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Bi_(2)(Se_(0.53)Te_(0.47))_(3)纳米线的制备及其圆偏振光致电流效应
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作者 冯世尊 俞金玲 《福州大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2024年第1期14-19,共6页
采用化学气相沉积法制备Bi_(2)(Se_(0.53)Te_(0.47))_(3)纳米线,利用扫描电子显微镜和X射线能谱仪对其进行表征,并研究样品的圆偏振光致电流效应(circular photogalvanic effect, CPGE).利用1 064 nm激光激发,分别测试激光入射面垂直于... 采用化学气相沉积法制备Bi_(2)(Se_(0.53)Te_(0.47))_(3)纳米线,利用扫描电子显微镜和X射线能谱仪对其进行表征,并研究样品的圆偏振光致电流效应(circular photogalvanic effect, CPGE).利用1 064 nm激光激发,分别测试激光入射面垂直于纳米线和平行于纳米线时的CPGE电流.实验结果表明,测得的CPGE电流主要来自纳米线的拓扑表面态.激光垂直入射纳米线时的CPGE电流不为0,说明CPGE电流来源于纳米线能带的六角翘曲效应.本研究测得的Bi_(2)(Se_(0.53)Te_(0.47))_(3)纳米线的CPGE电流比文献报导的Bi2(Te0.23Se0.77)3纳米线增大2倍以上,这是因为Te组分的增加不但使得费米能级更加靠近狄拉克点,还降低了纳米线中载流子复合的概率,二者共同作用,使得CPGE电流增大. 展开更多
关键词 Bi_(2)(se_(0.53)Te_(0.47))_(3)纳米线 拓扑绝缘体 化学气相沉积 圆偏振光致电流效应
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基于形变势理论的掺杂计算Sb_(2)Se_(3)空穴迁移率
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作者 张冷 张鹏展 +4 位作者 刘飞 李方政 罗毅 侯纪伟 吴孔平 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第4期256-262,共7页
硒化锑(Sb_(2)Se_(3))是一种元素丰富、经济且无毒的太阳电池吸收层材料.太阳电池的性能在很大程度上取决于载流子的传输特性,然而在Sb_(2)Se_(3)中,这些特性尚未得到很好的理解.通过密度泛函理论和形变势理论,本文对纯Sb_(2)Se_(3)以... 硒化锑(Sb_(2)Se_(3))是一种元素丰富、经济且无毒的太阳电池吸收层材料.太阳电池的性能在很大程度上取决于载流子的传输特性,然而在Sb_(2)Se_(3)中,这些特性尚未得到很好的理解.通过密度泛函理论和形变势理论,本文对纯Sb_(2)Se_(3)以及掺杂了As,Bi的Sb_(2)Se_(3)的空穴传输特性进行研究,计算并分析了影响迁移率的3个关键参数:有效质量、形变势和弹性常数.结果显示,有效质量对迁移率具有最大影响,掺杂Bi的Sb_(2)Se_(3)表现出最高的平均迁移率.同时发现,Sb_(2)Se_(3)的空穴迁移率呈现出明显的各向异性,其中x方向的迁移率远高于y,z方向,这应该与x方向的原子主要以较强的共价键连接,而y,z方向以较弱的范德瓦耳斯力连接有关.载流子传输能力强的方向有助于有效传输和收集光生载流子,本研究从理论上强调了控制Sb_(2)Se_(3)沿特定方向生长的重要性. 展开更多
关键词 Sb_(2)se_(3) 迁移率 形变势 掺杂
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单轴应变对Sb_(2)Se_(3)空穴迁移率的影响
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作者 张冷 沈宇皓 +4 位作者 汤朝阳 吴孔平 张鹏展 刘飞 侯纪伟 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第11期280-287,共8页
硒化锑(Sb_(2)Se_(3))是一种物相简单、元素丰富、经济友好的太阳电池吸收层材料,具有广阔的应用前景.然而,Sb_(2)Se_(3)较弱的导电性成为了限制电池器件性能的重要因素.迁移率是材料与器件的重要电学参数,应变可以改变载流子迁移率,因... 硒化锑(Sb_(2)Se_(3))是一种物相简单、元素丰富、经济友好的太阳电池吸收层材料,具有广阔的应用前景.然而,Sb_(2)Se_(3)较弱的导电性成为了限制电池器件性能的重要因素.迁移率是材料与器件的重要电学参数,应变可以改变载流子迁移率,因此,研究应变对Sb_(2)Se_(3)的载流子迁移率特性影响具有实际意义.本文通过密度泛函理论和形变势理论,系统研究了单轴应变对Sb_(2)Se_(3)能带结构、禁带宽度、等能面、有效质量的影响,分析了沿着x,y,z方向的三种单轴应变对载流子沿着x,y,z方向的迁移率μx,μy,μz的影响.研究发现,对于无应变的Sb_(2)Se_(3),μx远大于μy和μz,实验上应该将x方向作为Sb_(2)Se_(3)的特定生长方向(即内建电场方向).综合应变对带隙、等能面、分态密度及迁移率的影响,本研究认为当应变沿着y轴方向,且压应变为3%的时候,能获得最佳性能的Sb_(2)Se_(3)太阳电池吸收层材料. 展开更多
关键词 Sb_(2)se_(3) 迁移率 形变势 应变工程
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Interface optimization and defects suppression via Na F introduction enable efficient flexible Sb_(2)Se_(3) thin-film solar cells
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作者 Mingdong Chen Muhammad Ishaq +7 位作者 Donglou Ren Hongli Ma Zhenghua Su Ping Fan David Le Coq Xianghua Zhang Guangxing Liang Shuo Chen 《Journal of Energy Chemistry》 SCIE EI CAS CSCD 2024年第3期165-175,I0006,共12页
Sb_(2)Se_(3) with unique one-dimensional(1D) crystal structure exhibits exceptional deformation tolerance,demonstrating great application potential in flexible devices.However,the power conversion efficiency(PCE) of f... Sb_(2)Se_(3) with unique one-dimensional(1D) crystal structure exhibits exceptional deformation tolerance,demonstrating great application potential in flexible devices.However,the power conversion efficiency(PCE) of flexible Sb_(2)Se_(3) photovoltaic devices is temporarily limited by the complicated intrinsic defects and the undesirable contact interfaces.Herein,a high-quality Sb_(2)Se_(3) absorber layer with large crystal grains and benign [hkl] growth orientation can be first prepared on a Mo foil substrate.Then NaF intermediate layer is introduced between Mo and Sb_(2)Se_(3),which can further optimize the growth of Sb_(2)Se_(3)thin film.Moreover,positive Na ion diffusion enables it to dramatically lower barrier height at the back contact interface and passivate harmful defects at both bulk and heterojunction.As a result,the champion substrate structured Mo-foil/Mo/NaF/Sb_(2)Se_(3)/CdS/ITO/Ag flexible thin-film solar cell delivers an obviously higher efficiency of 8.03% and a record open-circuit voltage(V_(OC)) of 0.492 V.This flexible Sb_(2)Se_(3) device also exhibits excellent stability and flexibility to stand large bending radius and multiple bending times,as well as superior weak light photo-response with derived efficiency of 12.60%.This work presents an effective strategy to enhance the flexible Sb_(2)Se_(3) device performance and expand its potential photovoltaic applications. 展开更多
关键词 Sb_(2)se_(3) Flexible solar cells NaF intermediate layer Interface optimization Defects suppression
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电化学沉积制备Bi_(2)Se_(3)薄膜及其光电性能研究
5
作者 华奕涵 冯双龙 《功能材料》 CAS CSCD 北大核心 2023年第1期1026-1032,共7页
作为量子物质的奇异态,拓扑绝缘体在新一代电子和光电子器件领域得到了广泛应用。因其金属表面态共存和较窄的带隙(0.3 eV),导致Bi_(2)Se_(3)具有超快电荷传输能力和红外光吸收能力,使其成为新体制光电器件的研究热点。采用恒电位沉积... 作为量子物质的奇异态,拓扑绝缘体在新一代电子和光电子器件领域得到了广泛应用。因其金属表面态共存和较窄的带隙(0.3 eV),导致Bi_(2)Se_(3)具有超快电荷传输能力和红外光吸收能力,使其成为新体制光电器件的研究热点。采用恒电位沉积法在酸性电解质溶液中ITO基底上进行电化学沉积Bi_(2)Se_(3)薄膜,通过控制变量法确定Bi_(2)Se_(3)薄膜的生长条件是溶液pH值为0.2~0.8、沉积电位-0.15 V vs.Ag/AgCl和沉积时间1 h;同时,采用场发射透射电子显微镜、X射线衍射仪等表征技术对Bi_(2)Se_(3)薄膜的结构与形貌进行了研究。最后,研究了基于Bi_(2)Se_(3)薄膜光电探测器的性能,并考察了退火工艺对其光响应特性影响规律,测试结果表明退火后Bi_(2)Se_(3)薄膜在近红外波段具有良好的光电性能,响应度和比探测率分别约为6.3×10^(-5)A/W和2.9×10^(6)cm·Hz 0.5/W。 展开更多
关键词 拓扑绝缘体 Bi_(2)se_(3) 电化学 热处理 光响应性能
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Bi_(2)Se_(3)纳米线的生长及其圆偏振光电流的研究
6
作者 李铭贵 崔广州 俞金玲 《福州大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2023年第1期20-26,共7页
采用化学气相沉积法制备拓扑绝缘体Bi_(2)Se_(3)纳米线.系统分析生长温度和气体流量对Bi_(2)Se_(3)纳米线的形貌、晶体质量的影响,并研究Bi_(2)Se_(3)纳米线的圆偏振光致电流.研究结果表明,Bi_(2)Se_(3)纳米线的最佳生长温度为530℃,气... 采用化学气相沉积法制备拓扑绝缘体Bi_(2)Se_(3)纳米线.系统分析生长温度和气体流量对Bi_(2)Se_(3)纳米线的形貌、晶体质量的影响,并研究Bi_(2)Se_(3)纳米线的圆偏振光致电流.研究结果表明,Bi_(2)Se_(3)纳米线的最佳生长温度为530℃,气体流量为30 mL·min^(-1).通过扫描电子显微镜、透射电子显微镜、拉曼等表征手段,表明所生长的Bi_(2)Se_(3)纳米线具有较高的质量.Bi_(2)Se_(3)纳米线的光电流随着四分之一波片的变化表明,Bi_(2)Se_(3)纳米线具有较强的自旋轨道耦合效应.圆偏振光致电流随入射角的增大而减小,这是因为Bi_(2)Se_(3)的对称性结构为C3V.相比Bi_(2)Se_(3)薄膜或者Bi_(2)Se_(3)纳米片,Bi_(2)Se_(3)纳米线具有更大的CPGE电流,这可能是因为纳米线具有更大的比表面积,可以避免表面态信号淹没在体态信号中. 展开更多
关键词 拓扑绝缘体 化学气相沉积法 Bi_(2)se_(3)纳米线 圆偏振光致电流效应
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γ-Fe_(2)O_(3) 量子点/Bi_(2)Te_(2.7)Se_(0.3)纳米复合材料的制备及热电性能研究
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作者 苏梦然 秦雷 张志伟 《北京信息科技大学学报(自然科学版)》 2023年第1期1-7,共7页
采用溶剂热法合成出γ-Fe_(2)O_(3) 量子点,并利用室温闪烧法合成了Bi_(2)Te_(2.7)Se_(0.3)化合物。将γ-Fe_(2)O_(3) 量子点添加到Bi_(2)Te_(2.7)Se_(0.3)粉料中,通过放电等离子烧结法制备出γ-Fe_(2)O_(3) 量子点/Bi_(2)Te_(2.7)Se_(0... 采用溶剂热法合成出γ-Fe_(2)O_(3) 量子点,并利用室温闪烧法合成了Bi_(2)Te_(2.7)Se_(0.3)化合物。将γ-Fe_(2)O_(3) 量子点添加到Bi_(2)Te_(2.7)Se_(0.3)粉料中,通过放电等离子烧结法制备出γ-Fe_(2)O_(3) 量子点/Bi_(2)Te_(2.7)Se_(0.3)纳米复合块体材料,研究了γ-Fe_(2)O_(3) 量子点添加对Bi_(2)Te_(2.7)Se_(0.3)物相、微观结构及热电性能的影响。结果表明:添加质量分数为5%以内γ-Fe_(2)O_(3) 量子点未对Bi_(2)Te_(2.7)Se_(0.3)的物相产生明显影响,γ-Fe_(2)O_(3) 量子点分散在Bi_(2)Te_(2.7)Se_(0.3)层状晶粒间,且降低了Bi_(2)Te_(2.7)Se_(0.3)的晶粒尺寸。随着γ-Fe_(2)O_(3) 添加量的增加,材料的载流子浓度和迁移率均下降,使得电导率和塞贝克(Seebeck)系数同时降低,导致功率因子下降,而热导率也获得了显著降低,使得ZT值略有增加,纯样和添加质量分数为5%γ-Fe_(2)O_(3) 量子点样品的最大ZT值分别为0.407和0.418。 展开更多
关键词 γ-Fe_(2)O_(3)量子点 Bi_(2)Te_(2.7)se_(0.3) 纳米复合材料 热电性能
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生长温度对Cr原子掺杂在Bi_(2)Se_(3)中位置及磁性的影响
8
作者 徐永康 闫鹏飞 +4 位作者 代兴泽 张小龙 王瑾 王双海 何亮 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第3期219-224,共6页
本文报道用分子束外延(Molecular Beam Epitaxy:MBE)技术制备了优良的铬(Cr)掺杂硒化铋(Cr-Bi_(2)Se_(3))薄膜样品。通过反射高能电子衍射(Reflective High Energy Electron Diffraction:RHEED)、X射线衍射(X-ray diffraction:XRD)技术... 本文报道用分子束外延(Molecular Beam Epitaxy:MBE)技术制备了优良的铬(Cr)掺杂硒化铋(Cr-Bi_(2)Se_(3))薄膜样品。通过反射高能电子衍射(Reflective High Energy Electron Diffraction:RHEED)、X射线衍射(X-ray diffraction:XRD)技术和电磁输运系统对Cr-Bi_(2)Se_(3)进行测试。实验结果显示:较低的生长温度下Cr进入Bi_(2)Se_(3)中替代Bi位形成Cr Bi;较高的生长温度下Cr进入Bi_(2)Se_(3)中的范德瓦尔斯间隙形成层间(Interlayer)CrI,这一区别导致Cr-Bi_(2)Se_(3)在生长速率及磁性等方面表现出不同的性质。所以可以通过控制生长温度来调制Cr的掺杂位置,得到更理想的效果。 展开更多
关键词 分子束外延 掺杂 cr-bi2se3 生长温度
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MoS_(2)/Bi_(2)Se_(3)异质结的制备及其光致发光性能研究
9
作者 于志强 罗斯玮 钟建新 《湘潭大学学报(自然科学版)》 CAS 2023年第4期1-7,共7页
二硫化钼(MoS_(2))是一种典型的二维材料,因其具备高电子迁移率、可调的带隙和高光吸收度等优异性能被广泛应用于光电子领域.二维硒化铋(Bi_(2)Se_(3))拥有随层数变化的特殊表面态.单层MoS_(2)和多层及少层Bi_(2)Se_(3)薄膜构筑成异质... 二硫化钼(MoS_(2))是一种典型的二维材料,因其具备高电子迁移率、可调的带隙和高光吸收度等优异性能被广泛应用于光电子领域.二维硒化铋(Bi_(2)Se_(3))拥有随层数变化的特殊表面态.单层MoS_(2)和多层及少层Bi_(2)Se_(3)薄膜构筑成异质结构时,其光致发光性质可能发生显著改变.该文利用气相沉积法成功制备了单层MoS_(2)单晶和5层及较厚的Bi_(2)Se_(3)薄膜,并通过转移法成功构筑了基于5层及较厚的Bi_(2)Se_(3)薄膜的MoS_(2)/Bi_(2)Se_(3)垂直异质结.在此基础上,结合拉曼、光致发光(PL)测试技术,对两种异质结中的激子发光、界面间相互作用和电荷转移进行了研究,发现基于5层Bi_(2)Se_(3)的MoS_(2)/Bi_(2)Se_(3)异质结具有PL显著增强现象,而基于较厚的Bi_(2)Se_(3)的MoS_(2)/Bi_(2)Se_(3)异质结的PL却明显减弱.研究结果表明二维Bi_(2)Se_(3)随层数可变的表面态对MoS_(2)的光学性能具有显著的调制效应. 展开更多
关键词 二维材料 MoS_(2)/Bi_(2)se_(3) 气相沉积 异质结 光致发光
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二维层状In_(2)Se_(3)材料的快速制备及结构特性研究
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作者 俞书昕 金泽辛 +3 位作者 陈容 李韬 祖翔宇 吴海飞 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2023年第10期1787-1792,共6页
In_(2)Se_(3)二维层状材料具有优异的光电、热电和铁电特性。目前In_(2)Se_(3)二维层状材料大部分通过对化学气相输运(CVT)法制备的块体In_(2)Se_(3)进行机械剥离获得,CVT法制备工艺复杂、制备时间长、成本高,与之相比,布里奇曼(B-S)法... In_(2)Se_(3)二维层状材料具有优异的光电、热电和铁电特性。目前In_(2)Se_(3)二维层状材料大部分通过对化学气相输运(CVT)法制备的块体In_(2)Se_(3)进行机械剥离获得,CVT法制备工艺复杂、制备时间长、成本高,与之相比,布里奇曼(B-S)法具有制备工艺简单、制备效率高、成本低的优势。为此,本文对CVT法和B-S法制备的块体In_(2)Se_(3)分别进行了机械剥离,并转移到SiO_(2)/Si(111)基底,获得了相应的二维层状In_(2)Se_(3)样品。同时利用原子力显微镜(AFM)、激光拉曼和X射线衍射(XRD)对两样品进行表面形貌、晶格振动谱和结晶质量的测量,发现用B-S法制备、剥离的样品具有与CVT法制备、剥离样品几乎相同的表面原子级平整度和单晶结晶质量。本文为高质量二维层状In_(2)Se_(3)材料的获得提供了更为经济实用的途径。 展开更多
关键词 In_(2)se_(3) 二维层状材料 机械剥离 化学气相输运法 布里奇曼法
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Enhanced efficiency of the Sb_(2)Se_(3)thin-film solar cell by the anode passivation using an organic small molecular of TCTA
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作者 Yujie Hu Zhixiang Chen +3 位作者 Yi Xiang Chuanhui Cheng Weifeng Liu Weishen Zhan 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2023年第8期62-67,共6页
Antimony selenide(Sb_(2)Se_(3))is an emerging solar cell material.Here,we demonstrate that an organic small molecule of 4,4',4''-tris(carbazol-9-yl)-triphenylamine(TCTA)can efficiently passivate the anode ... Antimony selenide(Sb_(2)Se_(3))is an emerging solar cell material.Here,we demonstrate that an organic small molecule of 4,4',4''-tris(carbazol-9-yl)-triphenylamine(TCTA)can efficiently passivate the anode interface of the Sb_(2)Se_(3)solar cell.We fabricated the device by the vacuum thermal evaporation,and took ITO/TCTA(3.0 nm)/Sb_(2)Se_(3)(50 nm)/C60(5.0 nm)/Alq3(3.0 nm)/Al as the device architecture,where Alq3 is the tris(8-hydroxyquinolinato)aluminum.By introducing a TCTA layer,the open-circuit voltage is raised from 0.36 to 0.42 V,and the power conversion efficiency is significantly improved from 3.2%to 4.3%.The TCTA layer not only inhibits the chemical reaction between the ITO and Sb_(2)Se_(3)during the annealing process but it also blocks the electron diffusion from Sb_(2)Se_(3)to ITO anode.The enhanced performance is mainly attributed to the suppression of the charge recombination at the anode interface. 展开更多
关键词 Sb_(2)se_(3) thin-film solar cell PASSIVATION
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Simulation of optical and electrical synaptic functions in MoS_(2)/α-In_(2)Se_(3) heterojunction memtransistors
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作者 相韬 陈凤翔 +3 位作者 李晓莉 王小东 闫誉玲 汪礼胜 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2023年第11期562-569,共8页
Memtransistors combine memristors and field-effect transistors, which can introduce multi-port control and have significant applications for enriching storage methods. In this paper, multilayer α-In2Se3and MoS2were t... Memtransistors combine memristors and field-effect transistors, which can introduce multi-port control and have significant applications for enriching storage methods. In this paper, multilayer α-In2Se3and MoS2were transferred to the substrate by the mechanical exfoliation method, then a heterojunction MoS_(2)/α-In_(2)Se_(3) memtransistor was prepared. Neural synaptic simulations were performed using electrical and optical pulses as input signals. Through measurements, such as excitatory/inhibitory post-synaptic current(EPSC/IPSC), long-term potentiation/depression(LTP/LTD), and paired-pulse facilitation/depression(PPF/PPD), it can be found that the fabricated device could simulate various functions of neural synapses well, and could work as an electronic synapse in artificial neural networks, proposing a possible solution for neuromorphic storage and computation. 展开更多
关键词 α-In_(2)se_(3) MoS_(2) dual-gate control by electric and light neural synaptic function simulation
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MoS_(2)/In_(2)Se_(3)异质结电子结构与光电性质研究
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作者 罗鑫 陈彦聪 +2 位作者 李伟源 蒋彬 谢泓任 《材料研究与应用》 CAS 2023年第3期440-447,共8页
二维材料异质结可以利用各组份二维材料的优异物理性质,实现按需设计制备新型的功能器件。通过构建二维半导体材料MoS_(2)与二维铁电材料In_(2)Se_(3)的异质结,研究了铁电极化对异质结的能带结构、电荷转移、压电系数及光电响应的影响... 二维材料异质结可以利用各组份二维材料的优异物理性质,实现按需设计制备新型的功能器件。通过构建二维半导体材料MoS_(2)与二维铁电材料In_(2)Se_(3)的异质结,研究了铁电极化对异质结的能带结构、电荷转移、压电系数及光电响应的影响。结果发现:当极化方向沿着从MoS_(2)指向In_(2)Se_(3)方向时,异质结能量更低、结构更稳定、电荷转移更多、能带带隙也更小;相比于面内应变对异质结带隙产生的微弱影响,利用极化方向的翻转可有效地调控异质结的带隙,实现从Ⅰ型能带对齐到Ⅱ型能带对齐;针对最稳定的异质结结构,发现压电系数e31相比于单层In_(2)Se_(3)提升了24倍。通过实验采用干法转移制备出MoS_(2)/In_(2)Se_(3)异质结,利用拉曼光谱与光致发光光谱对其光电特性进行表征,发现异质结区保留着各自组份材料的拉曼特征峰与激子峰信号,相比于单独的In_(2)Se_(3),异质结对In_(2)Se_(3)激子峰具有荧光增强效应。 展开更多
关键词 MoS_(2) In_(2)se_(3) 光电异质结 压电效应
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高压制备多晶Te掺杂Bi_(2)Se_(3)热电材料性能的研究
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作者 曹雄 张一博 +1 位作者 赵亮 康宇龙 《中国新技术新产品》 2023年第5期67-69,共3页
该文采用高温高压法合成了多晶Bi_(2)Se_(3-y)Te_(y)(y=0.1,0.3,0.5)样品。XRD对所有样品的物相分析表明,合成压力1GPa时获得的样品均为Bi_(2)Se_(3)基纯相样品。随后测试的所有样品的Seebeck系数均为负值,表现出典型的n型导电特性。热... 该文采用高温高压法合成了多晶Bi_(2)Se_(3-y)Te_(y)(y=0.1,0.3,0.5)样品。XRD对所有样品的物相分析表明,合成压力1GPa时获得的样品均为Bi_(2)Se_(3)基纯相样品。随后测试的所有样品的Seebeck系数均为负值,表现出典型的n型导电特性。热电参数测试结果表明Bi_(2)Se_(2.5)Te_(0.5)样品具有较优的热电性能,Seebeck系数绝对值和功率因子在567K附近分别达到最大值90.5μVK^(-1)和783.2μWm-1K2。同时,在整个测试温度范围内热导率随温度的升高而降低,最小值为1.76W/mK。最终,Bi_(2)Se_(2.5)Te_(0.5)样品的无量纲优值ZT在567K附近达到最大值0.25。 展开更多
关键词 Bi_(2)se_(3-y)Te_(y) 晶体结构 热电性能 ZT值
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CVD法无催化直接生长α-In_(2)Se_(3)纳米材料
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作者 苗瑞霞 杨奔 +1 位作者 王业飞 李田甜 《西安邮电大学学报》 2023年第4期44-50,共7页
在常压无催化条件下,采用化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition,CVD)方法,直接生长二维α-硒化铟(In_(2)Se_(3))纳米片材料。研究了生长温度、生长时间和气体流量对In_(2)Se_(3)纳米片的微观形貌和尺寸的影响,采用扫描电子显微镜、X... 在常压无催化条件下,采用化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition,CVD)方法,直接生长二维α-硒化铟(In_(2)Se_(3))纳米片材料。研究了生长温度、生长时间和气体流量对In_(2)Se_(3)纳米片的微观形貌和尺寸的影响,采用扫描电子显微镜、X射线衍射仪、拉曼光谱仪对In_(2)Se_(3)纳米材料的分布、形貌、结构进行了表征和分析。实验结果表明,CVD法直接生长的In_(2)Se_(3)纳米片为规则的六边形,分布较均匀,沿(006)晶面择优生长,具有2H-α相的晶体结构。最佳工艺参数为硒粉区域温度为430℃,氧化铟粉末区域温度为800℃,生长时间为45 min,H_(2)流量为45 sccm,Ar流量为15 sccm。 展开更多
关键词 硒化铟 纳米片 扫描电子显微镜 无催化反应 化学气相沉积 表面形貌
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高性能Bi_(2)Te_(3-x)Se_(x)热电薄膜的可控生长 被引量:5
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作者 陈赟斐 魏锋 +2 位作者 王赫 赵未昀 邓元 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2021年第20期265-271,共7页
碲化铋基材料一直被认为是室温下性能最优异的热电材料之一,也是商用热电器件首选的块体材料.然而面对柔性或高密度设备等应用需求时,薄膜热电材料比块体材料更具优势.因此,提升薄膜材料热电性能及可控制备技术至关重要.与碲化铋基块体... 碲化铋基材料一直被认为是室温下性能最优异的热电材料之一,也是商用热电器件首选的块体材料.然而面对柔性或高密度设备等应用需求时,薄膜热电材料比块体材料更具优势.因此,提升薄膜材料热电性能及可控制备技术至关重要.与碲化铋基块体材料和P型碲化铋基薄膜相比,N型碲化铋基薄膜的性能相对偏低.本工作利用磁控溅射法制备了一系列N型碲化铋薄膜,研究衬底温度和工作压强对薄膜生长模式的影响规律,从而通过溅射参数精确调控薄膜的形貌、结构和生长取向,在合适的衬底温度和工作压强的共同作用下,制备出(00l)方向层状生长的高质量致密薄膜.由于层状结构薄膜具有超高的面内载流子迁移率,该薄膜实现了大于10^(5) S/m的超高电导率.由于兼具高电导率与高Seebeck系数,该层状薄膜试样在室温下的功率因子高达42.5μW/(cm·K^(2)),克服了N型碲化铋基薄膜材料难以匹配P型碲化铋基薄膜材料的困难. 展开更多
关键词 Bi_(2)Te_(3–x)se_(x)薄膜 磁控溅射 热电 功率因子
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In_(2)Se_(3)纳米片改性的GO/WS_(2)/Mg-ZnO复合材料光催化性能的研究 被引量:1
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作者 龙慧 魏子乔 +2 位作者 罗思瑶 董华锋 陈传盛 《广东工业大学学报》 CAS 2022年第4期107-112,共6页
二维纳米材料由于其结构和性能的独特性受到广泛的关注,各类二维纳米材料合成方法和表面改性的研究也得到了快速发展,在光催化性能提升和能源环境领域等方面发挥着重要作用。本文通过在复合物GO/WS;/MgZnO(rGOWMZ)中添加直接带隙半导体I... 二维纳米材料由于其结构和性能的独特性受到广泛的关注,各类二维纳米材料合成方法和表面改性的研究也得到了快速发展,在光催化性能提升和能源环境领域等方面发挥着重要作用。本文通过在复合物GO/WS;/MgZnO(rGOWMZ)中添加直接带隙半导体In_(2)Se_(3)纳米片,合成rGOWMZ+In_(2)Se_(3)复合材料。并研究其光催化性能,发现性能得到了明显的改善,其中In_(2)Se_(3)纳米片质量分数为0.5%经过600℃热处理的复合物,在自然光照射下对罗丹明B的降解率为99.6%。本报道中In_(2)Se_(3)纳米片是通过液相超声剥离法制备的,大小为100 nm,厚度约为5层。并采用透射电子显微镜、原子力显微镜、X射线衍射仪、扫描电子显微镜对复合材料进行了物相分析。发现rGOWMZ+In_(2)Se_(3)复合材料对有机颜料罗丹明B具有优异的光催化性能,此复合材料将在光催化领域中具有巨大的应用潜力。 展开更多
关键词 In_(2)se_(3)纳米片 二维材料 自然光 光催化降解
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Sb_(2)Se_(3)薄膜表面和界面超快载流子动力学的瞬态反射光谱分析
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作者 黄昊 牛奔 +6 位作者 陶婷婷 罗世平 王颖 赵晓辉 王凯 李志强 党伟 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2022年第6期200-211,共12页
Sb_(2)Se_(3)是一种低成本、环境友好、具有良好应用前景的光伏材料.目前Sb_(2)Se_(3)太阳能电池的光电转换效率已经提高到了10%.载流子复合动力学是决定Sb_(2)Se_(3)太阳能电池光电转换效率的关键因素.本文利用飞秒时间分辨表面瞬态反... Sb_(2)Se_(3)是一种低成本、环境友好、具有良好应用前景的光伏材料.目前Sb_(2)Se_(3)太阳能电池的光电转换效率已经提高到了10%.载流子复合动力学是决定Sb_(2)Se_(3)太阳能电池光电转换效率的关键因素.本文利用飞秒时间分辨表面瞬态反射谱详细分析了Sb_(2)Se_(3)表面、Sb_(2)Se_(3)/CdS界面载流子复合动力学过程.根据相对反射率变化△R/R的演化,得到Sb_(2)Se_(3)载流子热化、带隙收缩时间约为0.2-0.5 ps,估计热载流子冷却时间为3-4 ps.还实验证实在Sb_(2)Se_(3)/CdS界面处存在自由电子转移和浅束缚电子转移两种电子转移过程.本文提供了Sb_(2)Se_(3)表面瞬态反射谱分析方法,所得实验结果拓展了对Sb_(2)Se_(3)表面及Sb_(2)Se_(3)/CdS界面载流子过程的理解. 展开更多
关键词 Sb_(2)se_(3) 表面瞬态反射 载流子复合 电子转移
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Bi_(2)Se_(3)纳米片的生长及其圆偏振光电流
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作者 庄航 陈磊 俞金玲 《福州大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2021年第4期458-463,共6页
采用化学气相沉积法制备三维拓扑绝缘体Bi_(2)Se_(3)纳米片,对其进行详细的表征并研究样品的圆偏振光致电流.在1064 nm圆偏振激光激发下,Bi_(2)Se_(3)纳米片的圆偏振光致电流强度随着入射角的增大而逐渐增大.研究发现,圆偏振光电流强度... 采用化学气相沉积法制备三维拓扑绝缘体Bi_(2)Se_(3)纳米片,对其进行详细的表征并研究样品的圆偏振光致电流.在1064 nm圆偏振激光激发下,Bi_(2)Se_(3)纳米片的圆偏振光致电流强度随着入射角的增大而逐渐增大.研究发现,圆偏振光电流强度随着温度的降低先增大后减小,这与动量弛豫时间及电子空穴复合率相关.此外,通过外加离子液体栅压调控Bi_(2)Se_(3)纳米片的圆偏振光致电流,其强度随着外加偏压的增大而减小,这是由于所测得的圆偏振光致电流由拓扑绝缘体Bi_(2)Se_(3)表面信号与二维电子气信号叠加形成,且二者方向相反导致. 展开更多
关键词 Bi_(2)se_(3)纳米片 化学气相沉积法 圆偏振光电流效应 液体离子栅压
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Recent progress and perspectives on Sb_(2)Se_(3)-based photocathodes for solar hydrogen production via photoelectrochemical water splitting 被引量:3
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作者 Shuo Chen Tianxiang Liu +5 位作者 Zhuanghao Zheng Muhammad Ishaq Guangxing Liang Ping Fan Tao Chen Jiang Tang 《Journal of Energy Chemistry》 SCIE EI CAS CSCD 2022年第4期508-523,共16页
Photoelectrochemical(PEC) cells involved with semiconductor electrodes can simultaneously absorb solar energy and perform chemical reactions, which are considered as an attractive strategy to produce renewable and cle... Photoelectrochemical(PEC) cells involved with semiconductor electrodes can simultaneously absorb solar energy and perform chemical reactions, which are considered as an attractive strategy to produce renewable and clean hydrogen energy. Sb_(2)Se_(3) has been widely investigated in constructing PEC photocathodes benefitting of its low toxicity, suitable band gap, superior optoelectronic properties, and outstanding photocorrosion stability. We first present a brief overview of basic concepts and principles of PEC water splitting as well as a comparison between Sb_(2)Se_(3) and other numerous candidates. Then the material characteristics and preparation methods of Sb_(2)Se_(3) are introduced. The development of Sb_(2)Se_(3)-based photocathodes in PEC water splitting with various architectures and engineering efforts(i.e., absorber engineering, interfaces engineering, co-catalyst engineering and tandem engineering) to improve solar-to-hydrogen(STH) efficiency are highlighted. Finally, we debate the possible future directions to further explore the researching fields of Sb_(2)Se_(3)-based photocathodes with a strongly positive outlook in PEC processed solar hydrogen production. 展开更多
关键词 Sb_(2)se_(3) PHOTOCATHODES PHOTOELECTROCHEMICAL Water splitting Solar-to-hydrogen
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