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制作低温度系数的Cr-SiO薄膜电阻的工艺探讨 被引量:1
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作者 张允济 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 1990年第3期44-46,共3页
本文提出要制得最低温度系数(TCR)的Cr-SiO薄膜电阻,粉料组份或退火温度必须取在工艺决定的TCR 曲线与横坐标轴交点上.以此作为制作低TCR 的Cr-SiO 薄膜电阻的工艺原则.
关键词 cr-sio 薄膜电阻 低温度系统
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以铜代金作导电带的Cr-SiO薄膜电阻网络
2
作者 江德海 《电子元件与材料》 CAS CSCD 1989年第3期15-17,共3页
将电解铜丝和NiCr丝进行蒸发。为防止氧化,铜膜应侵锡。电阻经150℃大气热处理,即可制成NiCr-Cu导电带。用Cr-SiO作电阻材料。试验证明,这种薄膜具有良好的电气性能。
关键词 导电带 cr-sio薄膜 电阻网络
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铂薄膜电阻温度传感器玻璃密封材料的稳定性能研究
3
作者 吴昊 侯彬 +6 位作者 洪嘉旺 王耀成 李志凯 汪伟 杜少杰 李丽 王晓春 《陶瓷学报》 CAS 北大核心 2024年第2期290-299,共10页
针对铂薄膜电阻温度传感器中绝缘封装过程中存在的气密、绝缘等性能问题,研究了两种玻璃与铂薄膜温度传感器氧化铝基底间浸润性、气密性、绝缘性及热循环稳定性等性能,优选性能最佳的玻璃密封材料应用在铂薄膜温度传感器中。研究结果表... 针对铂薄膜电阻温度传感器中绝缘封装过程中存在的气密、绝缘等性能问题,研究了两种玻璃与铂薄膜温度传感器氧化铝基底间浸润性、气密性、绝缘性及热循环稳定性等性能,优选性能最佳的玻璃密封材料应用在铂薄膜温度传感器中。研究结果表明,热稳定性存在差异SiO_(2)-Ba O-Al_(2)O_(3)-CaO系微晶玻璃与SiO_(2)-B_(2)O_(3)-Al_(2)O_(3)-CaO系微晶玻璃在800℃~1000℃间与氧化铝基底均具有良好的浸润性。SiO_(2)-Ba O-Al_(2)O_(3)-CaO系玻璃与SiO_(2)-B_(2)O_(3)-Al_(2)O_(3)-CaO系玻璃密封材料在800℃、通气压力在20.7 k Pa下的漏气率分别约为0.0073 sccm·cm^(-1)和0.0065 sccm·cm^(-1),绝缘电阻率分别约为21.6×106Ω·cm和31.1×106Ω·cm。此外,在30℃~800℃热循环500次后,两种玻璃表面出现尺寸不一的孔洞,其中,SiO_(2)-Ba O-Al_(2)O_(3)-CaO玻璃经历500次热循环后孔洞尺寸由0.13μm增至15.62μm,而SiO_(2)-B_(2)O_(3)-Al_(2)O_(3)-CaO系玻璃孔洞尺寸变化较小,表面形貌较为致密。以上研究结果表明,SiO_(2)-B_(2)O_(3)-Al_(2)O_(3)-CaO系玻璃具有更加优异的密封性能、高温绝缘性能及热循环稳定性,更适合用于铂薄膜电阻温度传感器的封装工艺。 展开更多
关键词 薄膜电阻温度传感器 玻璃密封材料 浸润性能 密封性能 绝缘性能 热循环稳定性
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薄膜铂电阻制备工艺研究
4
作者 张倩 袁燕 +4 位作者 于海洋 倪烨 常子硕 孟腾飞 林树超 《仪器与设备》 2024年第1期49-54,共6页
薄膜铂电阻在温度测量领域应用广泛,使用数量巨大,在很多行业中,已取代了传统的绕线式铂电阻,但是由于其薄膜制备工艺和结构的不同,薄膜铂电阻的温度特性和稳定性与传统绕线式铂电阻有所不同。本文采用磁控溅射法在陶瓷基体上制备薄膜... 薄膜铂电阻在温度测量领域应用广泛,使用数量巨大,在很多行业中,已取代了传统的绕线式铂电阻,但是由于其薄膜制备工艺和结构的不同,薄膜铂电阻的温度特性和稳定性与传统绕线式铂电阻有所不同。本文采用磁控溅射法在陶瓷基体上制备薄膜铂电阻温度传感器,并研究了基片温度、热处理工艺和薄膜厚度对薄膜铂电阻温度传感器的电阻值、温度系数等特性的影响。 展开更多
关键词 薄膜 电阻 磁控溅射 温度系数
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压力传感器温度补偿薄膜电阻器手工焊接失效分析
5
作者 林昕怡 周富强 +1 位作者 赵彦龙 高德亮 《传感器世界》 2024年第4期11-13,27,共4页
压力传感器主要有应变式、谐振式和硅压阻式(MEMS)等类型。航空发动机主要以硅压阻式为主,硅压阻式压力传感器受温度影响非常大,一般不能直接使用,需要串并联温度补偿电阻进行温度补偿后才能使用。模拟焊接出现电阻焊接后浮高、偏移不良... 压力传感器主要有应变式、谐振式和硅压阻式(MEMS)等类型。航空发动机主要以硅压阻式为主,硅压阻式压力传感器受温度影响非常大,一般不能直接使用,需要串并联温度补偿电阻进行温度补偿后才能使用。模拟焊接出现电阻焊接后浮高、偏移不良,通过手工焊接修复后,因反复焊接导致电阻电极损伤,经高低温和振动试验后电阻失效。文章介绍了应用于航空发动机上的压力传感器工作原理,就温度补偿电阻器手工焊接失效原因进行了分析,并提出了改进措施,为压力传感器在生产制造过程中提高可靠性提供了参考。 展开更多
关键词 薄膜电阻 手工焊接 失效分析
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薄膜铂电阻温度传感器的应用研究
6
作者 张韵 《中文科技期刊数据库(全文版)工程技术》 2024年第5期0132-0135,共4页
随着科学技术的不断发展和数字经济化时代的到来,传感器作为数字化时代的重要组成部分,扮演着越来越重要的角色。在工业生产中,传感器可用于监测生产过程中的温度、压力、流量等参数,为工业生产过程提供重要的数据支持,实现自动化控制... 随着科学技术的不断发展和数字经济化时代的到来,传感器作为数字化时代的重要组成部分,扮演着越来越重要的角色。在工业生产中,传感器可用于监测生产过程中的温度、压力、流量等参数,为工业生产过程提供重要的数据支持,实现自动化控制和智能化生产,以提高生产效率和产品质量;在医疗电子领域,传感器可实现对患者生命体征的监测和记录,实现远程医疗和健康管理;在航空航天领域,传感器可用于监测飞行器的姿态、气压、温度等参数,保障飞行安全。在众多传感器中,薄膜铂电阻温度传感器因其在工业生产、医疗电子、航空航天等领域的广泛应用而备受关注。薄膜铂电阻作为温度传感器的核心敏感部件,在其应用中发挥着至关重要的作用。 展开更多
关键词 薄膜电阻 传感器 数字化时代
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氧化钒薄膜沉积设备及其电阻均匀性调试方法
7
作者 李兆营 黄添萍 《设备管理与维修》 2024年第11期103-105,共3页
介绍一种氧化钒薄膜沉积设备以及电阻均匀性的调试方法。采用反应磁控溅射法在涨有氮化硅薄膜的硅衬底上制备了氧化钒薄膜,采用四探针电阻测试仪测试氧化钒薄膜的方块电阻。结果表明,通过改变氧气在衬底表面的分布,可以实现对氧化钒表... 介绍一种氧化钒薄膜沉积设备以及电阻均匀性的调试方法。采用反应磁控溅射法在涨有氮化硅薄膜的硅衬底上制备了氧化钒薄膜,采用四探针电阻测试仪测试氧化钒薄膜的方块电阻。结果表明,通过改变氧气在衬底表面的分布,可以实现对氧化钒表面电阻均匀性的实时调控,即通过增加氧气流量提高对应位置的电阻或减小氧气流量来降低对应位置的电阻,从而获得了电阻均匀性良好的氧化钒薄膜。同时也降低设备开腔调试的频率,节约靶材及时间成本。该设备的改造思路也可推广至用于其他薄膜的制备。 展开更多
关键词 电阻均匀性 氧化钒薄膜 反应磁控溅射
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Sol-gel法制备La_(1-x)Sr_xMnO_3巨磁电阻薄膜材料 被引量:15
8
作者 张志力 王哲明 +4 位作者 黄云辉 程福祥 廖春生 高松 严纯华 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1999年第5期665-669,共5页
利用sol-gel法在单晶硅Si(100)衬底上,制备了钙钛矿La1-xSrxMnO3(LSMO)低织构纳米晶薄膜.考察了制备条件对LSMO成相、晶粒的粒度和表面形貌的影响,研究了其磁特性和磁电阻性能.结果表明,La... 利用sol-gel法在单晶硅Si(100)衬底上,制备了钙钛矿La1-xSrxMnO3(LSMO)低织构纳米晶薄膜.考察了制备条件对LSMO成相、晶粒的粒度和表面形貌的影响,研究了其磁特性和磁电阻性能.结果表明,La0.7Sr0.3MnO3薄膜磁电阻效应在相当宽的温度范围内不随温度改变,在6T磁场中室温下磁电阻比MR值可达-30% 展开更多
关键词 钙钛矿 纳米晶 薄膜 巨磁电阻材料 LSMO
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MEMS固体微推进器中Cr薄膜点火电阻的研究 被引量:22
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作者 徐超 李兆泽 +1 位作者 万红 吴学忠 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第05A期1411-1414,1418,共5页
点火电路是MEMS固体化学微推进器中最重要的组成部分,其点火电压的大小及点火可靠性则主要取决于点火电阻.国内外均采用多晶硅(polysilicon)或贵金属铂(Pt)作为点火电阻材料,所制备出来的点火电阻的阻值都比较大,需要的点火电压较高(40... 点火电路是MEMS固体化学微推进器中最重要的组成部分,其点火电压的大小及点火可靠性则主要取决于点火电阻.国内外均采用多晶硅(polysilicon)或贵金属铂(Pt)作为点火电阻材料,所制备出来的点火电阻的阻值都比较大,需要的点火电压较高(40V以上),而且点火可靠性不高,难以满足固体微推进器的使用要求.本文首次采用金属铬(Cr)作为点火电阻材料,设计了具有高可靠性的并联点火电阻图形,通过磁控溅射镀膜、光刻以及Cr的湿法腐蚀工艺制备出了Cr薄膜点火电阻,并在20伏左右的低电压下成功地实现了常规火药黑索金的点火,为低点火电压、低成本、高可靠性的点火电路的制备提供了一条有效的技术途径. 展开更多
关键词 MEMS 微推进器 点火电阻 薄膜 点火电压
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NiCr高温薄膜电阻应变计制备及耐高温性能研究 被引量:10
10
作者 崔云先 张子超 +2 位作者 丁万昱 胡晓勇 张启翔 《仪器仪表学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第7期1548-1555,共8页
针对高温环境下应力应变测试的技术难题,提出了一种以NiCr薄膜为敏感材料的高温薄膜应变计的制备方法,并对薄膜应变计敏感层的耐高温性能进行研究。研究发现,NiCr薄膜在高温下微观结构、成分发生明显转变,电学性能急剧下降。对添加SiN_x... 针对高温环境下应力应变测试的技术难题,提出了一种以NiCr薄膜为敏感材料的高温薄膜应变计的制备方法,并对薄膜应变计敏感层的耐高温性能进行研究。研究发现,NiCr薄膜在高温下微观结构、成分发生明显转变,电学性能急剧下降。对添加SiN_xO_y和ITO薄膜后的NiCr薄膜分别进行高温测试发现,NiCr薄膜结构、性能没有明显改变,表明SiN_xO_y和ITO薄膜保护下的NiCr薄膜高温下性能稳定。所制的高温薄膜应变计在50~350℃内电阻温度系数为(80~787)×10-6/K,常温下应变灵敏系数为1.19,机械滞后为5.02,高温下的应变测试性能有待进一步研究。 展开更多
关键词 NiCr高温薄膜电阻应变计 耐高温性能 光刻工艺 电阻温度系数
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Pt薄膜热敏电阻工艺研究 被引量:10
11
作者 温宇峰 祖光裕 +2 位作者 胡明 张之圣 刘志刚 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2002年第9期9-10,共2页
本项研究目的是制作微型高精度铂薄膜热敏电阻器与集成电路配合,用于工业和科研中温度的精确测量。用高纯铂板作靶材,在玻璃基板上采用磁控溅射方法,制备成Pt薄膜热敏电阻,并在两端制作纯金电极。经测试表明,该Pt薄膜热敏电阻具备良好... 本项研究目的是制作微型高精度铂薄膜热敏电阻器与集成电路配合,用于工业和科研中温度的精确测量。用高纯铂板作靶材,在玻璃基板上采用磁控溅射方法,制备成Pt薄膜热敏电阻,并在两端制作纯金电极。经测试表明,该Pt薄膜热敏电阻具备良好的线性度和灵敏度,电阻温度系数达到(或接近)3 850 ?06℃1。本工艺条件稳定,适合批量生产。 展开更多
关键词 薄膜热敏电阻 磁控溅射 基片 电阻温度系数
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金属薄膜电阻率与表面粗糙度、残余应力的关系 被引量:23
12
作者 唐武 邓龙江 +1 位作者 徐可为 Jian LU 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第4期617-620,共4页
针对磁控溅射Au金属薄膜,从实验角度研究了该薄膜电阻率与表面粗糙度、残余应力的关系,并对结果进行了分析。结果表明:薄膜电阻率随着表面粗糙度及残余应力的增加而增大。分析认为,晶体取向可能在金属薄膜力学性能和功能性之间有某种联... 针对磁控溅射Au金属薄膜,从实验角度研究了该薄膜电阻率与表面粗糙度、残余应力的关系,并对结果进行了分析。结果表明:薄膜电阻率随着表面粗糙度及残余应力的增加而增大。分析认为,晶体取向可能在金属薄膜力学性能和功能性之间有某种联系,并从应变能角度给予了解释。该结果为进一步探讨薄膜力学性能和功能特性的内在关系提供了研究基础。 展开更多
关键词 金属薄膜 电阻 表面粗糙度 残余应力
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(Cr-Si-Ni)/Si薄膜的微观结构和电阻率 被引量:8
13
作者 张玉勤 董显平 吴建生 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期746-750,共5页
采用磁控溅射方法在Si(100)基底上制备了CrSiNi电阻薄膜,研究了不同温度退火时薄膜微观结构的转变过程以及对电阻率的影响。结果表明薄膜在溅射态和低于300℃热处理时为非晶态;退火温度高于300℃以后,薄膜中析出CrSi2晶化相;当退火温度... 采用磁控溅射方法在Si(100)基底上制备了CrSiNi电阻薄膜,研究了不同温度退火时薄膜微观结构的转变过程以及对电阻率的影响。结果表明薄膜在溅射态和低于300℃热处理时为非晶态;退火温度高于300℃以后,薄膜中析出CrSi2晶化相;当退火温度达到600℃时,薄膜中还有少量多晶Si相析出,同时在薄膜与基底界面处还发生了原子的相互扩散;CrSi2晶化相成“岛”状结构,弥散分布在非晶绝缘基底上;薄膜室温电阻率随着退火温度的上升,呈先上升、后下降趋势;薄膜电阻率随退火温度的变化行为与薄膜微观结构的变化以及界面扩散有关。 展开更多
关键词 电阻薄膜 Si基底 微观结构 界面扩散 电阻
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磁控溅射CoCrFeNi高熵合金薄膜的硬度和电阻率研究 被引量:12
14
作者 谈淑咏 刘晓东 +4 位作者 霍文燚 方峰 杜兴 皮锦红 王章忠 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第10期157-162,171,共7页
目的研究溅射功率对CoCrFeNi高熵合金薄膜硬度和电阻率的影响,期望获得同时具有高硬度和高电阻率的高熵合金薄膜,为其在电阻薄膜领域的应用提供实验基础。方法在不同溅射功率条件下(40、60、80、100 W),利用CoCr合金靶、Ni片和Fe片拼接... 目的研究溅射功率对CoCrFeNi高熵合金薄膜硬度和电阻率的影响,期望获得同时具有高硬度和高电阻率的高熵合金薄膜,为其在电阻薄膜领域的应用提供实验基础。方法在不同溅射功率条件下(40、60、80、100 W),利用CoCr合金靶、Ni片和Fe片拼接成合金靶,采用磁控溅射法在硅基底表面沉积CoCrFeNi高熵合金薄膜。利用XRD分析薄膜相结构,通过SEM分析薄膜成分和形貌,利用显微硬度计测量薄膜硬度,采用双电测四点探针法测定薄膜电阻率。结果不同溅射功率下制备的CoCrFeNi薄膜均与基底结合良好,呈柱状生长模式,且合适的溅射功率有助于获得等摩尔比高熵合金薄膜。随着溅射功率由40 W升高至100 W,薄膜结晶性得到改善,形成简单的FCC相,(111)择优生长更加强烈,柱状生长愈加明显,晶粒尺寸增大,硬度和电阻率降低。结论溅射功率对CoCrFeNi薄膜组织和性能具有重要影响。当溅射功率为40 W时,CoCrFeNi薄膜同时具有最高硬度和最大电阻率,其值分别为940.5HV和336.5μΩ?cm。 展开更多
关键词 磁控溅射 CoCrFeNi高熵合金薄膜 硬度 电阻
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低温度系数的CrSi薄膜电阻的制备工艺 被引量:5
15
作者 王飞 陈俊 +4 位作者 王学毅 常小宇 冉明 杨永晖 杨伟 《微纳电子技术》 北大核心 2017年第5期355-359,共5页
采用磁控溅射法制备低温度系数CrSi薄膜电阻,研究了制备过程中溅射条件对CrSi薄膜电阻温度系数的影响,包括溅射功率、衬底加热温度、工艺气体体积流量和反应气体体积流量。这些条件通过改变CrSi薄膜这种不连续金属薄膜中的晶粒大小和晶... 采用磁控溅射法制备低温度系数CrSi薄膜电阻,研究了制备过程中溅射条件对CrSi薄膜电阻温度系数的影响,包括溅射功率、衬底加热温度、工艺气体体积流量和反应气体体积流量。这些条件通过改变CrSi薄膜这种不连续金属薄膜中的晶粒大小和晶粒间距,进而影响CrSi薄膜电阻的电阻率。通过优化溅射功率、衬底加热温度、工艺气体体积流量和反应气体体积流量,得到合适的晶粒大小和晶粒间距,从而得到电阻温度系数为-3.88×10-6/℃的CrSi薄膜,为CrSi薄膜电阻的集成应用提供了工艺基础。 展开更多
关键词 磁控溅射 CrSi薄膜电阻 温度系数 溅射条件 电阻
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薄膜电阻温度计原理性误差分析及数据处理方法研究 被引量:7
16
作者 曾磊 石友安 +2 位作者 孔荣宗 贺立新 桂业伟 《实验流体力学》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第1期79-83,共5页
薄膜电阻温度计是高超声速测热试验中一种常用的传感器,多用于激波风洞中。改进薄膜电阻温度计测热数据的后处理方法,分析其原理性误差,提出修正方法,可以进一步提高热流测量精度,为防热设计提供可靠数据。应用三维热传导理论,考虑热流... 薄膜电阻温度计是高超声速测热试验中一种常用的传感器,多用于激波风洞中。改进薄膜电阻温度计测热数据的后处理方法,分析其原理性误差,提出修正方法,可以进一步提高热流测量精度,为防热设计提供可靠数据。应用三维热传导理论,考虑热流和温升的耦合影响,计算了气动加热条件下薄膜电阻温度计结构温升情况,得到了铂层内的温度分布规律,并与一维半无限简化理论得到的薄膜电阻温度计表层温度相互对比,得到了模型简化带来的原理性误差;建立了由表面温升计算表面热流的导热反问题计算方法,与经典的Cook-Felderman处理公式和热电模拟网络处理方法相互对比,提出了修正热流值的方法,为提高热流测量精度提供了一种可行的手段。 展开更多
关键词 薄膜电阻温度计 热流辨识 数据处理
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直流磁控溅射铂电阻薄膜 被引量:12
17
作者 周鸿仁 刘秀蓉 徐蓓娜 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第6期662-665,共4页
根据薄膜理论和通过成膜工艺实验,研究了影响铂薄膜电阻温度系数的主要因素。1)对铂靶材料的纯度要求高,含杂质极少;2)淀积薄膜要有一定厚度,通常近于1μm才能有较大的α;3)成膜以后,需经过高温热处理,减少缺陷,结晶化... 根据薄膜理论和通过成膜工艺实验,研究了影响铂薄膜电阻温度系数的主要因素。1)对铂靶材料的纯度要求高,含杂质极少;2)淀积薄膜要有一定厚度,通常近于1μm才能有较大的α;3)成膜以后,需经过高温热处理,减少缺陷,结晶化改善。通过大量实验,使用高铝陶瓷基片或微晶玻璃基片,溅射铂薄膜的厚度为800nm,高温热处理1h,可以获得电阻温度系数为3.850×10-3/℃的铂电阻薄膜。 展开更多
关键词 薄膜 热敏电阻 磁控溅射 热处理
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掺杂VO_2相变薄膜的电阻突变特性研究 被引量:11
18
作者 徐时清 赵康 +2 位作者 谷臣清 马红萍 方吉祥 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第5期637-640,共4页
以V2 O5和MoO3粉为原料 ,采用无机溶胶 -凝胶法制备了掺Mo6 + 的VO2 相变薄膜。对掺杂薄膜的物相组成、价态、相结构的XPS和XRD分析及电阻突变量级和电阻突变温度的测试 ,结果发现 :所制备的掺杂薄膜其主要成分是VO2 ,所掺入的MoO3与VO2... 以V2 O5和MoO3粉为原料 ,采用无机溶胶 -凝胶法制备了掺Mo6 + 的VO2 相变薄膜。对掺杂薄膜的物相组成、价态、相结构的XPS和XRD分析及电阻突变量级和电阻突变温度的测试 ,结果发现 :所制备的掺杂薄膜其主要成分是VO2 ,所掺入的MoO3与VO2 完全互溶 ,但其中MoO3的价态未发生改变。掺杂薄膜随MoO3含量的增加其电阻突变温度明显下降 ,然而电阻突变量级也随之降低 ,当MoO3的质量分数为 5 %时 ,薄膜电阻突变温度降至 3 0℃左右 ,电阻突变量级仍可保持 2个数量级左右 。 展开更多
关键词 掺杂 VO2 相变薄膜 电阻突变特性 研究 氧化钒 无机溶胶-凝胶法
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真空感应熔炼靶材磁控溅射生产高阻值薄膜电阻器 被引量:3
19
作者 毛大立 王家敏 +3 位作者 张澜庭 毛立忠 吴建生 王绪亭 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第3期260-263,共4页
介绍了用真空感应熔炼方法生产用于高阻值薄膜电阻器的磁控溅射靶材,并报告了用这种靶材进行薄膜电阻器生产的溅射工艺参数和热处理方法,以及电阻器的电学性能测试结果。实际生产表明,这种用真空感应熔炼方法生产的靶材,完全能用于... 介绍了用真空感应熔炼方法生产用于高阻值薄膜电阻器的磁控溅射靶材,并报告了用这种靶材进行薄膜电阻器生产的溅射工艺参数和热处理方法,以及电阻器的电学性能测试结果。实际生产表明,这种用真空感应熔炼方法生产的靶材,完全能用于薄膜电阻器的磁控溅射并能得到满意的薄膜电阻器的性能指标。 展开更多
关键词 电阻 真空感应熔炼 靶材 磁控 薄膜电阻
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透明电极薄膜的制备及其电阻率测量普通物理实验 被引量:12
20
作者 邱宏 吴平 +4 位作者 李腾飞 潘礼庆 赵雪丹 田跃 马瑞新 《实验技术与管理》 CAS 2007年第2期25-28,共4页
介绍了如何把“透明电极薄膜的制备及其电阻率测量”的实验引入到普通物理实验教学中,用简单的直流溅射镀膜仪制备不同厚度的金属氧化物透明电极薄膜(ZnO:Al薄膜),并用四探针测量了它们的电阻率。该实验是对已经在北京科技大学国... 介绍了如何把“透明电极薄膜的制备及其电阻率测量”的实验引入到普通物理实验教学中,用简单的直流溅射镀膜仪制备不同厚度的金属氧化物透明电极薄膜(ZnO:Al薄膜),并用四探针测量了它们的电阻率。该实验是对已经在北京科技大学国家工科物理基础课程教学基地开设的大学生普通物理实验内容的新扩充。 展开更多
关键词 透明电极薄膜 直流溅射 四探针技术 电阻 普通物理实验
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