的增加,直写点的椭圆度也在增加;而减小束斑和薄胶层可以提升曲面直写的分辨率。实验结果表明:在其他参数不变下,以入射能量(5、10、15 keV)和入射角度(5°、10°、15°)进行单一变量实验,直写点的长宽比分别为1.458、2.323、2.924和1.014、1.113、1.173。可以看出,入射能量对椭圆度地增加更为明显。实验与仿真有了较好地验证,本文结果为曲面直写工艺参数选择提供理论依据。

计算机模拟在高能背散射分析中的应用

系统总结了计算机模拟方法在高能背散射分析中的多种应用。通过应用测得的高能背散射截面数据，更新了ＲＵＭＰ程序的高能区数据库，将其扩展到高能背散射分析之中。文章除了通过实例阐明模拟方法的优势所在之外，还以４Ｈｅ－１２Ｃ背散射为例，说明了可以借助计算机模拟快速确定非卢瑟福背散射截面．