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用于DC-SC光阴极微波电子枪中的Cs_2Te光阴极研制
被引量:
2
1
作者
向蓉
林林
+4 位作者
张保澄
鲁向阳
全胜文
王莉芳
赵夔
《原子能科学技术》
EI
CAS
CSCD
2004年第2期185-188,共4页
文章介绍DC SC光阴极微波电子枪中的关键部件———Cs2 Te光阴极的研制。采用两种方法制得了高量子效率要求的Cs2 Te光阴极 ,并实验比较了两种制备方法的效果。针对制备中的超高真空、精确控制Cs原子流量和阴极温度等关键问题 ,设计了用...
文章介绍DC SC光阴极微波电子枪中的关键部件———Cs2 Te光阴极的研制。采用两种方法制得了高量子效率要求的Cs2 Te光阴极 ,并实验比较了两种制备方法的效果。针对制备中的超高真空、精确控制Cs原子流量和阴极温度等关键问题 ,设计了用于DC SC光阴极微波电子枪中的光阴极制备室。
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关键词
DC-SC
光阴
极
微波电子枪
cs2te光阴极
量子效率
制备方法
碲
铯
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职称材料
透射式碲铯(Cs2Te)光阴极厚度不均匀现象消除方法的研究
被引量:
2
2
作者
程宏昌
石峰
+2 位作者
冯刘
刘晖
史鹏飞
《应用光学》
CAS
CSCD
2008年第4期557-561,共5页
为解决透射式Cs2Te光阴极厚度不均匀问题,通过理论和实验研究,分析了产生此问题的机理及其影响因素。这些因素包括:蒸发源发生器形状及其与阴极基底之间的相对位置;Cs/Te原子在阴极基底表面上完成化学反应所需的结合能以及制作阴极前基...
为解决透射式Cs2Te光阴极厚度不均匀问题,通过理论和实验研究,分析了产生此问题的机理及其影响因素。这些因素包括:蒸发源发生器形状及其与阴极基底之间的相对位置;Cs/Te原子在阴极基底表面上完成化学反应所需的结合能以及制作阴极前基底表面所能达到的温度均匀性水平等。实验证明,上述最后一个因素是影响Cs2Te光阴极厚度不均匀的主要原因。通过改变加温程序,优化保温时间,均衡阴极基底与阴极托盘温度梯度等途径,使得制作的透射式Cs2Te光阴极厚度不均匀性由原来的76.4%,改善为<10%。
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关键词
cs2te光阴极
厚度均匀性
蒸发源
阴
极
基底
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职称材料
题名
用于DC-SC光阴极微波电子枪中的Cs_2Te光阴极研制
被引量:
2
1
作者
向蓉
林林
张保澄
鲁向阳
全胜文
王莉芳
赵夔
机构
北京大学重离子物理研究所射频超导加速器实验室
出处
《原子能科学技术》
EI
CAS
CSCD
2004年第2期185-188,共4页
文摘
文章介绍DC SC光阴极微波电子枪中的关键部件———Cs2 Te光阴极的研制。采用两种方法制得了高量子效率要求的Cs2 Te光阴极 ,并实验比较了两种制备方法的效果。针对制备中的超高真空、精确控制Cs原子流量和阴极温度等关键问题 ,设计了用于DC SC光阴极微波电子枪中的光阴极制备室。
关键词
DC-SC
光阴
极
微波电子枪
cs2te光阴极
量子效率
制备方法
碲
铯
Keywords
cs
2
te
photocathode
quantum efficiency
superconducting electron gun
分类号
TL503.3 [核科学技术—核技术及应用]
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职称材料
题名
透射式碲铯(Cs2Te)光阴极厚度不均匀现象消除方法的研究
被引量:
2
2
作者
程宏昌
石峰
冯刘
刘晖
史鹏飞
机构
微光夜视技术国防科技重点实验室
出处
《应用光学》
CAS
CSCD
2008年第4期557-561,共5页
文摘
为解决透射式Cs2Te光阴极厚度不均匀问题,通过理论和实验研究,分析了产生此问题的机理及其影响因素。这些因素包括:蒸发源发生器形状及其与阴极基底之间的相对位置;Cs/Te原子在阴极基底表面上完成化学反应所需的结合能以及制作阴极前基底表面所能达到的温度均匀性水平等。实验证明,上述最后一个因素是影响Cs2Te光阴极厚度不均匀的主要原因。通过改变加温程序,优化保温时间,均衡阴极基底与阴极托盘温度梯度等途径,使得制作的透射式Cs2Te光阴极厚度不均匀性由原来的76.4%,改善为<10%。
关键词
cs2te光阴极
厚度均匀性
蒸发源
阴
极
基底
Keywords
cs
2
te
photocathode
thickness uniformity
vaporizing source
photocathode substra
te
分类号
TN223-34 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
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被引量
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1
用于DC-SC光阴极微波电子枪中的Cs_2Te光阴极研制
向蓉
林林
张保澄
鲁向阳
全胜文
王莉芳
赵夔
《原子能科学技术》
EI
CAS
CSCD
2004
2
下载PDF
职称材料
2
透射式碲铯(Cs2Te)光阴极厚度不均匀现象消除方法的研究
程宏昌
石峰
冯刘
刘晖
史鹏飞
《应用光学》
CAS
CSCD
2008
2
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职称材料
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