Cr^4＋：Ca2GeO4激光晶体X射线光电子能谱分析

采用助溶剂法，以CaF2和CaCl2混合物为助熔剂，生长了0．5wt．％Cr^4＋：Ca2GeO4激光晶体，并进行了XRD拉曼光谱、X射线光电子能谱表征。XRD分析结果表明，获得的晶体为Ca2GeO4相，同时计算了晶格参数。拉曼光谱分析，证实了晶体中锗氧四面体的存在。

A_2Ca[B_4O_5(OH)_4]_2·8H_2O(A=Rb,Cs)合成、FTIR光谱及激光拉曼光谱研究

采用Rb2 CO3 ,Cs2 CO3 ,H3 BO3 和CaCl2 合成了新的硼氧酸盐复盐Rb2 Ca[B4O5(OH) 4 ]2 ·8H2 O和Cs2 Ca[B4O5(OH) 4 ]2 ·8H2 O ,通过化学分析和热分析等确定了化学物的组成。给出了两种化合物的FTIR光谱和Ra man光谱 ,分析了各种谱线的归属。

引上法生长Cr:Mg_2SiO_4晶体中铬的分布和价态

Cr:Mg_2SiO_4晶体作为一种新的激光基质,以其独特的性能,引起了广泛的关注.在该晶体中,铬离子的分凝系数很小,因此在用提拉法生长的Cr:Mg_2SiO_4晶体中,铬离子存在轴向浓度梯度;在凸界面生长的晶体中,晶体的生长界面上出现小面,由于小面和非小面区域的反常分凝等原因,造成晶体中铬离子浓度的经向分布不均,在小面与非小面的交界处存在着较大的浓度梯度,造成晶体中宏观缺陷的出现.Cr:Mg_2SiO_4晶体中,铬离子主要表现为两种形式:Cr^(3+)和Cr^(4+).不同的生长气氛决定着晶体中两种离子的比例.在晶体中,Cr^(3+)离子取代Mg^(2+)离子,Cr^(4+)离子取代Si^(4+)离子.在氧化性气氛下退火不能使晶体中的Cr^(3+)离子氧化成Cr^(4+)离子.

γ射线辐照对Cr掺杂MgAl_(2)O_(4)晶体光谱特征的影响

为评估辐照对Cr:MgAl_(2)O_(4)晶体光谱特性的影响,采用辐照剂量为100 Mrad的^(60)Coγ射线照射抛光后的Cr:MgAl_(2)O_(4)晶体样品片,测量了辐照前后的拉曼光谱、透射光谱和荧光特性,并对辐照前后光谱变化的原因进行了分析。研究结果表明:样品的拉曼振动峰值的位置和强度都受到辐照的影响,但振动峰的数量没有改变;由于色心的吸收,辐照后250∼600 nm波长范围内的透射率均明显降低;辐照前后样品的荧光发射峰位一致,但辐照后荧光强度明显降低,同时辐照后的荧光寿命显著增加。

引上法生长Mg_2SiO_4:Cr单晶中铬的分凝系数

用X射线荧光光谱法测定了提拉法生长的Mg_2Si_4O:Cr单晶体中铬的分凝系数为0.15。分析了实际计算值和理论值之间存在偏差的原因。提出了生长高质量的Mg_2SiO_4:Cr晶体的方法。

Cr^(4+):Ca_2GeO_4激光晶体生长及结构表征

采用助熔剂法,以CaCl2为助熔剂,生长Cr4+:Ca2GeO4新型近红外可调谐激光晶体.通过X射线衍射(XRD)、激光Raman光谱、X射线光电子能谱(XPS)等方法对晶体进行结构表征.结果表明,得到的晶体为单斜晶系镁橄榄石结构的低温γ-Cr4+:Ca2GeO4单晶,晶格参数为a=5.3209(1=0.1nm),b=6.6648,c=11.2606.Raman光谱测试证实了晶体中存在锗酸根离子,并对其进行了振动归属.XPS分析结果表明晶体中的Cr元素是以Cr4+的形式存在的,不含有其他价态的Cr离子。