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微圆盘电极技术测定表面化学微加工时的约束刻蚀剂浓度分布
被引量:
3
1
作者
汤儆
马信洲
+5 位作者
何辉忠
张力
林密旋
曲东升
丁庆勇
孙立宁
《物理化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2006年第4期507-512,共6页
利用微圆盘电极技术,测定了KBr、L-胱氨酸和硫酸组成的刻蚀溶液体系中Pt电极表面电化学氧化产生的刻蚀剂Br2浓度分布,为约束刻蚀剂层技术(CELT)中刻蚀体系的选择和优化提供更直观的依据.GaAs表面CELT微加工实验证明了用微圆盘电极测得...
利用微圆盘电极技术,测定了KBr、L-胱氨酸和硫酸组成的刻蚀溶液体系中Pt电极表面电化学氧化产生的刻蚀剂Br2浓度分布,为约束刻蚀剂层技术(CELT)中刻蚀体系的选择和优化提供更直观的依据.GaAs表面CELT微加工实验证明了用微圆盘电极测得的表面刻蚀剂的浓度分布趋势与微加工实验所得到的结果一致.
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关键词
约束刻蚀剂层技术
微圆盘电极
L-胱氨酸
gaas
浓度分布
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职称材料
题名
微圆盘电极技术测定表面化学微加工时的约束刻蚀剂浓度分布
被引量:
3
1
作者
汤儆
马信洲
何辉忠
张力
林密旋
曲东升
丁庆勇
孙立宁
机构
厦门大学化学化工学院化学系
哈尔滨工业大学机器人研究所
出处
《物理化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2006年第4期507-512,共6页
基金
国家高新技术发展规划(863项目)(2002AA404170)
福建省自然科学基金计划资助项目(E0520001)
文摘
利用微圆盘电极技术,测定了KBr、L-胱氨酸和硫酸组成的刻蚀溶液体系中Pt电极表面电化学氧化产生的刻蚀剂Br2浓度分布,为约束刻蚀剂层技术(CELT)中刻蚀体系的选择和优化提供更直观的依据.GaAs表面CELT微加工实验证明了用微圆盘电极测得的表面刻蚀剂的浓度分布趋势与微加工实验所得到的结果一致.
关键词
约束刻蚀剂层技术
微圆盘电极
L-胱氨酸
gaas
浓度分布
Keywords
confined etchant layer technique (celt)
,
microelectrode
,
l-cystine
,
gaas
,
concentration profile
分类号
TG662 [金属学及工艺—金属切削加工及机床]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
微圆盘电极技术测定表面化学微加工时的约束刻蚀剂浓度分布
汤儆
马信洲
何辉忠
张力
林密旋
曲东升
丁庆勇
孙立宁
《物理化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2006
3
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