临界态模型对高质量密度Tl_2Ba_2Ca_2Cu_3O_(10)块材样品低磁场磁化曲线的模拟计算

用临界态模型对热均衡压方法制作的高质量密度Ｔｌ２Ｂａ２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏ１０块材样品在低磁场下的磁化曲线进行了模拟计算并与实验结果进行了对比。计算结果表明这种方法制作的样品有较高的粒间临界电流密度。

Y-211粒子与Y_(2)O_(3)粉掺杂的熔融织构YBCO超导体性能及微观研究

采用熔融织构法结合顶部籽晶技术 ,掺杂 Y2 O3粉和 Y- 2 1 1粒子制备了高质量的准单畴熔融织构的 YBCO块材。样品的 Jc测量表明 :临界电流密度 Jc在 1 0 K温度 0 .6T磁场下达到 1 .6×1 0 6 A/ cm2 ;在 70 K温度 2 T磁场下达到 1 .2 4× 1 0 4A/ cm2。扫描电镜观察表明 :掺杂 Y2 O3粉所形成的 Y- 2 1 1粒子是柱状的 ,而掺杂 Y- 2 1 1粒子在母体材料中形成的是球形的 Y- 2 1 1粒子 ,掺杂Y2 O3 粉比 Y- 2 1 1粒子能更有效地改善样品的生长状况。可见 ,Y- 2 1 1粒子与超导母体材料之间的界面对磁通钉扎起主要作用 ,Y- 2 1

通过Nb,Ti扩散反应制备不同成分的超导体

利用Nb片和Ti片交替组配加工,经扩散反应制备了Ti含量在42.56%-56.62%之间的3种不同成分的NbTi超导线。运用扫描电镜(SEM)观察了Nb/Ti界面的扩散形态及微结构,并对热处理工艺和不同Ti含量对临界电流密度(Jc)的影响进行了讨论。结果表明:随着Ti含量增加,可提高超导线在低场(<5T)时的临界电流密度Jc。该工艺制备的NbTi超导线材的Jc可达到2800A/mm2(5T,4.2K)和4200A/mm2(3T,4.2K)。随着Ti含量的增加,试样的Jc在低场时很高,而在高场时的性能偏低,且下降迅速,而Ti含量低的试样的Jc衰减相对缓慢些。对Ti含量较高的合金,在一定温度下,选用较短的热处理时间,可获得高的Jc,对Ti含最较低的合金,则要求较长热处理时间。

银包覆Bi2223超导带材的热压试验研究

对银包覆Ｂｉ２２２３高温超导带材的热压作了系统试验研究，确定了合理的带材热压处理工艺规范。结果表明热压处理能提高超导带中粉芯的密度和晶粒织构度，从而提高超导带材临界电流密度Ｊｃ。超导带材的Ｊｃ与热压的温度、压力、热压与冷压的结合方式等有密切的关系。最大的Ｊｃ为２．２×１０４Ａ／ｃｍ２，７７Ｋ，０Ｔ。

Y_2BaCuO_5粒子掺杂的单畴熔融织构YBCO超导体工艺与性能研究

采用人工掺杂Y 2 11相的方法以及熔融织构生长结合顶部籽晶工艺制备了不同 2 11粒子含量的准单畴熔融织构的YBCO块材料 ,样品致密度高 ,体密度大于 6 2g/cm3 ,机械强度好 ,振动样品磁强计测量结果表明 ,样品在温度 30K、磁场 0 6T下 ,其Jc 仍达到 1 2 3× 10 6A/cm2 .在温度 70K、磁场 2T条件下 ,Jc 仍高达 1 35× 10 4A/cm2 ,而且临界电流密度对磁场不敏感 .扫描电子显微镜分析也表明 ,Y 2 11相的人工掺杂 ,能改善织构样品的生长状况 ,减小微裂纹 ,同时 ,掺杂的Y 2 11粒子能作为强的钉扎中心 ,因此 ,这种工艺能精确地控制样品中Y 2 11粒子的含量 ,所制备的样品中Y 2 11粒子分布越均匀 ,尺寸越小 ,其钉扎效果越好 .从大量实验结果比较得出 ,1∶0 5是最佳的掺杂比例 .

c轴织构1111型铁基超导体临界传输电流密的计算

采用最大网络流量模型和Ford-Fulkerson算法思想编写的Matlab程序在计算c轴织构122型铁基超导体临界传输电流密度时表现出色。变动部分参数后,该模型和计算方法也同样适用于其它铁基超导体。这里计算了c轴织构的1111型铁基超导体在不同温度和磁场下的临界电流密度Jc,并研究了材料的相对密度对Jc的影响。

薄膜厚度对YBCO超导薄膜微结构及临界电流密度的影响

用MOD方法在LAO基片上沉积不同厚度的YBCO薄膜。用X射线衍射仪对这一系列样品进行表征分析,研究随着薄膜厚度的增加微结构的变化及临界电流密度的变化。X射线衍射分析发现YBCO薄膜取向度随薄膜厚度的增加,在800nm时取得最佳值之后又随厚度增加由强变弱。晶格常数c随着膜厚的增加而增大。本研究对这一系列样品进行了扫描分析和摇摆曲线半高宽的计算,并对800nm的YBCO薄膜做了倒易空间图谱分析,实验结果发现800nm的YBCO薄膜晶化比较好。本研究还分析了薄膜厚度对YBCO薄膜临界电流密度的影响。

Y(Dy0.5)Ba_(2)Cu_(3)O_(7-δ)涂层导体的各向异性以及磁通钉扎研究

我们对Y(Dy)Ba_(2)Cu_(3)O_(7-δ)涂层导体的超导转变温度T_(c)、临界电流密度J_(c)、上临界磁场H_(c2)、不可逆场H_(irr)、热激活能U_(0)和磁通钉扎机理进行了系统的研究。结果显示当磁场垂直于(H//c)和平行于(H//ab)样品表面的方向,电阻率的展宽行为有明显的差别,说明电阻率具有很强的磁场诱导的面间各向异性。根据热激活的磁通运动理论,当外加磁场平行于样品表面(H//ab)时,钉扎相对于磁场垂直于样品表面(H//c)时要强,α值分别为0.5和0.57,说明涂层导体在H//c和H//ab时均属于面钉扎类型。