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Study on Lattice Parameter Variance and Eutectic Reaction during Crystal Growth of Nd,Cr∶GSGG by Czochralksi Method
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作者 Zhang Qingli Yin Shaotang +2 位作者 Sun Dunlu Shao Shufang Gu Changjiang 《Journal of Rare Earths》 SCIE EI CAS CSCD 2006年第z1期140-143,共4页
During the crystal growth of Nd,Cr∶GSGG by Czochralski method,in some cases eutectic reaction occurred in the nether region of the crystal,and the boule was divided into two obvious different parts,which is upper Nd... During the crystal growth of Nd,Cr∶GSGG by Czochralski method,in some cases eutectic reaction occurred in the nether region of the crystal,and the boule was divided into two obvious different parts,which is upper Nd,Cr∶GSGG crystal and the nether coexisting Nd,Cr∶GSGG and GdScO_(3).By X-ray powder diffraction,the structure change of NdCr∶GSGG crystal ofΦ27 mm×120 mm with eutectic along its grown direction<111>was studied.By the least square method and extrapolation function f=sinθ-sinθ^(1-t)(t is an adjustable parameter),the lattice parameters of Nd,Cr∶GSGG and additional GdScO_(3)phase were computed.The results indicate that the lattice parameters of Nd,Cr∶GSGG increase along its growth direction,which changes from a=(1.25650±0.00007)nm of the top to(1.25798±0.00010)nm of the bottom.In the process of Nd,Cr∶GSGG growth,Gd^(3+)in Nd,Cr∶GSGG is partly replaced by Nd^(3+)with larger ionic radii,and the volatilization of Ga component results in its composition variance,which cause the lattice parameters increase along growth direction.In the eutectic section,there are the Nd,Cr∶GSGG and the second phase orthorhombic GdScO_(3).The lattice parameters of GdScO_(3)are a=0.5443±0.0007,b=0.5699±0.0005 and c=(0.7865±0.0009)nm,and that of Nd,Cr∶GSGG is(1.25798±0.00010)nm.In the final growth stage,excessive volatilization of Ga composition during the crystal growth causes the growth melt deflect of the Nd,Cr∶GSGG solid solution range seriously,and results in the eutectic reaction,and the outgrowth of Nd,Cr∶GSGG and GdScO_(3).So it is necessary to decrease the effect of gallium volatilization during the growth in order to avoid eutectic growth and obtain a high-quality Nd,Cr∶GSGG. 展开更多
关键词 nd cr:gsgg eutectic growth lattice parameter X-ray diffraction
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退火对Nd,Cr:GSGG激光晶体吸收光谱的影响
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作者 孙敦陆 张庆礼 +1 位作者 江海河 殷绍唐 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第4期692-695,共4页
本文应用吸收光谱法,对提拉法生长的Nd,Cr:GSGG晶体在不同气氛下退火后的光谱变化进行了研究。氧化气氛下退火后的吸收光谱中,在1μm处出现了由于晶体中存在Cr4+离子所引起的两个吸收带,被称为1μm吸收损失。还原气氛(CO和H2)下退火后... 本文应用吸收光谱法,对提拉法生长的Nd,Cr:GSGG晶体在不同气氛下退火后的光谱变化进行了研究。氧化气氛下退火后的吸收光谱中,在1μm处出现了由于晶体中存在Cr4+离子所引起的两个吸收带,被称为1μm吸收损失。还原气氛(CO和H2)下退火后的吸收光谱中,在1μm处的吸收带基本消失,这对于提高激光效率是非常有利的。此外,在642nm处的吸收带强度有一定的减弱。这些数据对于晶体后处理工艺的改进和激光器设计具有重要的参考价值。 展开更多
关键词 nd cr:gsgg晶体 还原气氛 退火 吸收损失
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Nd,Cr∶GSGG激光棒在应用方面的研究 被引量:1
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作者 郭强 张少飞 王瑾 《光学技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第z1期146-147,共2页
实验通过对Nd,Cr∶GSGG激光棒在不同电压和泵浦脉冲宽度的条件下静态激光的输出能量及效率的分析。显示出Nd,Cr∶GSGG晶体拥有比YAG晶体更好的热力学性质,以及更高的转换效率。证明了它将在大功率激光器领域得到更广泛的应用。
关键词 nd cr gsgg激光器 静态激光
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Diode Pumped High Peak Power Quasi Q-Switched and Passively Q-Switched Nd:YVO<sub>4</sub>Lasers at 1064 nm and 532 nm using Cr:YAG and KTP crystals
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作者 Ashraf F. El-Sherif Mahmoud M. Talat 《Optics and Photonics Journal》 2013年第1期51-62,共12页
Diode end-pumped solid-state lasers have the potential to yield high quality laser beams with high efficiency for laser range finding and warning receiver applications as well as day and night military laser designati... Diode end-pumped solid-state lasers have the potential to yield high quality laser beams with high efficiency for laser range finding and warning receiver applications as well as day and night military laser designation systems. In this paper we presents theoretical calculations using Advanced Dynamics Professional LASCAD software and experimental studies for a high power pigtailed fiber diode laser module of 8 W operating at 808 nm with a specially designed high efficiency cooling system, end pumped high-efficiency Nd:YVO4 laser of 3 × 3 × 10 mm rod and overall cavity length of 44 mm. To the best of our knowledge a self Q-switching effects was generated in Nd:YVO4 laser by changing the cavity dimensions and the position of the intracavity KTP crystal at certain regime of operation for the first time, in which the cavity length is reduced to be 30 mm and the distance between Nd:YVO4 rod and KTP crystal is only 1mm. Self Q-switched laser pulse at 532 nm with high peak power of 96 W, pulse width of 88 ns at FWHM and repetition rate of 400 kHz was achieved. Experimental studies of a passive Q-switched Nd:YVO4 laser using Cr:YAG crystal with three different transmissions of 30%, 40% and 70% were investigated. Passive Q-switched laser pulse at 1064 nm and narrow line width of less than 1.5 nm with highest peak power of nearly 18 kW, short pulse width of less than 4 ns at FWHM and higher repetition rate of 45 kHz using Cr:YAG with transmission of 30% was achieved for the first time. 展开更多
关键词 High POWER Diode LASER High POWER nd:YVO4 LASER cr:YAG Saturable Absorber Mirror Passive Q-SWITCHING KTP crystal Self Q-SWITCHING Special Cooling System
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可调谐激光晶体Cr:GSGG的光谱分析及晶场参数计算 被引量:1
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作者 孙敦陆 张庆礼 +7 位作者 王召兵 苏静 张霞 邵淑芳 刘文鹏 谷长江 江海河 殷绍唐 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期114-118,共5页
用提拉法成功生长出了优质的Cr3^+:Gd,Sc2Ga2O12晶体,测定了室温下的吸收光谱和不同温度下的荧光光谱,计算了晶场参数,发现荧光峰值及晶场参数与以前文献报道的均不相同。吸收光谱中,在458.5nm和642.5nm出现了较强的宽带吸收... 用提拉法成功生长出了优质的Cr3^+:Gd,Sc2Ga2O12晶体,测定了室温下的吸收光谱和不同温度下的荧光光谱,计算了晶场参数,发现荧光峰值及晶场参数与以前文献报道的均不相同。吸收光谱中,在458.5nm和642.5nm出现了较强的宽带吸收峰,分别对应于Cr3^+的^4A2→^4T1和^4A2→^4T2孔的吸收跃迁,在678nm处又叠加了一个非常弱的吸收峰,对应于^4A2→^4T1的吸收跃迁。测试了晶体从7K到室温的荧光光谱和荧光寿命,在650~850nm范围内出现了宽带荧光,对应于Cr^3+的^4T2→^4A2的发射跃迁。随着温度的升高,荧光峰向长波方向移动,荧光峰半高宽增大,室温下其荧光峰值在732nm,半高宽约为80nm。低温(7K)下的荧光谱中,在694nm处观察到了尖而锐的R线(零声子线),对应于Cr^3+的^2E→^4A2的发射跃迁。由于温度猝灭效应,随着温度升高,晶体的荧光寿命降低,室温下荧光寿命约为114μs。计算了晶场强度参数Dq/B=2.49,^4T2零声子能级与^2E能级的间距AE为204cm^-1,这些参数表明Cr^3+处在较弱的晶场中,有利于^4T2→^4A2的宽带跃迁,Cr:GSGG晶体是较为理想的可调谐激光工作物质。 展开更多
关键词 cr:gsgg晶体 吸收光谱 荧光光谱 荧光寿命
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LD抽运Cr^(4+)∶YAG高重复率被动调QNd∶YVO_4激光器 被引量:7
6
作者 王加贤 庄鑫巍 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第4期494-498,共5页
采用Cr4+∶YAG晶体作为可饱和吸收体,实现连续激光二极管(LD)端面抽运的Nd∶YVO4激光器的高重复率被动调Q·在注入抽运功率为8.8W时,得到重复频率23.8kHz、平均功率1.21W的调Q脉冲序列;每个脉冲能量为51μJ、脉宽为25ns、峰值功率达... 采用Cr4+∶YAG晶体作为可饱和吸收体,实现连续激光二极管(LD)端面抽运的Nd∶YVO4激光器的高重复率被动调Q·在注入抽运功率为8.8W时,得到重复频率23.8kHz、平均功率1.21W的调Q脉冲序列;每个脉冲能量为51μJ、脉宽为25ns、峰值功率达到2.03kW·实验上研究了脉冲重复频率、平均输出功率、脉冲宽度、单脉冲能量与抽运功率、输出镜透过率的关系·实验结果表明,当抽运功率较大时,脉冲重复频率和输出平均功率随着抽运功率的增加而减小,对此进行了合理的理论解释· 展开更多
关键词 激光技术 激光二极管(LD)抽运 cr^4+ YAG晶体 nd:YVO4激光器 被动调Q
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自调Q激光晶体(Cr^(4+),Yb^(3+))∶YAG和(Cr^(4+),Nd^(3+))∶YAG的生长及其光谱特性研究 被引量:1
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作者 董俊 邓佩珍 +1 位作者 徐军 陈伟 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第S1期70-,共1页
本文报道了自调Q激光晶体 (Cr,Yb)∶YAG和 (Cr,Nd)∶YAG的生长及其在室温的吸收和荧光光谱特性 ,并且探索了合适的晶体生长工艺、退火工艺参数。在 (Cr,Nd)∶YAG晶体的室温吸收光谱中存在着如下的吸收峰 :在 0 .5 3μm、0 .5 9μm、0 .... 本文报道了自调Q激光晶体 (Cr,Yb)∶YAG和 (Cr,Nd)∶YAG的生长及其在室温的吸收和荧光光谱特性 ,并且探索了合适的晶体生长工艺、退火工艺参数。在 (Cr,Nd)∶YAG晶体的室温吸收光谱中存在着如下的吸收峰 :在 0 .5 3μm、0 .5 9μm、0 .75 μm、0 .81 μm、0 .88μm处存在着Nd3 +离子的吸收峰 ;在 0 .43μm和 0 .5 9μm处存在着Cr3 +离子的两个吸收峰 ;在 1 .0 6 4 μm附近有一Cr4+离子的吸收峰 ,可用作可饱和吸收体。 (Cr,Nd)∶YAG晶体的荧光光谱与Nd∶YAG晶体一样 ,发光中心位于 1 0 6 4nm处 ,而且已经实现了自调Q激光输出。与 (Cr,Nd)∶YAG晶体相比 ,在 (Cr,Yb)∶YAG晶体的室温吸收光谱中存在着类似的吸收带 :在 440nm和 6 0 5nm存在着Cr3 +离子的 2个吸收带 ,而且退火使其发生了明显的“红移” ;在 937nm和 96 8nm处存在着Yb3 +离子的 2个吸收带 ,能与InGaAs激光二极管 (LD)有效耦合 ,适合激光二极管泵浦 ;而且在1 .0 3μm处有一Cr4+离子的吸收峰 ,可用作可饱和吸收体。 (Cr,Yb)∶YAG晶体的荧光光谱与Yb∶YAG晶体一样 ,发光中心也是位于 1 0 2 9nm ,但其强度比Yb∶YAG晶体的要低 4倍。 (Cr,Yb)∶YAG晶体的荧光寿命为 0 .3ms。而且与 (Cr,Nd)∶YAG晶体相比 ,在 (Cr,Yb)∶YAG晶体中可以实现Yb3 展开更多
关键词 自调Q激光晶体 (cr Yb)∶YAG晶体 nd)∶YAG晶体 光谱性质
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Cr,Nd∶YAG晶体获得自调Q单纵模激光输出 被引量:1
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作者 董俊 邓佩珍 +3 位作者 张影华 刘玉璞 徐军 陈伟 《激光技术》 CAS CSCD 北大核心 2001年第3期203-205,共3页
用钛宝石激光器泵浦单块Cr4 +,Nd3+∶YAG晶体获得了 1.0 64μm的自调Q激光输出。激光输出的模式是稳定的单纵模 ,泵浦的阈值功率为 90mW ,脉冲宽度 (FWHM)为 12ns ,斜率效率高达 2 2 %。这种把激光增益介质和可饱和吸收体结合到一起的自... 用钛宝石激光器泵浦单块Cr4 +,Nd3+∶YAG晶体获得了 1.0 64μm的自调Q激光输出。激光输出的模式是稳定的单纵模 ,泵浦的阈值功率为 90mW ,脉冲宽度 (FWHM)为 12ns ,斜率效率高达 2 2 %。这种把激光增益介质和可饱和吸收体结合到一起的自调Q激光晶体的研究将有利于固体激光器的全固化。 展开更多
关键词 cr nd:YAG晶体 自调Q激光 单纵模 激光输出
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DPSS单频自调Q946nmNd^(3+),Cr^(4+)∶YAG微片激光器 被引量:1
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作者 杨林 王海林 +2 位作者 黄维玲 丘军林 刘百宁 《激光技术》 CAS CSCD 北大核心 2003年第4期282-284,共3页
报道了激光二极管泵浦的低阈值自调Q 946nmNd3 + ,Cr4 + ∶YAG微片激光器的实验研究。激光器实现稳定的单频、基横模和偏振输出 ,输出斜率效率达到 2 2 %。 946nm激光直接腔外倍频得到 473nm蓝光输出 ,光 光倍频转换效率达到 15 %。
关键词 激光二极管 自调Q 准3能级系统 nd cr∶YAG晶体
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钛宝石激光器泵浦(Cr^(4+),Nd^(3+))∶YAG晶体的自调Q激光器
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作者 董俊 邓佩珍 +3 位作者 张影华 刘玉璞 徐军 陈伟 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第6期557-559,共3页
用钛宝石激光器泵浦单块 (Cr4+ ,Nd3 + ∶YAG)晶体获得了1.0 6 4μm的自调Q激光输出 .激光输出的模式是稳定的单纵模 ,泵浦的阈值功率为 6 3mW ,脉冲宽度 (FWHM)为 8ns,斜率效率高达2 4% .随着泵浦功率的变化 ,脉冲宽度保持不变 ,而重... 用钛宝石激光器泵浦单块 (Cr4+ ,Nd3 + ∶YAG)晶体获得了1.0 6 4μm的自调Q激光输出 .激光输出的模式是稳定的单纵模 ,泵浦的阈值功率为 6 3mW ,脉冲宽度 (FWHM)为 8ns,斜率效率高达2 4% .随着泵浦功率的变化 ,脉冲宽度保持不变 ,而重复频率则在变化 .这种把激光增益介质和可饱和吸收体结合到一起的自调Q激光晶体的研究将有利于固体激光器的全固化、集成化和实用化 . 展开更多
关键词 钇铝石榴石晶体 自调Q激光 钛宝石 激光器泵浦
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Cr,Nd:GSAG晶体生长、光谱及LD泵浦激光性能研究 被引量:3
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作者 许晋瑞 张庆礼 +6 位作者 彭方 王小飞 窦仁勤 罗健乔 孙贵花 丁守军 孙敦陆 《人工晶体学报》 CSCD 北大核心 2017年第9期1653-1659,共7页
Cr,Nd:GSAG是一种性能优良的激光晶体,但是关于它的LD泵浦激光性能的研究很少。用提拉法生长了Cr,Nd:GSAG晶体,测定了它的化学成分、结构,初步测试了它的激光性能。晶体的(111)面X射线摇摆曲线半高全宽为0.055°。采用Rietveld方法... Cr,Nd:GSAG是一种性能优良的激光晶体,但是关于它的LD泵浦激光性能的研究很少。用提拉法生长了Cr,Nd:GSAG晶体,测定了它的化学成分、结构,初步测试了它的激光性能。晶体的(111)面X射线摇摆曲线半高全宽为0.055°。采用Rietveld方法精修X射线粉末衍射谱得到了Cr,Nd:GSAG晶体的原子结构参数、温度因子等。Cr,Nd:GSAG的最强吸收峰位于808.6 nm处,吸收截面为3.38×10-20cm2。808 nm光激发下,Cr,Nd:GSAG的最强发射峰位于1060 nm,发射截面为6.04×10-20cm2,并测得激光上能级4F3/2的荧光寿命为274μs。利用808nm连续波LD泵浦实现了1060 nm的激光输出,在输入功率为8.88 W时,最大输出功率为0.513 W,斜效率为6.73%,光-光转换效率为5.78%。此外还讨论了Cr,Nd:GSAG晶体中的Cr^(3+)与Nd^(3+)之间的能量传递机理。 展开更多
关键词 cr nd∶GSAG晶体 光谱 LD泵浦
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Cr∶Nd∶YCa_4O(BO_3)_3光谱参数的计算
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作者 郭明 魏景谦 +5 位作者 田丽莉 宫波 夏海瑞 胡晓波 刘耀岗 王继扬 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第1期59-63,共5页
采用Czochralski法生长了透明均匀的Cr∶Nd∶YCaO(BO3) 3晶体 ,生长的晶体尺寸为4 2 .5×50mm ,生长参数为提拉速度为 0 .6mm/h ,转速为 2 5r/min。测定了其室温吸收谱。根据Judd -Ofelt理论拟合了Nd3+ 离子的强度参数Ωλ:Ω2 =0... 采用Czochralski法生长了透明均匀的Cr∶Nd∶YCaO(BO3) 3晶体 ,生长的晶体尺寸为4 2 .5×50mm ,生长参数为提拉速度为 0 .6mm/h ,转速为 2 5r/min。测定了其室温吸收谱。根据Judd -Ofelt理论拟合了Nd3+ 离子的强度参数Ωλ:Ω2 =0 .734× 10 - 2 0 ,Ω4 =6 .814× 10 - 2 0 ,Ω6 =2 .4 76× 10 - 2 0 ;并计算了各能级跃迁的自发辐射跃迁几率、辐射寿命、荧光分支比。其中4 F3/2 能级的寿命τtot=2 71.6 4 μs,4 F3/2 →4 I9/2 的荧光分支比 βc=58.0 1%。并对实验结果进行了讨论。 展开更多
关键词 光谱 晶体生长 激光自倍频晶体 硼酸钙氧钇晶体
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Diode end-pumped self-Q-switched and mode-locked Nd,Cr:YAG /KTP green laser 被引量:2
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作者 杜仕峰 王素梅 +5 位作者 张东香 冯宝华 张春雨 张玲 张治国 张世文 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2006年第7期1522-1525,共4页
We first experimentally demonstrate a laser-diode end-pumped self-Q-switched and mode-locked Nd,Cr:YAG green laser with a KTP crystal as the intra-cavity frequency doubler. The device produces an average output power... We first experimentally demonstrate a laser-diode end-pumped self-Q-switched and mode-locked Nd,Cr:YAG green laser with a KTP crystal as the intra-cavity frequency doubler. The device produces an average output power of 680 mW at 532 nm. The corresponding pulse width of the Q-switched envelope of the green laser is 170 + 20 ns. The mode-locked pulses have a repetition rate of approximately 183 MHz and the average pulse duration is estimated to be around sub-nanosecond. It is found that the intra-cavity frequency doubling greatly improves the modulation depth and stability of the mode-locked pulses within the Q-switched envelope. 展开更多
关键词 frequency doubling nd cr:YAG crystal self-Q-switched and mode-locked pulses green laser
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Spectroscopic investigations of Gd_3Sc_2Ga_3O_(12) garnet doped with Cr^(3+) and Nd^(3+) ions
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作者 K.Lemański P.J.Dereń +1 位作者 A.Gagor W.Strek 《Journal of Rare Earths》 SCIE EI CAS CSCD 2009年第4期560-563,共4页
Absorption, excitation and emission spectra as well as decay time measurements at 10, 77, and 300 K were perfumed for Gd3Sc2Ga3O12 garnet single-crystal doped with Cr^3+ and Nd^3+ ions. Strong reabsorption of Cr3+ ... Absorption, excitation and emission spectra as well as decay time measurements at 10, 77, and 300 K were perfumed for Gd3Sc2Ga3O12 garnet single-crystal doped with Cr^3+ and Nd^3+ ions. Strong reabsorption of Cr3+ emission by Nd3+ absorption lines was ob- served. The assignments of f-f and d-d transitions were proposed. The broad emission band of chromium ions is an indication that weak/intermediate crystal field strength is present at the Cr3+ site. 展开更多
关键词 Gd3Sc2Ga3O12 crystal REABSORPTION cr nd rare earths
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LD抽运的Nd∶YVO_4激光器的被动调Q运转 被引量:1
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作者 吴丽双 王加贤 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2007年第3期223-226,共4页
采用Cr4+∶YAG晶体作为可饱和吸收体,实现激光二极管(LD)端面抽运的Nd∶YVO4激光器的被动调Q运转。当12.8W的LD连续抽运时,获得平均功率1.28W、重复频率40kHz、脉冲时间宽度24ns、峰值功率达1.33kW的稳定脉冲序列;当LD单次脉冲抽运时,在... 采用Cr4+∶YAG晶体作为可饱和吸收体,实现激光二极管(LD)端面抽运的Nd∶YVO4激光器的被动调Q运转。当12.8W的LD连续抽运时,获得平均功率1.28W、重复频率40kHz、脉冲时间宽度24ns、峰值功率达1.33kW的稳定脉冲序列;当LD单次脉冲抽运时,在34mJ的抽运能量下,获得能量为0.48mJ、脉宽34ns的调Q脉冲。实验上研究了抽运功率或能量、输出镜透过率对Nd∶YVO4激光器输出的影响,并给出了合理的理论解释。 展开更多
关键词 LD抽运 nd:YVO4激光器 cr^4+:YAG晶体 被动调Q
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Cr∶Nd∶GSGG晶体1.061μm受激发射截面随温度变化特性研究
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作者 赵圣之 陈磊 +4 位作者 郑加安 张路 张福军 Alexandra Rapaport Michael Bass 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第7期884-886,共3页
测量了Cr∶Nd∶GSGG晶体从 - 70℃到 +80℃温度下的荧光发射光谱和荧光寿命 ,计算了该晶体在不同温度下 1 .0 61 μm受激发射截面 。
关键词 cr:nd:gsgg晶体 受激发射截面 温度 荧光发射光谱 荧光寿命 线性变化关系 激光晶体 激光器
原文传递
高比输出能量的GSGG:Cr,Nd激光器
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作者 晴天 《国外激光》 CSCD 1990年第10期16-18,共3页
工作粒子作用分离的方法在激光物理学中非常有成效。在研制铬和钕激活的钪石榴石为基础的高效脉冲钕激光器方面取得一定成就。铬离子的掺入颇大地增加了介质的吸收率,同时铬吸收带的能量完全和高速度地转移到钕的上能级,与 YAG:Nd 激光... 工作粒子作用分离的方法在激光物理学中非常有成效。在研制铬和钕激活的钪石榴石为基础的高效脉冲钕激光器方面取得一定成就。铬离子的掺入颇大地增加了介质的吸收率,同时铬吸收带的能量完全和高速度地转移到钕的上能级,与 YAG:Nd 激光器相比,其效率会增加到2~3倍。表1列出许多激光晶体在灰光谱光源的400~750nm 泵浦光谱区的平均吸收率。吸收带的扩宽不仅导致效率增大,还会提高激活介质中的释热。这种效应的增强。会引起双折射,产生热透镜作用。 展开更多
关键词 激光器 晶体激光器 gsgg cr nd
原文传递
LD抽运Cr^4+,Nd^3+:YAG晶体获得1.4W自调Q激光输出 被引量:9
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作者 陈伟 徐军 +4 位作者 陆雨田 董俊 刘玉璞 邓佩珍 张影华 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第6期484-486,共3页
用激光二极管(LD)抽运Cr4+,Nd3+∶YAG晶体获得了1.064 μm的自调Q激光输出.激光输出模式为稳定的单纵模,抽运阈值功率为3.5 W,脉冲宽度为50 ns,斜率效率高达20%.当输入的抽运功率为10.8 W时,获得了1.46 W的自调Q激光输出.随着抽运功率... 用激光二极管(LD)抽运Cr4+,Nd3+∶YAG晶体获得了1.064 μm的自调Q激光输出.激光输出模式为稳定的单纵模,抽运阈值功率为3.5 W,脉冲宽度为50 ns,斜率效率高达20%.当输入的抽运功率为10.8 W时,获得了1.46 W的自调Q激光输出.随着抽运功率的变化,脉冲宽度基本上保持不变,而重复率则在变化. 展开更多
关键词 激光二极管 nd:YAG晶体 自调Q激光 抽运
原文传递
新型钒酸盐混晶Nd∶Gd_(0.42)Y_(0.58)VO_4/Cr^(4+)∶YAG被动调Q锁模特性研究 被引量:8
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作者 卓壮 姜其畅 +2 位作者 苏艳丽 李涛 李健 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第10期1429-1432,共4页
研究了Nd∶Gd0.42Y0.58VO4混晶的激光运转特性。采用Cr4+∶YAG晶体作为被动可饱和吸收体,实现了Nd∶Gd0.42Y0.58VO4混晶的调Q锁模激光运转。实验测量了不同Cr4+∶YAG初始透过率情况下激光器的输出特性。在Cr4+∶YAG初始透过率T0=86.3%,... 研究了Nd∶Gd0.42Y0.58VO4混晶的激光运转特性。采用Cr4+∶YAG晶体作为被动可饱和吸收体,实现了Nd∶Gd0.42Y0.58VO4混晶的调Q锁模激光运转。实验测量了不同Cr4+∶YAG初始透过率情况下激光器的输出特性。在Cr4+∶YAG初始透过率T0=86.3%,输出镜透过率T=10%时,调Q锁模运转阈值为2.8 W,随着抽运功率的增加,调制深度逐渐加大。采用透过率T=20%的输出镜,注入抽运功率10.3 W时,调Q锁模深度约为70%,相应的脉冲包络重复频率为40 kHz,半高宽度为25 ns,平均输出功率为2.58 W,光-光转换效率为25%。 展开更多
关键词 材料 nd:Gd0.42 Y0.58 VO4混晶 cr^4+:YAG晶体 调Q锁模 半导体激光抽运
原文传递
激光二极管抽运Cr^4+:Nd^3+:YAG自锁模自调Q激光器 被引量:4
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作者 张海鹍 陈秀峰 +4 位作者 王培吉 张中士 赵圣之 杨克建 相方超 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第3期738-742,共5页
采用光纤耦合半导体激光抽运,实现了Cr^(4+):Nd^(3+):YAG自锁模白调Q激光器1.06μm激光输出。当抽运功率超过阈值2.83 W时,激光器便运转在调Q锁模状态,其锁模调制深度达到80%以上。当抽运功率最大为5.72 W时,平均输出功率为233 mW,相应... 采用光纤耦合半导体激光抽运,实现了Cr^(4+):Nd^(3+):YAG自锁模白调Q激光器1.06μm激光输出。当抽运功率超过阈值2.83 W时,激光器便运转在调Q锁模状态,其锁模调制深度达到80%以上。当抽运功率最大为5.72 W时,平均输出功率为233 mW,相应调Q包络的单脉冲能量为16.5μJ,调Q包络的脉冲宽度大约为120 ns。调Q包络中锁模脉冲之间的间隔为2.8 ns,这与光子在谐振腔内的往返时间相一致,对应的重复率为357 MHz,锁模脉冲宽度估计为560 ps。利用双曲正割函数,考虑腔内光子数密度的空间高斯分布、增益介质的受激辐射寿命和饱和吸收体的激发态寿命对激光特性的影响,建立了描述Cr^(4+):Nd^(3+):YAG晶体自调Q自锁模动力学过程的速率方程组。数值求解该方程组,与实验结果符合较好。 展开更多
关键词 激光器 自锁模 自调Q cr^4+:nd^3+:YAG晶体 速率方程
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