SmCo/Cr薄膜中Cr底层最佳溅射条件的正交设计研究

在SmCo/Cr薄膜中,Cr底层的取向结构对薄膜的磁学性能有很大的影响。设计了4因素3水平的正交实验L9(34),并通过数理统计的方法分析了Cr底层的溅射参数对SmCo/Cr薄膜矫顽力的影响。用较少的实验得到Cr底层的最佳实验条件:靶基距为4cm,功率为50W,溅射气压为0.5Pa,溅射时间为9min。并发现了靶基距、功率和溅射气压对薄膜矫顽力的影响较大,其中靶基距是薄膜矫顽力最主要的控制因素。而溅射时间在所取的水平上对薄膜矫顽力的影响最小。本实验设计可达到95%的置信度。

本底真空度对磁控溅射Cr/C镀层微观形貌及结合强度的影响

采用闭合场非平衡磁控溅射离子镀技术于不同本底真空度下制备了Cr/C镀层。利用TEM、划痕仪分析了不同真空度下镀层微观截面形貌与结合强度的变化。结果表明,随本底真空度的降低,Cr/C镀层中物理混合界面层和Cr金属打底层的厚度显著减小;镀层结合强度随本底真空度的降低显著下降,物理混合界面层、Cr金属打底层厚度的减小以及镀层表面孔洞等缺陷增多、致密度变差等共同导致了其结合强度的下降。