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微流体系统在高功率裸芯片模块上的散热研究 被引量:1
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作者 钱自富 李丽丹 +4 位作者 李鹏 张庆军 李治 刘压军 宋洁 《重庆理工大学学报(自然科学)》 北大核心 2023年第11期372-378,共7页
为解决高热流密度功率裸芯片的散热问题,在功率模块腔体上设置了一种自闭环一体化微流道散热系统。将裸芯片共晶焊接到金刚石,再将金刚石共晶焊接到功率模块腔体,有效降低了裸芯片到功率模块腔体之间的传导热阻。通过实验和仿真探究了... 为解决高热流密度功率裸芯片的散热问题,在功率模块腔体上设置了一种自闭环一体化微流道散热系统。将裸芯片共晶焊接到金刚石,再将金刚石共晶焊接到功率模块腔体,有效降低了裸芯片到功率模块腔体之间的传导热阻。通过实验和仿真探究了微流道形式和流道宽度对散热能力的影响。结果表明:相同条件下交联微流道散热性能较好,同时减小流道宽度,提高芯片温度性能。仿真结果与实验结果具有良好的一致性,最大误差为7.16%。提出的微系统具备较好的散热能力,在环境温度70℃下,可处理的芯片热流密度为320 W/cm^(2)。 展开更多
关键词 微流体散热系统 交联微流道 共晶焊 热阻
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军用装备0201元件的组装工艺研究
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作者 邴继兵 巫应刚 +2 位作者 杨伟 黎全英 毛久兵 《电子质量》 2023年第2期63-68,共6页
随着电子产品向小型化、高集成度方向发展,片式元件也在进一步地小型化。作为这一趋势的结果,0201无源元件成为了无数电子产品选择的解决方案,因为它在产品小型化与功能方面提供了极大的改善。为了满足军工电子产品小型化需求,开展了020... 随着电子产品向小型化、高集成度方向发展,片式元件也在进一步地小型化。作为这一趋势的结果,0201无源元件成为了无数电子产品选择的解决方案,因为它在产品小型化与功能方面提供了极大的改善。为了满足军工电子产品小型化需求,开展了0201封装电阻、电容焊接工艺技术研究。对0201封装元器件焊接合格率的影响因素如焊盘设计、钢网设计、回流焊接参数和焊膏选择等展开了试验探索,运用交叉验证方法,对设计样件进行了工艺方案验证和数据分析,最后得出了0201封装元器件的最佳焊接工艺。 展开更多
关键词 0201元件 组装工艺 电阻 电容 焊盘设计 钢网设计 回流焊接 交叉验证
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Cu/Sn-58Bi/Ni焊点液-固电迁移下Cu和Ni的交互作用 被引量:3
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作者 黄明亮 冯晓飞 +1 位作者 赵建飞 张志杰 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第4期967-974,共8页
采用浸焊方法制备Cu/Sn-58Bi/Ni线性焊点,研究5×103 A/cm2、170℃条件下液-固电迁移对Cu/Sn-58Bi/Ni线性焊点Cu、Ni交互作用以及界面反应的影响。无论电流方向如何,在液-固电迁移过程中焊点均表现为"极性效应",即阳极界... 采用浸焊方法制备Cu/Sn-58Bi/Ni线性焊点,研究5×103 A/cm2、170℃条件下液-固电迁移对Cu/Sn-58Bi/Ni线性焊点Cu、Ni交互作用以及界面反应的影响。无论电流方向如何,在液-固电迁移过程中焊点均表现为"极性效应",即阳极界面金属间化合物(IMC)持续生长变厚,且一直厚于阴极界面的IMC。电迁移显著加快了Cu、Ni原子的交互作用。当电子由Ni流向Cu时,在化学势梯度和电子风力的耦合作用下,Ni原子扩散至阳极Cu侧参与界面反应生成(Cu,Ni)6Sn5类型IMC,同时一定量的Cu原子能够逆电子风扩散到Ni侧,参与界面反应生成(Cu,Ni)6Sn5类型IMC;当电子由Cu流向Ni时,大量的Cu原子扩散至Ni侧,并参与界面反应生成(Cu,Ni)6Sn5类型IMC,然而,Ni原子在逆电子风条件下无法扩散至Cu侧,从而使阴极Cu侧界面始终为Cu6Sn5类型IMC。此外,无论电流方向如何,焊点内都没有出现Bi的聚集。 展开更多
关键词 液-固电迁移 交互作用 Cu/Sn-58Bi/Ni焊点 界面反应 金属间化合物
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Cu-Ni交互作用对Cu/Sn/Ni焊点液固界面反应的影响 被引量:4
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作者 黄明亮 陈雷达 赵宁 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第4期1073-1078,共6页
研究Cu/Sn/Ni焊点在250℃液固界面反应过程中Cu-Ni交互作用对界面反应的影响。结果表明:液固界面反应10 min后,Cu-Ni交互作用就已经发生,Sn/Cu及Sn/Ni界面金属间化合物(IMCs)由浸焊后的Cu6Sn5和Ni3Sn4均转变为(Cu,Ni)6Sn5,界面IMCs形貌... 研究Cu/Sn/Ni焊点在250℃液固界面反应过程中Cu-Ni交互作用对界面反应的影响。结果表明:液固界面反应10 min后,Cu-Ni交互作用就已经发生,Sn/Cu及Sn/Ni界面金属间化合物(IMCs)由浸焊后的Cu6Sn5和Ni3Sn4均转变为(Cu,Ni)6Sn5,界面IMCs形貌也由扇贝状转变为短棒状。在随后的液固界面反应过程中,两界面IMCs均保持为(Cu,Ni)6Sn5类型,但随着反应的进行,界面IMC的形貌变得更加凸凹不平。Sn/Cu和Sn/Ni界面IMCs厚度均随液固界面反应时间的延长不断增加,界面IMCs生长指数分别为0.32和0.61。在液固界面反应初始阶段,Sn/Cu界面IMC的厚度大于Sn/Ni界面IMC的厚度;液固界面反应2 h后,由于Cu-Ni交互作用,Sn/Cu界面IMC的厚度要小于Sn/Ni界面IMC的厚度,并在液固界面反应6 h后分别达到15.78和23.44μm。 展开更多
关键词 Cu—Ni交互作用 液-固界面反应 CU SN Ni焊点 金属间化合物
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Sn-3.8Ag-0.7Cu-1.0Er无铅钎料中Sn晶须变截面生长现象 被引量:6
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作者 郝虎 史耀武 +3 位作者 夏志东 雷永平 郭福 李晓延 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第2期199-203,共5页
在Sn-3.8Ag-0.7Cu无铅钎料中添加质量分数为1%的稀土Er会在其内部形成尺寸较大的稀土相ErSn_3.暴露于空气中ErSn_3将发生氧化,同时在其表面会出现Sn晶须的快速生长现象.室温时效条件下,在氧化的ErSn_3表面会生长出少量的杆状Sn晶须,Sn... 在Sn-3.8Ag-0.7Cu无铅钎料中添加质量分数为1%的稀土Er会在其内部形成尺寸较大的稀土相ErSn_3.暴露于空气中ErSn_3将发生氧化,同时在其表面会出现Sn晶须的快速生长现象.室温时效条件下,在氧化的ErSn_3表面会生长出少量的杆状Sn晶须,Sn晶须的截面尺寸会发生连续变化;高温时效条件下,在氧化的ErSn_3表面会生长出大量的针状Sn晶须,Sn晶须的截面尺寸会发生阶梯式变化.提出了ErSn_3氧化过程中体积应变能是一个变量的模型,可以解释观察到的现象. 展开更多
关键词 无铅钎料 稀土 SN晶须 变截面
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电连接器坑压式压接工艺技术仿真研究 被引量:6
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作者 李逵 朱静 《电子工艺技术》 2016年第2期85-87,102,共4页
针对电子设备压接端接式电连接器的连接技术,简述了坑压式压接工艺技术。为解决不同压接匹配类型的压接钳档位选取问题,建立了某匹配类型的压接过程有限元模型,通过数值模拟获得不同档位的仿真结果。之后通过对比分析仿真结果和金相剖... 针对电子设备压接端接式电连接器的连接技术,简述了坑压式压接工艺技术。为解决不同压接匹配类型的压接钳档位选取问题,建立了某匹配类型的压接过程有限元模型,通过数值模拟获得不同档位的仿真结果。之后通过对比分析仿真结果和金相剖切试验数据,验证了仿真模型的准确性。同时对比各档位的压接截面残存率,得出推荐档位与美军标吻合。研究结果为之后压接工艺技术的研究和应用提供一定的参考依据。 展开更多
关键词 压接工艺 有限元 金相剖切试验 截面残存率
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关于PCBA板使能控制引脚开路的失效分析
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作者 朱建华 《电子产品可靠性与环境试验》 2014年第2期4-9,共6页
介绍了某通信设备中PCBA板使能控制引脚开路的失效分析结果。通过采用外观检查、X射线透视、切片分析、可焊性测试和镀层厚度测量,以及实验验证等一些列技术手段,确定了PCBA板上电源模块功能失效的根本原因,即在高温作用下PCB内层发生... 介绍了某通信设备中PCBA板使能控制引脚开路的失效分析结果。通过采用外观检查、X射线透视、切片分析、可焊性测试和镀层厚度测量,以及实验验证等一些列技术手段,确定了PCBA板上电源模块功能失效的根本原因,即在高温作用下PCB内层发生树脂收缩现象,产生的内应力使内层连接开路。 展开更多
关键词 切片 焊接 引脚开路 失效分析 树脂收缩 玻璃化转变
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核燃料格架电子束交叉焊点破断力稳定性分析
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作者 陈阳 张全彬 李峰 《电焊机》 2019年第8期95-98,共4页
AFA 3G格架是构成燃料组件的关键部件,其A-A′十字焊点拉伸破断力直接影响格架强度和燃料组件在核反应堆内的安全运行。从电子束焊机结构组成和电子束焊接原理入手,统计计算A-A′十字交叉焊点拉伸破断力,分析焊点拉伸破断力的稳定性,对... AFA 3G格架是构成燃料组件的关键部件,其A-A′十字焊点拉伸破断力直接影响格架强度和燃料组件在核反应堆内的安全运行。从电子束焊机结构组成和电子束焊接原理入手,统计计算A-A′十字交叉焊点拉伸破断力,分析焊点拉伸破断力的稳定性,对焊点拉伸破断力出现的波动情况采取针对性措施并开展试验。试验结果表明,影响A-A′十字焊点拉伸破断力波动的关键原因是阴极和栅极之间距离的变化。生产过程中采取及时自检A-A′十字焊点形状和大小以及测量并控制阴极和栅极之间的距离,约220h更换阴极的方法是控制A-A′十字焊点拉伸破断力波动的有效措施。 展开更多
关键词 格架电子束焊 十字交叉焊点 拉伸破断力 稳定性分析
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双排焊端QFN器件焊接工艺的改进研究 被引量:1
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作者 李振玉 《电子工艺技术》 2014年第6期353-357,共5页
单排焊端的QFN焊接工艺趋于成熟,而双排及多排QFN器件给组装过程带来了很大挑战。生产中主要难点在于此类器件与其他较大型器件混装,对焊膏量、共面性的要求比较苛刻。通过分析焊膏印刷原理,同时在比对芯片焊端与PCB焊盘尺寸的基础上,... 单排焊端的QFN焊接工艺趋于成熟,而双排及多排QFN器件给组装过程带来了很大挑战。生产中主要难点在于此类器件与其他较大型器件混装,对焊膏量、共面性的要求比较苛刻。通过分析焊膏印刷原理,同时在比对芯片焊端与PCB焊盘尺寸的基础上,采用调整模板开孔的方式来改善焊膏印刷,使焊接效果达到品质要求。介绍了PCB焊盘阻焊开孔及表面处理工艺、丝印参数在组装过程中的影响以及多排QFN返修工艺。 展开更多
关键词 模板开孔 非阻焊膜定义焊盘 金相切片 X射线检测
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界面耦合作用对Cu(Ni)/Sn-Ag-Cu/Cu(Ni)BGA焊点界面IMC形成与演化的影响 被引量:16
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作者 李勋平 周敏波 +2 位作者 夏建民 马骁 张新平 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第5期611-619,共9页
研究了焊盘材料界面耦合作用对Cu(Ni)/Sn-3.0Ag-0.5Cu/Cu(Ni)BGA(Ball Grid Array)结构焊点焊后态和125℃等温时效过程中界面金属间化合物(IMC)的成分、形貌和生长动力学的影响.结果表明.凸点下金属层(UBM)Ni界面IMC的成分与钎料中Cu含... 研究了焊盘材料界面耦合作用对Cu(Ni)/Sn-3.0Ag-0.5Cu/Cu(Ni)BGA(Ball Grid Array)结构焊点焊后态和125℃等温时效过程中界面金属间化合物(IMC)的成分、形貌和生长动力学的影响.结果表明.凸点下金属层(UBM)Ni界面IMC的成分与钎料中Cu含量有关,钎料中Cu含量较高时界面IMC为(Cu.Ni)6Sn5.而Cu含量较低时,则生成(Cu,Ni)_3Sn_4;Cu-Ni耦合易导致Cu/Sn-3.0Ag 0.5Cu/Ni焊点中钎料/Ni界面IMC异常生长并产生剥离而进入钎料.125℃等温时效过程中.Sn-3.0Ag-0.5Cu/Cu界面IMC的生长速率常数随钎料中Cu含量增加而提高.Cu Cu耦合降低一次回流侧IMC生长速率常数;Cu Ni耦合和Ni-Ni耦合均导致焊点一次回流Ni侧界面IMC的生长速率常数增大,但Ni对界面IMC生长动力学的影响大于Cu;Ni有利于抑制Cu界面Cu_3Sn生长.降低界面IMC生长速率。 展开更多
关键词 无铅焊点 界面耦合 金属间化合物 Kirkendall空洞 剥离现象
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Different Diffusion Behavior of Cu and Ni Undergoing Liquidesolid Electromigration 被引量:1
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作者 M.L.Huang Z.J.Zhang +1 位作者 H.T.Ma L.D.Chen 《Journal of Materials Science & Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2014年第12期1235-1242,共8页
The diffusion behavior of Cu and Ni atoms undergoing liquidesolid electromigration(L-S EM) was investigated using Cu/Sn/Ni interconnects under a current density of 5.0 103A/cm2 at 250℃. The flowing direction of ele... The diffusion behavior of Cu and Ni atoms undergoing liquidesolid electromigration(L-S EM) was investigated using Cu/Sn/Ni interconnects under a current density of 5.0 103A/cm2 at 250℃. The flowing direction of electrons significantly influences the cross-solder interaction of Cu and Ni atoms, i.e., under downwind diffusion, both Cu and Ni atoms can diffuse to the opposite interfaces; while under upwind diffusion,Cu atoms but not Ni atoms can diffuse to the opposite interface. When electrons flow from the Cu to the Ni, only Cu atoms diffuse to the opposite anode Ni interface, resulting in the transformation of interfacial intermetallic compound(IMC) from Ni3Sn4into(Cu,Ni)6Sn5and further into [(Cu,Ni)6Sn5t Cu6Sn5], while no Ni atoms diffuse to the opposite cathode Cu interface and thus the interfacial Cu6Sn5 remained.When electrons flow from the Ni to the Cu, both Cu and Ni atoms diffuse to the opposite interfaces,resulting in the interfacial IMC transformation from initial Cu6Sn5into(Cu,Ni)6Sn5and further into[(Cu,Ni)6Sn5t(Ni,Cu)3Sn4] at the anode Cu interface while that from initial Ni3Sn4into(Cu,Ni)6Sn5and further into(Ni,Cu)3Sn4at the cathode Ni interface. It is more damaging with electrons flowing from the Cu to the Ni than the other way. 展开更多
关键词 Cu/Sn/Ni ELECTROMIGRATION cross-solder interaction Interfacial reaction DIFFUSION
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