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以铜代金作导电带的Cr-SiO薄膜电阻网络
1
作者 江德海 《电子元件与材料》 CAS CSCD 1989年第3期15-17,共3页
将电解铜丝和NiCr丝进行蒸发。为防止氧化,铜膜应侵锡。电阻经150℃大气热处理,即可制成NiCr-Cu导电带。用Cr-SiO作电阻材料。试验证明,这种薄膜具有良好的电气性能。
关键词 铜 导电带 cr-sio薄膜 电阻网络
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关于“制作低温度系数的Cr—SiO薄膜电阻的工艺探讨”一文的讨论
2
作者 夏银水 竺树声 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 1991年第4期46-47,共2页
最近我们收到杭州大学夏银水同志的来稿,对本刊1990年第3期发表的“制作低温度系数的Cr—SiO薄膜电阻的工艺探讨”一文提出了一些不同看法.为贯彻“百花齐放,百家争鸣”的方针,活跃刊物气氛,我们决定将夏银水同志的文章全文发表,以期有... 最近我们收到杭州大学夏银水同志的来稿,对本刊1990年第3期发表的“制作低温度系数的Cr—SiO薄膜电阻的工艺探讨”一文提出了一些不同看法.为贯彻“百花齐放,百家争鸣”的方针,活跃刊物气氛,我们决定将夏银水同志的文章全文发表,以期有兴趣的同志对此展开讨论. 展开更多
关键词 cr-sio薄膜电阻 工艺 低温度系数 标准偏差
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