Rb_2Te(Cs)日盲紫外光电阴极研究

简述了Rb2Te（Cs）日盲紫外阴极的制作工艺并制作了Rb2Te（Cs）日盲紫外阴极样品。测量了Rb2Te（Cs）日盲紫外阴极样品的光谱响应、光谱反射率和250nm波长激发条件下的荧光谱。测量结果表明，在现有工艺条件下，Rb2Te（Cs）日盲紫外阴极的灵敏度高于cs2Te日盲紫外阴极，与Cs2Te日盲紫外阴极相比，光谱响应的峰值波长更短，位于250nm，而长波截止波长位于312nm。另外Rb2Te（Cs）日盲紫外阴极的短波日盲特性更好，633nm的光谱灵敏度为1015mA／W的数量级，较Cs2Te日盲紫外阴极低两个数量级。光谱反射率测量结果表明，Rb2Te（Cs）日盲紫外阴极的光谱反射率在200~400nm的波长范围内均高于Cs2Te日盲紫外阴极，而在400~600nm的波长范围内，反射率却低于Cs2Te日盲紫外阴极。Rb2Te（Cs）日盲紫外阴极的光谱反射率曲线与Cs2Te日盲紫外阴极的光谱反射率曲线相比较，曲线的形状相似，反射干涉加强峰的波长基本相同，由此可推断出Rb：Te（Cs）紫外阴极的折射率与Cs2Te紫外阴极的折射率基本相同，仅在长波范围内稍有区别。荧光谱的测试结果表明，在同样条件下，在200~450nm的波长范围内，Rb2Te（Cs）紫外阴极的荧光弱于Cs2Te紫外阴极的荧光，原因是Rb2Te（Cs）阴极的光谱反射率高于Cs2Te紫外阴极的光谱反射率，因此光吸收更少，导致荧光更弱。所以Rb2Te（Cs）日盲紫外阴极同Cs2Te日盲紫外阴极的性能类似，均可用于日盲紫外探测成像器件。

Rb_2Te与Cs_2Te日盲紫外阴极比较研究

叙述了Rb2Te日盲紫外阴极的制作工艺并制作了Rb2Te日盲紫外阴极。测量了Rb2Te和Cs2Te两种日盲紫外阴极的光谱响应、光谱反射率、光谱吸收率和250 nm波长激发条件下的荧光谱。测量结果表明,Rb2Te日盲紫外阴极的光谱响应更高,但光谱响应的峰值和长波截止波长也更短。Rb2Te日盲紫外阴极光谱响应的峰值波长位于225 nm,长波截止波长位于315 nm,而Cs2Te日盲紫外阴极光谱响应的峰值波长位于250 nm,长波截止波长位于323 nm。另外Rb2Te日盲紫外阴极的日盲特性更好,633 nm波长的光谱响应为10-5mA/W的数量级,较Cs2Te日盲紫外阴极低一个数量级。光谱反射率的测量结果表明,Rb2Te日盲紫外阴极的光谱反射率曲线形状与Cs2Te日盲紫外阴极的光谱反射率曲线形状相似,区别是整个光谱反射率曲线向短波方向移动,且波长越长,移动越大。另外Rb2Te日盲紫外阴极的光谱反射率在200-450 nm的波长范围内均低于Cs2Te日盲紫外阴极的光谱反射率,由此可推断出Rb2Te紫外阴极的折射率低于Cs2Te紫外阴极的折射率,并且波长越长,折射率差别越大。光谱吸收率的测量结果表明,Rb2Te日盲紫外阴极的吸收率大于Cs2Te紫外阴极的吸收率。光谱吸收率越高,光谱响应也越高,与光谱响应的测量结果相吻合。荧光谱的测试结果表明,在250 nm波长激发条件下,在200-450nm的波长范围内,Rb2Te紫外阴极的荧光强于Cs2Te紫外阴极的荧光,原因是Rb2Te阴极的吸收率高于Cs2Te紫外阴极的吸收率。光谱吸收率越高,荧光越强,这同样与光谱响应的测试结果相吻合。所以Rb2Te日盲紫外阴极与Cs2Te日盲紫外阴极相比,性能更优,可用于日盲紫外探测器。

K_2Te(Cs)日盲紫外光电阴极研究

研究了K2Te（Cs）日盲紫外阴极的制作工艺并制作了K2Te（Cs）日盲紫外阴极.测量了K2Te（Cs）日盲紫外阴极样品的光谱响应、光谱反射率和250nm波长激发条件下的荧光谱,测量结果表明：与Cs2Te日盲紫外阴极相比,在现有工艺条件下,K2Te（Cs）日盲紫外阴极的灵敏度高于Cs2Te日盲紫外阴极,光谱响应的峰值波长更短,位于250nm,而长波截止波长位于336nm;633nm的光谱灵敏度为10-4 mA/W数量级,较Cs2Te日盲紫外阴极低一个数量级.光谱反射率测量结果表明：K2Te（Cs）日盲紫外阴极的光谱反射率在200~437nm的波长范围内,均高于Cs2Te日盲紫外阴极,而在437~600nm的波长范围内,反射率却与Cs2Te日盲紫外阴极基本相同;折射率及消光系数也低于Cs2Te日盲紫外阴极.荧光谱测试结果表明：在同样条件下,250~350nm波长范围内,由于K2Te（Cs）紫外阴极的荧光强于Cs2Te紫外阴极,因此跃迁电子数量更多,阴极灵敏度更高,比较适用于日盲紫外探测成像器件的制造.

Cs_2Te紫外光电阴极带外光谱响应研究

利用强光源作为激励,测量了Cs_2Te紫外光电阴极带外光谱响应。结果表明Cs_2Te紫外光电阴极的带外光谱响应较低,与带内光谱响应相比相差几个数量级。带内光谱响应的峰值灵敏度可以大于40 m A/W,但对带外光谱响应,如对550 nm的波长,其光谱响应可以低至10-3 m A/W数量级。对采用同样工艺所制作的Cs_2Te紫外光电阴极,其带外光谱响应的离散性较大。根据对3种不同可见光阴极,即Na2KSb（Cs）多碱光电阴极、K2Cs Sb双碱光电阴极以及Ga As（Cs-O）光电阴极带外光谱响应的测试,证明这3种可见光阴极均存在不同大小的带外光谱响应。测试数据表明,带外光谱响应与逸出功（正电子亲和势光电阴极）或禁带宽度（负电子亲和势光电阴极）的大小相关。逸出功越低或禁带宽度越小,带外光谱响应越大。根据光电发射的方程,可以推测出Cs_2Te紫外光电阴与上述3种可见光光电阴极一样,产生带外光谱响应的原因是多光子吸收,即多光子效应。由于Cs_2Te紫外光电阴极存在带外光谱响应,因此当采用Cs_2Te紫外光电阴极的“日盲”像增强器在强烈的太阳光下或直对太阳光使用时,会受到太阳光的干扰或看到太阳的像,不具备日盲特性。为了使“日盲”紫外像增强器完全具备日盲特性,需要“日盲”紫外像增强器Cs_2Te紫外阴极前增加“日盲”滤光片,利用“日盲”滤光片消去Cs_2Te紫外阴极的带外光谱响应达到“日盲”的目的。因此在实际应用过程中,“日盲”滤光片是必不可少的。“日盲”滤光片设计的依据是Cs_2Te紫外阴极对太阳辐射的响应度。Cs_2Te紫外阴极对太阳辐射的响应主要集中在350~650 nm之间,因此“日盲”滤光片主要应对该波段的可见光进行衰减。只有使用与Cs_2Te紫外阴极带外光谱响应相匹配的“日盲”滤光片才有可能使“日盲”紫外像增强器具备“日盲”特性。

透射式碲铯(Cs2Te)光阴极厚度不均匀现象消除方法的研究

为解决透射式Cs2Te光阴极厚度不均匀问题,通过理论和实验研究,分析了产生此问题的机理及其影响因素。这些因素包括:蒸发源发生器形状及其与阴极基底之间的相对位置;Cs/Te原子在阴极基底表面上完成化学反应所需的结合能以及制作阴极前基底表面所能达到的温度均匀性水平等。实验证明,上述最后一个因素是影响Cs2Te光阴极厚度不均匀的主要原因。通过改变加温程序,优化保温时间,均衡阴极基底与阴极托盘温度梯度等途径,使得制作的透射式Cs2Te光阴极厚度不均匀性由原来的76.4%,改善为<10%。

用于DC-SC光阴极微波电子枪中的Cs_2Te光阴极研制

文章介绍DC SC光阴极微波电子枪中的关键部件———Cs2 Te光阴极的研制。采用两种方法制得了高量子效率要求的Cs2 Te光阴极 ,并实验比较了两种制备方法的效果。针对制备中的超高真空、精确控制Cs原子流量和阴极温度等关键问题 ,设计了用于DC SC光阴极微波电子枪中的光阴极制备室。

K_2Te日盲紫外阴极研究(英文)

叙述了K2Te日盲紫外阴极的制作工艺并制作了K2Te日盲紫外阴极，测量了K2Te日盲紫外阴极的光谱响应、光谱反射率、光谱吸收率和250 nm波长激发条件下的荧光谱。与Cs2Te日盲紫外阴极相比较，K2Te日盲紫外阴极的光谱响应较低，而且光谱响应的峰值波长更短，长波截止波长也更短。K2Te日盲紫外阴极光谱响应的峰值波长位于215 nm，长波截止波长位于305 nm，而Cs2Te日盲紫外阴极光谱响应的峰值波长位于250 nm，长波截止波长位于323 nm。另外K2Te日盲紫外阴极的日盲特性更好，633 nm波长的光谱响应为10－6 mA/W的数量级，较Cs2Te日盲紫外阴极低一个数量级。光谱反射率的测量结果表明，K2Te日盲紫外阴极的光谱反射率曲线形状与Cs2Te日盲紫外阴极的光谱反射率曲线形状相似，区别是整个光谱反射率曲线向短波方向移动，且波长越长，移动越大。另外K2Te日盲紫外阴极的光谱反射率在200～450 nm的波长范围内均高于Cs2Te日盲紫外阴极的光谱反射率，由此可推断出K2Te 紫外阴极的折射率高于Cs2Te 紫外阴极的折射率，并且波长越长，折射率差别越大。光谱吸收率的测量结果表明，K2Te 日盲紫外阴极的吸收率低于Cs2Te 紫外阴极的吸收率。光谱吸收率越高，光谱响应也越高，与光谱响应的测量结果相吻合。荧光谱的测试结果表明，在250 nm 波长激发条件下，在200～450 nm 的波长范围内，K2Te 紫外阴极的荧光弱于Cs2Te 紫外阴极的荧光，原因是K2Te 阴极的吸收率低于Cs2Te 紫外阴极的吸收率。光谱吸收率越高，荧光越强，这同样与光谱响应的测试结果相吻合。所以K2Te 日盲紫外阴极与Cs2Te 日盲紫外阴极相比，尽管光谱响应较低，但日盲特性更好，因此也可用作为日盲紫外探测器的紫外阴极。

紫外光电阴极研究进展

本文对传统的紫外光电阴极以及新型的宽禁带半导体光电阴极进行了总结和分析,并介绍了它们目前的研究现状。同时,针对紫外探测的需求,提出了它们目前还存在的一些问题,并对未来改进紫外光电阴极性能提出了一些设想和方法。

高量子效率碲化铯紫外日盲阴极研制

碲化铯(Cs2Te)阴极是紫外探测器的重要组成部分,其研究的时间较早,在某些紫外探测领域得到了良好应用。但是,同时具有高量子效率及良好日盲特性的阴极制备工艺还需要进一步探索。本文采用电子束蒸发镀膜在石英窗上制备金属Ni膜作为Cs2Te阴极的导电基底,用四探针测试仪、高阻计和分光光度计研究了薄膜的方块电阻和透过率关系。在超高真空系统中进行Cs2Te阴极制备,研究Te膜厚度对阴极量子效率的影响关系。用X光能量色散谱分析Cs2Te光电阴极的组分,研究Cs量与阴极日盲特性的影响关系。结果表明,最佳Ni膜厚度为1.0 nm,其电阻为107Ω/□左右,其紫外波段透过率高达80%;Cs2Te阴极的Te膜厚度为2.0nm时,光电阴极量子效率达12%;当Cs2Te阴极中Cs过量,其波长响应向长波方向延伸,Cs欠量,阴极量子效率降低。

Cs_2 Te photocathode fabrication system at Peking University

A cesium telluride （Cs 2 Te） photocathode with a quantum efficiency of 13% at 253.7 nm （radiant incidence 200 μW/cm 2 ） is fabricated by tellurium and cesium vapor deposition onto a stainless-steel substrate. The cesium telluride cathode will be used to provide a high-brightness electron beam source for the 3＋1/2 photo-injector at Peking University. The design of the system, the fabrication procedures and the preliminary experimental results are presented in this paper.

Exploration of iron-chalcogenide superconductors

Iron-chalcogenide compounds with FeSe（Te, S） layers did not attract much attention until the discovery of high-Tc superconductivity （SC） in the iron-pnictide compounds at the begining of 2008. Compared with FeAs-based superconductors, iron-chalcogenide superconductors have aroused enormous enthusiasm to study the relationship between SC and magnetisms with several distinct features, such as different antiferromagnetic ground states with relatively large moments in the parents, indicating possibly different superconducting mechanisms, the existence of the excess Fe atoms or Fe vacancies in the crystal lattice. Another reason is that the large single crystals are easily grown for the iron-chalcogenide compounds. This review will focus on our exploration for the iron-chalcogenide superconductors and discussion on several issues, including the crystal structure, magnetic properties, superconductivity, and phase separation. Some of them reach a consensus but some important questions still remain to be answered.