用Coulomb爆炸实测~4HeD^+的键长

用 1 46 8 0MeV4HeD+ 在超薄无衬碳膜中的Coulomb爆炸 ,获得4HeD+ 的键长实测值为 (0 0 97± 0 0 0 3)nm .讨论了4HeD+ 的形成机理 .介绍了 4HeD+ 原始束中D+ 3 污染的降低 ,及产物4He+ + 和D+ 高分辨能谱测量中的粒子鉴别方法等 .

飞秒激光辐射材料的Coulomb爆炸烧蚀理论模型研究

摒弃了离子静止假设和飞秒时间尺度内电子、离子的温度概念,以及基于电子、离子温度概念的双温模型,采用动力论的Vlasov方程描述电子、离子在飞秒时间尺度下非平衡态输运过程,建立了飞秒激光辐射材料的Coulomb爆炸微观烧蚀理论模型,并对其进行了数值模拟分析,在此基础上,定量分析了自洽电场导致的材料表面层Coulomb爆炸的机理及飞秒激光参数对材料表面烧蚀的影响,理论模型计算的烧蚀深度与实验吻合的较好,结果表明在绝缘体材料表面层产生的静电自洽电场强度远大于金属材料与半导体材料,绝缘体材料表层更易发生Coulomb爆炸烧蚀现象.