制作低温度系数的Cr-SiO薄膜电阻的工艺探讨

本文提出要制得最低温度系数(TCR)的Cr-SiO薄膜电阻,粉料组份或退火温度必须取在工艺决定的TCR 曲线与横坐标轴交点上.以此作为制作低TCR 的Cr-SiO 薄膜电阻的工艺原则.

以铜代金作导电带的Cr-SiO薄膜电阻网络

将电解铜丝和NiCr丝进行蒸发。为防止氧化,铜膜应侵锡。电阻经150℃大气热处理,即可制成NiCr-Cu导电带。用Cr-SiO作电阻材料。试验证明,这种薄膜具有良好的电气性能。

仲丁醇在Cu-ZnO-Cr_2O_3/SiO_2催化剂上的脱氢

采用浸渍法制备 Cu-Zn O-Cr2 O3 / Si O2 催化剂 ,考察了反应条件和催化剂的制备条件对仲丁醇脱氢活性和选择性的影响 .借助 XRD,TPD,TPR和 BET等手段对催化剂进行表征 ,结果表明 ,催化剂的焙烧温度、还原温度、还原时间和载体的预处理对仲丁醇的转化率和甲乙酮的选择性均有较大影响 .

采用扩散掺铝方法提高Cr－SiO薄膜电阻热稳定性

采用扩散掺铝方法可以显著降低Ｃｒ－ＳｉＯ薄膜电阻的温度系数，１～５ｋΩ／□，ＴＣＲ≤±５００×１０（－６）℃（－１）；１０ｋΩ／□，ＴＣＲ≤±１００×１０（－６）℃（－１）。该方法尤其适用于设备较为简单的蒸发镀膜工艺。

关于“制作低温度系数的Cr—SiO薄膜电阻的工艺探讨”一文的讨论

最近我们收到杭州大学夏银水同志的来稿,对本刊1990年第3期发表的“制作低温度系数的Cr—SiO薄膜电阻的工艺探讨”一文提出了一些不同看法.为贯彻“百花齐放,百家争鸣”的方针,活跃刊物气氛,我们决定将夏银水同志的文章全文发表,以期有兴趣的同志对此展开讨论.

制作高薄层电阻值Cr/SiO薄膜电阻的探讨

本文简要报道了用最佳退火温度制得10kΩ/口的薄膜电阻.其|TCR|(?)40ppm/℃.工艺重复性较好.

高效V-Cr-Mo-O/SiO_2催化剂的制备及应用——氨氧化合成酞腈新工艺

气相氨氧化邻二甲苯合成酞腈 (邻苯二甲腈 )是目前最简便、最经济的合成工艺。针对邻二甲苯的特点 ,开发成功选择性高、寿命长、氨与邻二甲苯的物质的量之比 (A2 )较小的新型V -Cr-Mo-O/SiO2 催化剂。经流化床中试生产结果证明 :邻苯二甲腈重量收率可达 78% ,产品纯度≥98% 。