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CrSi2能带结构和光学性质的第一性原理研究 被引量:1
1
作者 周士芸 谢泉 +1 位作者 闫万珺 陈茜 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第A01期379-383,共5页
采用基于第一性原理的密度泛函理论(DFT)赝势平面波方法,对CrSi2的能带结构、态密度和光学性质进行了理论计算,能带结构计算表明CrSi2属于一种间接带隙半导体,禁带宽度为0.353eV,其能态密度主要由Cr的3d层电子和Si的3p层电子的能... 采用基于第一性原理的密度泛函理论(DFT)赝势平面波方法,对CrSi2的能带结构、态密度和光学性质进行了理论计算,能带结构计算表明CrSi2属于一种间接带隙半导体,禁带宽度为0.353eV,其能态密度主要由Cr的3d层电子和Si的3p层电子的能态密度决定;计算了CrSi2的介电函数、反射率、折射率及吸收系数等。经比较,计算结果与已有的实验数据符合较好。 展开更多
关键词 crsi2 电子结构 光学性质 第一性原理
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ZG40CrSi2Mn3MoReTi铸钢组织与性能的研究 被引量:1
2
作者 刘志学 程巨强 王元辉 《铸造技术》 EI CAS 北大核心 2005年第10期892-894,共3页
研究了ZG40CrSi2Mn3MoReTi铸钢不同热处理后的组织和性能,比较了不同介质中ZG40CrSi2Mn3MoReTi铸钢和高铬铸铁的耐磨性.结果表明,ZG40CrSi2Mn3MoReTi铸钢的组织由贝氏体铁素体和残余奥氏体组成,属新型贝氏体组织,在960℃~1 040℃正火、... 研究了ZG40CrSi2Mn3MoReTi铸钢不同热处理后的组织和性能,比较了不同介质中ZG40CrSi2Mn3MoReTi铸钢和高铬铸铁的耐磨性.结果表明,ZG40CrSi2Mn3MoReTi铸钢的组织由贝氏体铁素体和残余奥氏体组成,属新型贝氏体组织,在960℃~1 040℃正火、250℃~300℃回火后具有较高的强度和韧性;与高铬铸铁相比,在酸性介质中具有良好的耐磨性. 展开更多
关键词 ZG40crsi2Mn3MoReTi铸钢 组织和性能 耐磨性 磨球
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Co元素掺杂CrSi2的第一性原理计算 被引量:1
3
作者 秦铭哲 肖清泉 +2 位作者 何安娜 周士芸 冯磊 《人工晶体学报》 EI CAS 北大核心 2020年第2期229-233,258,共6页
采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波方法,对Co掺杂CrSi2的几何结构、电子结构和光学性质进行了计算与分析。结果表明,掺杂后的CrSi2晶格常数无明显变化,禁带宽度增大。由于Co元素3d电子的影响,在费米能级附近出现了杂质能级。... 采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波方法,对Co掺杂CrSi2的几何结构、电子结构和光学性质进行了计算与分析。结果表明,掺杂后的CrSi2晶格常数无明显变化,禁带宽度增大。由于Co元素3d电子的影响,在费米能级附近出现了杂质能级。掺杂后的CrSi2复介电函数虚部在低能方向发生红移,在小于1.20 eV,大于2.41 eV的能量范围内光跃迁强度增强。吸收系数的主峰向高能方向移动,峰值增大,在小于1.38 eV,大于3.30 eV的能量范围改善了CrSi2对红外光子的吸收。光电导率的主峰向高能方向移动,在小于1.16 eV,大于2.36 eV的能量范围内光电导率增强,说明掺杂Co元素后改善了CrSi2特别是红外光区的光电性质,计算结果为CrSi2光电器件的研究制造提供了理论依据。 展开更多
关键词 第一性原理 crsi2 掺杂 电子结构 光学性质
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CrSi2单晶体的温差电动热的各向异性
4
作者 冀士学 李将录 《现代科技译丛(哈尔滨)》 1995年第4期64-68,共5页
CrSi2是一种重要的应用于热电转换的退化半导体。本文在简要介绍了CrSi2晶体试样的制备、参数测试之后,对其温差电动势的各向异性,基于其原因在于载流子机构的各向异性的设想、把费米·狄拉克分布严密地运用于载流子的... CrSi2是一种重要的应用于热电转换的退化半导体。本文在简要介绍了CrSi2晶体试样的制备、参数测试之后,对其温差电动势的各向异性,基于其原因在于载流子机构的各向异性的设想、把费米·狄拉克分布严密地运用于载流子的统计分布,进行了包括费米·狄拉克积分在内的数值分析。分析结果表明,在与C轴垂直的方向上声子的散射是主要的,而在C轴方向上,除声子散射之外还有电离杂质的散射影响。 展开更多
关键词 crsi2 单晶体 制备 参数 测试 温差电动势
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V掺杂CrSi2能带结构的第1性原理计算 被引量:6
5
作者 周士芸 谢泉 +1 位作者 闫万珺 陈茜 《云南大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2009年第5期484-488,共5页
采用基于第1性原理的密度泛函理论(DFT)赝势平面波方法和广义梯度近似,计算了V掺杂CrS i2体系的能带结构和态密度,计算结果表明,本体CrS i2是具有ΔEg=0.35 eV狭窄能隙的间接带隙半导体,其费米面附近的态密度主要由Cr的3d层电子和S i的3... 采用基于第1性原理的密度泛函理论(DFT)赝势平面波方法和广义梯度近似,计算了V掺杂CrS i2体系的能带结构和态密度,计算结果表明,本体CrS i2是具有ΔEg=0.35 eV狭窄能隙的间接带隙半导体,其费米面附近的态密度主要由Cr的3d层电子和S i的3p层电子的态密度决定;V替代Cr掺杂后,费米能级进入价带,费米面插在价带的中间,带隙变窄,且间接带隙宽度ΔEg=0.25 eV;掺杂后费米面附近的电子能态密度则由Cr的3d层电子、V的3d层电子和S i的3p层电子的态密度共同决定,掺杂后V原子成为受主,在价带顶附近贡献了一定数量的空穴,使掺杂后CrS i2的导电类型变为p型,提高了材料的电导率. 展开更多
关键词 半导体材料 crsi2 掺杂 能带结构 第1性原理
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CrSi2电子结构及光学性质的第一性原理计算 被引量:3
6
作者 周士芸 谢泉 +1 位作者 闫万珺 陈茜 《中国科学(G辑)》 CSCD 北大核心 2009年第2期175-180,共6页
采用基于第一性原理的密度泛函理论赝势平面波方法,对CrSi2的能带结构、态密度和光学性质进行了理论计算,能带结构计算表明CrSi2属于一种间接带隙半导体,禁带宽度为0.353eV;其能态密度主要由Cr的3d层电子和Si的3p层电子的能态密度决定;... 采用基于第一性原理的密度泛函理论赝势平面波方法,对CrSi2的能带结构、态密度和光学性质进行了理论计算,能带结构计算表明CrSi2属于一种间接带隙半导体,禁带宽度为0.353eV;其能态密度主要由Cr的3d层电子和Si的3p层电子的能态密度决定;同时也计算了CrSi2的介电函数、反射率、折射率及吸收系数等.经比较,计算结果与已有的实验数据符合较好. 展开更多
关键词 crsi2 电子结构 光学性质 第一性原理
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应力作用下CrSi2电子结构的第一性原理计算
7
作者 周士芸 谢泉 +1 位作者 闫万珺 陈茜 《中国科学(G辑)》 CSCD 北大核心 2009年第4期587-591,共5页
应用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理平面波超软赝势方法计算了CrSi2在应力作用下的电子结构,分析和比较了体系的能带结构、态密度及应力对CrSi2体系电子结构的影响.计算结果表明CrSi2在单轴向应力的作用下,随着压力的逐渐增大,导带... 应用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理平面波超软赝势方法计算了CrSi2在应力作用下的电子结构,分析和比较了体系的能带结构、态密度及应力对CrSi2体系电子结构的影响.计算结果表明CrSi2在单轴向应力的作用下,随着压力的逐渐增大,导带向高能方向移动,带隙Eg明显展宽;随着负压力的逐渐增大,带隙缓慢减小,当沿a轴的负压力达到约-18.5GPa时,CrSi2将会由间接跃迁型半导体转变为直接跃迁型半导体,直接带隙宽度Eg=0.32eV. 展开更多
关键词 crsi2 第一性原理 应力 电子结构
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稀土La掺杂CrSi_2电子结构与光学性质的第一性原理研究 被引量:5
8
作者 张忠政 张春红 +2 位作者 闫万珺 周士芸 郭本华 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2014年第4期652-656,共5页
基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波方法,对稀土La掺杂CrSi2的几何结构,电子结构和光学性质进行了计算与分析.结果表明,La掺杂后,CrSi2的晶格常数a,b和c均增大,晶格体积增大.La掺杂导致费米面进入价带,带隙明显变窄仅为0.07eV;在... 基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波方法,对稀土La掺杂CrSi2的几何结构,电子结构和光学性质进行了计算与分析.结果表明,La掺杂后,CrSi2的晶格常数a,b和c均增大,晶格体积增大.La掺杂导致费米面进入价带,带隙明显变窄仅为0.07eV;在费米面附近,La原子的5d层电子态密度只占总态密度很小的一部分,而总态密度仍然由Si的3p层和Cr的3d层电子的分波态密度决定;La掺杂后CrSi2的静态介电常数ε1(0)由28.98增大为91.69,ε2(ω)的两个介电峰均向低能方向偏移且增强,光学吸收边向低能方向移动,吸收峰减小.计算结果为CrSi2材料掺杂改性的实验研究提供了理论依据. 展开更多
关键词 crsi2 第一性原理 掺杂 电子结构 光学性质
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第一性原理计算Ti掺杂CrSi_2的光电特性 被引量:6
9
作者 闫万珺 张春红 +2 位作者 周士芸 谢泉 韦会敏 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2014年第1期167-172,共6页
采用第一性原理方法对Ti掺杂CrSi2的几何结构、电子结构、复介电函数、吸收系数、反射谱、折射率和光电导率进行了计算,对Ti置换Cr原子后的光电特性变化进行了分析.结果表明:Ti置换Cr原子后,晶格常数a,b和c均增大,体积变大;Ti的掺入引... 采用第一性原理方法对Ti掺杂CrSi2的几何结构、电子结构、复介电函数、吸收系数、反射谱、折射率和光电导率进行了计算,对Ti置换Cr原子后的光电特性变化进行了分析.结果表明:Ti置换Cr原子后,晶格常数a,b和c均增大,体积变大;Ti的掺入引入了新的杂质能级,导致费米能级插入价带中,Cr11TiSi24变为p型半导体,带隙宽度由未掺杂时的0.38eV变为0.082eV,价带顶和导带底的态密度主要由Cr-d和Ti-d层电子贡献;与未掺杂CrSi2相比,Cr11TiSi24的介电峰发生了红移,仅在1.33eV处有一个峰,而原位于4.53eV处的峰消失;吸收系数,反射率和光电导率明显降低. 展开更多
关键词 Ti掺杂crsi2 第一性原理 电子结构 光学性质
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Ti掺杂的CrSi_2纳米薄膜的微结构和热电性能 被引量:2
10
作者 宋贵宏 柳晓彤 +3 位作者 孟雪 王亚明 陈立佳 贺春林 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第8期2112-2117,2122,共7页
利用高真空磁控溅射设备并顺序沉积Cr、Ti和Si层并随后在500℃真空退火6h,在Si(100)衬底上,获得不同Ti掺杂量的CrSi2薄膜。场发射扫描电镜观察表面形貌显示,沉积薄膜具有7~8nm的晶粒且尺寸比较均匀,Ti含量增加,晶粒尺寸略有增加;X射... 利用高真空磁控溅射设备并顺序沉积Cr、Ti和Si层并随后在500℃真空退火6h,在Si(100)衬底上,获得不同Ti掺杂量的CrSi2薄膜。场发射扫描电镜观察表面形貌显示,沉积薄膜具有7~8nm的晶粒且尺寸比较均匀,Ti含量增加,晶粒尺寸略有增加;X射线衍射谱显示沉积薄膜具有单一CrSi2点阵(111)晶面择优取向,在1.16at%到1.74at%的Ti含量范围内,随Ti含量的增加,CrSi2纳米薄膜的(111)择优取向的程度下降,同时,Ti含量增加,薄膜CrSi2点阵常数增加,这表明Ti在CrSi2晶体中以替位形式存在。随着Ti含量增加,沉积薄膜的霍尔系数降低,空穴浓度增加,同时薄膜空穴载流子的迁移率和Seebeck系数单调下降;受空穴浓度增加和迁移率降低的影响,随Ti含量增加,沉积薄膜电导率和功率因子呈现先增加达到最大值后又下降的趋势。 展开更多
关键词 crsi2薄膜 电导率 迁移率 SEEBECK系数
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掺杂Ti的纳米CrSi_2薄膜的制备 被引量:1
11
作者 宋贵宏 王亚明 +3 位作者 柳晓彤 李锋 陈立佳 贺春林 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第23期23110-23114,共5页
利用多靶磁控溅射设备交替沉积Cr、Ti和Si层,并通过随后的真空退火处理,制备了掺杂Ti的CrSi2薄膜。交替沉积薄膜500℃退火2h,薄膜中除含有(Cr,Ti)Si2相外,还有部分残留的沉积Si相和少量反应生成的CrSi相;退火时间增加,沉积Si相和CrSi相... 利用多靶磁控溅射设备交替沉积Cr、Ti和Si层,并通过随后的真空退火处理,制备了掺杂Ti的CrSi2薄膜。交替沉积薄膜500℃退火2h,薄膜中除含有(Cr,Ti)Si2相外,还有部分残留的沉积Si相和少量反应生成的CrSi相;退火时间增加,沉积Si相和CrSi相减少而(Cr,Ti)Si2相增多;500℃退火6h及以上时,薄膜中仅有(Cr,Ti)Si2相。测量薄膜X射线衍射峰半高宽,利用谢乐公式估算薄膜平均晶粒尺寸表明,退火时间从2h增加到8h,薄膜中(Cr,Ti)Si2相晶粒尺寸由68nm近似线性增加到81nm。退火获得的(Cr,Ti)Si2薄膜具有纳米结构和(111)面单一取向。随着掺杂Ti原子分数的增加,薄膜X射线衍射谱中(Cr,Ti)Si2(111)晶面衍射角逐渐向低角度方向移动,这反映(Cr,Ti)Si2相的晶格常数a和c逐渐增大。晶格常数的变化与掺杂Ti的原子分数近似呈线性关系,这是结构中半径较大的Ti原子替换半径较小的Cr原子所造成的。计算分析显示,单晶Si(100)上(Cr,Ti)Si2(111)晶面外延生长是它们的界面晶格畸变能较低的结果;Ti原子分数增加,(Cr,Ti)Si2薄膜的(111)晶面择优取向程度下降。 展开更多
关键词 crsi2薄膜 Ti掺杂 退火 磁控溅射 外延生长
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空位缺陷对CrSi_2光电性能的影响 被引量:1
12
作者 于立军 张春红 +2 位作者 张忠政 邓永荣 闫万臖 《吉林大学学报(理学版)》 CAS CSCD 北大核心 2015年第3期561-567,共7页
采用第一性原理方法,计算含空位缺陷CrSi2的电子结构和光学性质,并分析含Cr和Si空位缺陷的CrSi2光电性能.结果表明:Cr和Si空位均使CrSi2的晶格常数和体积变小;能带结构密集而平缓,且整体向上移动,Si空位缺陷形成带隙宽度为0.35eV的p型... 采用第一性原理方法,计算含空位缺陷CrSi2的电子结构和光学性质,并分析含Cr和Si空位缺陷的CrSi2光电性能.结果表明:Cr和Si空位均使CrSi2的晶格常数和体积变小;能带结构密集而平缓,且整体向上移动,Si空位缺陷形成带隙宽度为0.35eV的p型间接带隙半导体,Cr空位缺陷在原禁带间出现两条新的能带;含空位缺陷CrSi2的电子态密度仍主要由Cr3d层电子贡献,Si空位缺陷对电子态密度的影响较小,Cr空位缺陷提高了Fermi面处的电子态密度;与CrSi2相比,含空位缺陷CrSi2的介电峰均向低能方向略有偏移且峰值降低,吸收系数明显变小. 展开更多
关键词 crsi2 空位缺陷 光电性能 第一性原理
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某些Al_2Cu型和CrSi_2型化合物的能带结构研究 被引量:1
13
作者 蔡淑惠 刘春万 《化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 1998年第2期117-123,共7页
Al_2Cu型和CrSi_2型固相过渡金属原子簇化合物M_2B(M=Mo,W),M_2Ni(M=Zr,Hf)和MGe_2(M=Nb,Ta)在低温下出现超导行为.本文采用扩展的Hückel近似下的紧束缚能带方法,计算了它们的能带结构,给出了其能带、态密度与晶体轨道重叠布居,讨... Al_2Cu型和CrSi_2型固相过渡金属原子簇化合物M_2B(M=Mo,W),M_2Ni(M=Zr,Hf)和MGe_2(M=Nb,Ta)在低温下出现超导行为.本文采用扩展的Hückel近似下的紧束缚能带方法,计算了它们的能带结构,给出了其能带、态密度与晶体轨道重叠布居,讨论了晶体中化学键强度与超导转变温度的关系. 展开更多
关键词 Al2Cu型 crsi2 超导体 能带结构
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空穴掺杂及温度对CrSi_2热电特性的影响 被引量:2
14
作者 吴瑞峰 《河南农业大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2014年第5期619-622,共4页
采用基于第一性原理的密度泛函理论对CrSi2的能带结构、态密度进行了理论计算,基于半经典玻尔兹曼理论的Boltz Trap程序计算了p型或n型掺杂条件下载流子范围对CrSi2的热电特性的影响.结果表明,z轴方向上的输运特性高于其他方向,p型掺杂C... 采用基于第一性原理的密度泛函理论对CrSi2的能带结构、态密度进行了理论计算,基于半经典玻尔兹曼理论的Boltz Trap程序计算了p型或n型掺杂条件下载流子范围对CrSi2的热电特性的影响.结果表明,z轴方向上的输运特性高于其他方向,p型掺杂CrSi2的热电特性优于n型掺杂的热电特性.较大ZeT值出现温度为1 500K时的p型掺杂,这时载流子单位体积范围为4.578×10^20~7.873×10^20cm^-3,这刚好落在最佳的热电特性所对应的载流子范围(10^19~10^21cm^-3)内. 展开更多
关键词 crsi2 能带结构 热电特性
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Cr_(1-x)Nb_xSi_2固溶体弹性性质、电子结构和光学性质的第一性能计算 被引量:3
15
作者 陈万高 李亚盟 焦照勇 《原子与分子物理学报》 CAS 北大核心 2018年第3期477-484,共8页
采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理计算,对Nb掺杂CrSi_2的晶格结构、弹性性质,电子结构和光学性质进行了系统的研究.研究结果表明:随着Nb掺杂浓度增加,弹性常数、体变模量、剪切模量、杨氏模量均减小,而且能带间隙也逐渐减小,表现... 采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理计算,对Nb掺杂CrSi_2的晶格结构、弹性性质,电子结构和光学性质进行了系统的研究.研究结果表明:随着Nb掺杂浓度增加,弹性常数、体变模量、剪切模量、杨氏模量均减小,而且能带间隙也逐渐减小,表现为p型掺杂特点.基于电子结构计算结果以及已知的实验结果,讨论了Nb掺杂CrSi_2后对其复介电函数、折射率、消光系数、反射率和吸收谱等光学性质的影响. 展开更多
关键词 Nb掺杂crsi2 第一性原理计算 弹性性质 光学性质
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x值对固相合成(Na_(1-x)Li_x)CrSi_2O_6翡翠绿色料的影响研究 被引量:2
16
作者 施玮 陈云霞 +3 位作者 苏小丽 曾涛 刘丽丽 曹春娥 《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心 2016年第12期60-64,共5页
实验以碳酸钠、氧化铬、碳酸锂和石英粉为主要原料,采用固相反应法在无还原剂条件下低温合成了单斜晶系辉石类的(Na_(1-x)Li_x)CrSi_2O_6翡翠绿色料。在初步探讨了不同原料种类对结果的影响基础上,研究了X值的变化对合成色料晶相结构以... 实验以碳酸钠、氧化铬、碳酸锂和石英粉为主要原料,采用固相反应法在无还原剂条件下低温合成了单斜晶系辉石类的(Na_(1-x)Li_x)CrSi_2O_6翡翠绿色料。在初步探讨了不同原料种类对结果的影响基础上,研究了X值的变化对合成色料晶相结构以及呈色效果的影响。采用X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电镜(FESEM)、紫外-可见分光度计(UV-Vis)和色度计分别对合成产物的晶相组成、形貌、结构及呈色进行了表征分析。研究结果表明:随着x值的增大,即碳酸锂量的增加有利于降低辉石类晶体的合成温度和促进色料晶体的发育。在(Na_(1-x)Li_x)Cr_Si_2O_6中以x=0.6的(Na_(0.4)Li_(0.6))CrSi_2O_6配比,在1100℃煅烧、保温2h所得色料呈色最为鲜艳明翠,色度值为L*=57.78,a*=18.98,b*=10.88,此时合成色料的主晶相为LiCrSi_2O_6晶体。UV-Vis光谱的测试结果也表明,随着x值的变化,色料晶体结构也发生了变化,这是由于Li掺入取代部分Na所致。 展开更多
关键词 (Na(1-x)Lix)crsi2O6 翡翠绿色料 固相法 辉石类
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焊接过程中汽-液-固反应机制的研究
17
作者 潘韧坚 张清辉 《电焊机》 2015年第8期195-199,共5页
分析一般焊接过程的反应机制,提出焊接过程除液-固反应机制外可能还存在汽-液-固三相反应机制,并基于已有研究成果确认Cr Si2作为该反应机制的标识物,设计了一种自保护药芯焊丝及焊接工艺,从熔敷金属中检测出Cr Si2,从而证实了焊接过程... 分析一般焊接过程的反应机制,提出焊接过程除液-固反应机制外可能还存在汽-液-固三相反应机制,并基于已有研究成果确认Cr Si2作为该反应机制的标识物,设计了一种自保护药芯焊丝及焊接工艺,从熔敷金属中检测出Cr Si2,从而证实了焊接过程存在汽-液-固三相反应机制。 展开更多
关键词 汽-液-固反应机制 crsi2 Fe-Cr-Mn-Ti-Si合金 自保护药芯焊丝
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二硅化铬在裂解聚碳硅烷制备陶瓷材料中的应用
18
作者 周长江 王光斌 陈朝辉 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第5期52-53,69,共3页
研究了CrSi_2粉在以聚碳硅烷为先驱体裂解制备碳化硅陶瓷材料中的应用,结果表明,CrSi_2粉可促进PCS的裂解反应,增大先驱体的陶瓷产率,能降低先驱体在裂解过程中的线性收缩率,提高陶瓷材料性能。
关键词 二硅化铬粉 聚碳硅烷 先驱体 陶瓷材料 制备
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<i>Ab-Initio</i>Computations of Electronic, Transport, and Related Properties of Chromium Disilicide (CrSi<sub>2</sub>)
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作者 Shaibu Onuche Mathias Yuriy Malozovsky +1 位作者 Lashounda Franklin Diola Bagayoko 《Journal of Modern Physics》 2018年第14期2457-2472,共16页
We report results from ab-initio, self-consistent density functional theory (DFT) calculations of electronic, transport, and related properties of chromium disilicide (CrSi2) in the hexagonal C40 crystal structure. Ou... We report results from ab-initio, self-consistent density functional theory (DFT) calculations of electronic, transport, and related properties of chromium disilicide (CrSi2) in the hexagonal C40 crystal structure. Our computations utilized the Ceperley and Alder local density approximation (LDA) potential and the linear combination of atomic orbitals (LCAO) formalism. As required by the second DFT theorem, our calculations minimized the occupied energies, far beyond the minimization obtained with self-consistency iterations with a single basis set. Our calculated, indirect band gap is 0.313 eV, at room temperature (using experimental lattice constants of a = 4.4276? and c = 6.368 ). We discuss the energy bands, total and partial densities of states, and electron and hole effective masses. This work was funded in part by the US Department of Energy, National Nuclear Security Administration (NNSA) (Award No. DE-NA0003679), the National Science Foundation (NSF) (Award No. HRD-1503226), LaSPACE, and LONI-SUBR. 展开更多
关键词 BAND Gap BZW-EF Method Density Functional Theory BAND Structure crsi2
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Al掺杂浓度对CrSi_2电子结构及光学性质的影响 被引量:20
20
作者 闫万珺 周士芸 +3 位作者 谢泉 郭本华 张春红 张忠政 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第5期163-171,共9页
采用基于第一性原理的赝势平面波方法,对不同Al掺杂浓度CrSi2的几何结构、能带结构、态密度和光学性质进行了计算和比较。几何结构和电子结构的计算表明:Al掺杂使得CrSi2的晶格常数a和b增大,c变化不大,晶格体积增大;Cr(Si1-xAlx)2仍然... 采用基于第一性原理的赝势平面波方法,对不同Al掺杂浓度CrSi2的几何结构、能带结构、态密度和光学性质进行了计算和比较。几何结构和电子结构的计算表明:Al掺杂使得CrSi2的晶格常数a和b增大,c变化不大,晶格体积增大;Cr(Si1-xAlx)2仍然是间接带隙半导体,掺杂使得费米面向价带移动,且随着掺杂量的增大而更深地嵌入价带中,费米能级附近的电子态密度主要由Cr的3d态电子贡献。光学性质计算表明,随着掺杂量的增大,Cr(Si1-xAlx)2的静态介电常数、第一介电峰、折射率n0逐渐增大,平均反射效应减弱,表明Al掺杂有效增强了CrSi2对光的吸收,能够提高其光电转换效率。计算结果为CrSi2光电材料的应用和设计提供了理论指导。 展开更多
关键词 光学材料 crsi2 电子结构 光学性质 掺杂 第一性原理
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