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Particle identification using CsI(Tl) crystal with three different methods
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作者 LAN Changlin RUAN Xichao +2 位作者 LIU Gang KONG Xiangzhong ZHOU Zuying 《Nuclear Science and Techniques》 SCIE CAS CSCD 2008年第6期354-357,共4页
Three pulse-shape-discrimination (PSD) methods are applied to study the particle identification (PID) by using CsI(Tl) crystal, especially for identifying light charged particles. The zero-cross time method, fast and ... Three pulse-shape-discrimination (PSD) methods are applied to study the particle identification (PID) by using CsI(Tl) crystal, especially for identifying light charged particles. The zero-cross time method, fast and total component method and signal rise time method are used. The experiment, data analysis and results are compared. Good PID for p, α and γ can be achieved with a CsI(Tl)-photomultiplier assembly. 展开更多
关键词 csi(tl)晶体 PID PSD 原子核 核技术
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5-24 Application of CsI(Tl) Crystals for the Imaging
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作者 Shi Guozhu Chen Ruofu +2 位作者 Li Songlin Shen Aihua Li Hengyuan 《IMP & HIRFL Annual Report》 2015年第1期248-248,共1页
Depend on the good performance, the CsI crystal developed by the Crystal Detector Group has a good reputation in the international market. So far, In addition to meeting the needs of the external target experimental t... Depend on the good performance, the CsI crystal developed by the Crystal Detector Group has a good reputation in the international market. So far, In addition to meeting the needs of the external target experimental terminal in the CSR, pieces of CsI(Tl) crystals have been sold to some international and domestic research institutes, colleges and universities. They have been used for kinds of experiments in some well-known labs in German, America and Japan, and so on. 展开更多
关键词 APPLICATION csi(tl) crystalS
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半导体探测器的厚度确定及CsI(Tl)的刻度 被引量:4
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作者 魏志勇 段利敏 +9 位作者 吴和宇 靳根明 李祖玉 张保国 王宏伟 肖志刚 柳永英 王素芳 诸永泰 胡荣江 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 2001年第6期468-472,共5页
根据核反应过程中发射带电粒子在硅半导体中的最大能量沉积 ,利用带电粒子在硅半导体中的阻止本领曲线 ,同时实现半导体探测器的厚度确定及与之组合的CsI(Tl)
关键词 能量刻度 半导体探测器 厚度 碘化铯晶体
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中能重离子在位置灵敏CsI(Tl)探测器中能损与光输出响应的关系 被引量:4
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作者 武大鹏 章学恒 +13 位作者 杨彦云 姚向武 王建松 胡正国 陈金达 唐彬 臧永东 岳珂 涂小林 徐治国 陈若富 付芬 徐瑚珊 詹文龙 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第7期550-555,共6页
描述了一种双维位置灵敏CsI(Tl)探测器的结构及其读出系统,用中能次级束研究其能损与光输出关系。使用Bρ+(ΔE-TOF)方法鉴别次级束,刻度了CsI(Tl)探测器位置信号的线性,并用其光输出与入射粒子的A、Z关系刻度其能量。结果表明,CsI(Tl)... 描述了一种双维位置灵敏CsI(Tl)探测器的结构及其读出系统,用中能次级束研究其能损与光输出关系。使用Bρ+(ΔE-TOF)方法鉴别次级束,刻度了CsI(Tl)探测器位置信号的线性,并用其光输出与入射粒子的A、Z关系刻度其能量。结果表明,CsI(Tl)探测器输出信号的ADC读出与QDC读出(即其光输出)有很好的线性关系。 展开更多
关键词 csi(tl)探测器 光输出 能损 能量刻度
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CsI(Tl)晶体发光均匀性的研究 被引量:4
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作者 邓群 沈定中 殷之文 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1997年第1期24-26,共3页
本文对Tl分布、几何形状以及表面条件对大尺寸锥形CsI(Tl)晶体的闪烁发光均匀性的影响进行了研究,提出了改善大尺寸锥形CsI(Tl)晶体的发光均匀性的措施.
关键词 晶体 发光 均匀性 碘化铯
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(α、γ)分辨在测量CsI(Tl)晶体固有放射性本底中的应用 被引量:4
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作者 刘延 李金 +2 位作者 王子敬 夏小米 赖元芬 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 2001年第6期497-502,共6页
描述了通过CAMAC -微机进行数据采集 ,用电荷比较法测量CsI(Tl)晶体的 (α、γ)分辨性能的方法 ;同时利用此方法测量了CsI(Tl)晶体固有放射性含量 ,估算了晶体内2 38U和2 32 Th的含量。
关键词 脉冲形状甄别 电荷比较法 (α、γ)分辨 csi(tl)晶体 固有放射性 中微子测量 碘化铯晶体 无机闪烁体
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非真空坩埚下降法生长CsI(Tl)晶体的闪烁性能 被引量:1
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作者 任国浩 陈晓峰 +3 位作者 薛炫萍 李中波 沈勇 陆晟 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第4期385-389,共5页
研究了用非真空铂坩埚下降法生长的CsI(Tl)晶体的在紫外和γ射线激发下的光致发光和光衰减特征,探索了CsI(Tl)晶体的发光强度和发光不均匀性与Tl离子含量和分布之间的关系以及改善晶体发光均匀性的措施。并对CsI(Tl)晶体在γ射线辐照下... 研究了用非真空铂坩埚下降法生长的CsI(Tl)晶体的在紫外和γ射线激发下的光致发光和光衰减特征,探索了CsI(Tl)晶体的发光强度和发光不均匀性与Tl离子含量和分布之间的关系以及改善晶体发光均匀性的措施。并对CsI(Tl)晶体在γ射线辐照下光输出随积分时间和辐照剂量的变化做了分析和讨论。实验表明,用这种方法所生长的CsI(Tl)晶体的发射波长、衰减时间和辐照硬度与其他方法生长的同类晶体相同。 展开更多
关键词 csi(tl)晶体 光输出 tl离子 非均匀性 辐照硬度
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自制CsI(Tl)晶体的能量测量性能
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作者 樊瑞睿 陈若富 +14 位作者 徐瑚珊 肖志刚 李松林 黄天衡 孙志宇 徐治国 胡正国 毛瑞士 付芬 张宏斌 郑川 章学恒 高辉 高启 李波 《核技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第6期507-510,共4页
本文介绍了近代物理研究所自行生长的CsI(Tl)晶体用于γ射线及重离子能量测量的结果。测量662keVγ射线时得到好于10%的能量分辨(采用光电倍增管读出),同时光输出可达到同类型晶体的130%;测量能量为30MeV/u左右的重离子时得到好于2%的... 本文介绍了近代物理研究所自行生长的CsI(Tl)晶体用于γ射线及重离子能量测量的结果。测量662keVγ射线时得到好于10%的能量分辨(采用光电倍增管读出),同时光输出可达到同类型晶体的130%;测量能量为30MeV/u左右的重离子时得到好于2%的能量分辨(采用光二极管读出)。 展开更多
关键词 csi(tl)晶体 能量分辨 光输出
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CsI(Tl)晶体量能器探测单元宇宙射线实验的建立与调试
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作者 蔡啸 尚雷 +24 位作者 边渐明 陈文君 董明义 方建 赖元芬 李光义 刘春秀 刘万金 穆礼光 秦刚 单利民 孙丽君 王曼 王志刚 夏小米 谢文杰 严亮 俞伯祥 袁诚 张宏杰 赵正印 张振华 周莉 胡涛 吕军光 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第2期386-390,409,共6页
建立一套CsI(Tl)晶体量能器探测单元的宇宙射线测量系统,用于探测器单元的质量检测,以及发光强度与均匀性测量。本文针对于此实验装置的径迹与定位系统、电子学系统的研究作了较为详尽的说明,并对前期的Monte Carlo研究作了简要介绍。
关键词 csi(tl)晶体 能量分辨率 均匀性 波移剂光纤 蒙特卡罗
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CsI(Tl)晶体发光均匀性对能量线性和分辨率的影响及修正方法的研究
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作者 谢文杰 秦纲 +16 位作者 单利民 尚雷 王志刚 刘春秀 俞伯祥 董明义 蔡啸 周莉 夏小米 赖元芬 王曼 刘万金 孙丽君 方建 严亮 胡涛 吕军光 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第1期56-60,64,共6页
本文研究了CsI(TL)晶体发光输出不均匀性对能量分辨率以及能量线性的影响,并在假设晶体均匀性已知情况下探讨了修正能量分辨率和线性的可行性。
关键词 csi(tl)晶体量能器 能量线性 能量分辨率 发光输出不均匀性 修正
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大面积CsI(Tl)闪烁晶体生长的研究 被引量:1
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作者 张凤银 任绍霞 +1 位作者 于红智 李志宏 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第S1期79-,共1页
CsI(Tl)晶体密度大 ,发光中心波长长 ,余辉时间短 ,光产额高 ,易于加工 ,是综合性能优良的闪烁体 ,近年来在高能物理、核物理和医学等领域得到广泛应用。大面积高效短余辉透明闪烁转换屏要求晶体能量转换效率高、余辉时间短、透明、发... CsI(Tl)晶体密度大 ,发光中心波长长 ,余辉时间短 ,光产额高 ,易于加工 ,是综合性能优良的闪烁体 ,近年来在高能物理、核物理和医学等领域得到广泛应用。大面积高效短余辉透明闪烁转换屏要求晶体能量转换效率高、余辉时间短、透明、发光中心波长位于可见光范围 ,因而CsI(Tl)晶体成为转换屏的首选材料。本实验就是进行满足上述要求的大面积CsI(Tl)闪烁晶体生长的研究。采用坩埚下降法 ,将高纯碘化铯原料进行预处理后 ,掺入一定的TlI粉料生长晶体。针对晶体截面积大 ( 2 0 0mm× 2 0 0mm)的特点 ,设计合理的晶体生长温场 ,通过实验确定了最佳工艺参数。转换屏用闪烁晶体要求密度均匀 ,即对均匀入射的γ光子响应均匀。实验表明 ,TlI的掺入量及其在晶体中的分布是影响晶体这一性能的关键因素。实验确定了TlI的最佳掺入量的范围 ,通过控制生长工艺生长出TlI分布均匀的CsI(Tl)闪烁晶体 ,加工尺寸为 2 0 0mm× 2 0 0mm× 1 0mm。 展开更多
关键词 csi(tl)晶体 闪烁晶体 布里奇曼法
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CSR外靶实验终端中CsI(Tl)晶体的测试 被引量:1
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作者 石国柱 李松林 +1 位作者 胡强 李恒远 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第B09期435-438,共4页
为测量重离子加速器冷却储存环(HIRFL-CSR)的外靶实验终端上不同能量的γ射线,一种用于探测γ射线的高能量分辨的探测装置正在中国科学院近代物理研究所建设,该探测器由中国科学院近代物理研究所自行生长的铊激活的碘化铯CsI(Tl)晶体组... 为测量重离子加速器冷却储存环(HIRFL-CSR)的外靶实验终端上不同能量的γ射线,一种用于探测γ射线的高能量分辨的探测装置正在中国科学院近代物理研究所建设,该探测器由中国科学院近代物理研究所自行生长的铊激活的碘化铯CsI(Tl)晶体组成。与日本Hamamatsu公司生产的S8664-1010型雪崩光二极管(APD)耦合,测试其光输出的非均匀性和能量分辨,从测试结果给出了所需CsI(Tl)晶体合格的标准。目前已完成该γ探测球计划的六分之一,所提供的晶体合格率达94%以上。 展开更多
关键词 csi(tl)晶体 雪崩光二极管 光输出 非均匀性 能量分辨
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CsI(Tl)闪烁晶体研究进展 被引量:13
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作者 郭亚军 杨春晖 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第1期77-80,共4页
CsI(Tl)闪烁晶体光产额高于BGO晶体4倍多,辐照长度较NaI(Tl)晶体短,机械性能好,是一种优良实用的闪烁晶体材料。CsI(Tl)晶体的发光中心包括激活剂发光中心[Tl(Ⅰ)和Tl(Ⅱ)]和辐照诱导缺陷发光中心。CsI(Tl)晶体的发射谱峰值位于550nm,... CsI(Tl)闪烁晶体光产额高于BGO晶体4倍多,辐照长度较NaI(Tl)晶体短,机械性能好,是一种优良实用的闪烁晶体材料。CsI(Tl)晶体的发光中心包括激活剂发光中心[Tl(Ⅰ)和Tl(Ⅱ)]和辐照诱导缺陷发光中心。CsI(Tl)晶体的发射谱峰值位于550nm,能与硅光二极管配合组成性能优良的探测器,广泛应用于核技术和高能物理等领域。目前主要采用坩埚下降法和连续加料法生长。本文综述了CsI(Tl)闪烁晶体的生长、缺陷、闪烁性能及其应用领域的研究与发展趋势。 展开更多
关键词 闪烁晶体 探测器 csi(tl) 晶体生长 闪烁性能 激活剂 探测器 核技术 中微子探测
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CsI探测器余辉性能测试仪关键技术研究与实现 被引量:1
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作者 郑海东 史运峰 +1 位作者 霍梅春 李昊 《机电产品开发与创新》 2015年第4期26-28,共3页
为检测Cs I(Tl)探测器的余辉性能,帮助探测器进行分档,论文通过对余辉测试仪设计过程中的电动缸选型计算、射线屏蔽、电磁兼容设计等关键问题进行分析,自主研发了一台Cs I探测器余辉测试仪。该测试仪快门关断时间≦3ms;可测余辉值的时... 为检测Cs I(Tl)探测器的余辉性能,帮助探测器进行分档,论文通过对余辉测试仪设计过程中的电动缸选型计算、射线屏蔽、电磁兼容设计等关键问题进行分析,自主研发了一台Cs I探测器余辉测试仪。该测试仪快门关断时间≦3ms;可测余辉值的时间范围:5ms^500ms。并能对采集数据进行分析,得到探测器晶体各像素的余辉和平均余辉,及其变化曲线。余辉测试仪的检测结果将为安检整机提供具有数据信息的系列探测板,促进其图像质量更上一层楼。 展开更多
关键词 csi(tl)闪烁晶体 余辉 电动缸 射线屏蔽
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对CsI(T1)晶体探测器传统的能量校准方法局限性的研究
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作者 粟春梅 《科技创新与应用》 2020年第2期121-122,共2页
文章介绍了CsI(T1)晶体探测器能量刻度的传统方法,并对其局限性进行了研究,发现对大角度范围内的CsI(T1)晶体无法探测到的粒子或是只能探测到某个或某几个产额较高的粒子时,传统方法无法实现对所有粒子进行能量刻度。因此文章的研究具... 文章介绍了CsI(T1)晶体探测器能量刻度的传统方法,并对其局限性进行了研究,发现对大角度范围内的CsI(T1)晶体无法探测到的粒子或是只能探测到某个或某几个产额较高的粒子时,传统方法无法实现对所有粒子进行能量刻度。因此文章的研究具有重要的现实意义,对开创一种新的刻度CsI(T1)晶体探测器能量的方法起到了推动和促进作用。 展开更多
关键词 csi(T1)晶体探测器 能量刻度 局限性
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Size-induced effect on cathode luminescence spectra of CsI(Na) and CsI(Tl) crystals 被引量:1
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作者 LIU Fang OUYANG XiaoPing +5 位作者 LIU Bin LIU JinLiang CHEN Liang ZHANG ZhongBing ZHANG XueBin FENG Yi 《Science China(Physics,Mechanics & Astronomy)》 SCIE EI CAS 2014年第9期1684-1688,共5页
We investigated the cathode luminescence characteristics of CsI(Na)and CsI(Tl)crystals by the spectrum and structure properties at room temperature.We fabricated three different sizes of CsI(Na)and CsI(Tl)crystals and... We investigated the cathode luminescence characteristics of CsI(Na)and CsI(Tl)crystals by the spectrum and structure properties at room temperature.We fabricated three different sizes of CsI(Na)and CsI(Tl)crystals and measured their luminescence spectra under cathode rays.We found that CsI(Na)cathode luminescence peaks appear at 420 and 305 nm,and CsI(Tl)cathode luminescence peaks are 540 and 410 nm,the grain size affects CsI(Na)luminescence significantly,and the Na-related420 nm luminescence intensified relatively when the average grain size reaches^20μm,which becomes weak when the grain size is down to nano-scale.But the cathode luminescence spectra of CsI(Tl)crystals with different size have no obvious changes.Our explanations for these phenomena are that the different impurities in the same host material CsI lead to different luminescence mechanisms.These cathode luminescence characteristics indicate the suitability of CsI(Na)and CsI(Tl)crystals to match photomultiplier tube for large area crystal detector development. 展开更多
关键词 csi(tl)晶体 发光光谱 阴极射线 NA 平均晶粒尺寸 阴极发光 纳米尺度 光电倍增管
原文传递
硅光电二极管与电荷灵敏前置放大器在中微子实验中的设计应用研究 被引量:7
17
作者 张志勇 刘正山 +4 位作者 程昶 李金 刘延 石峰 王子敬 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2002年第2期136-138,165,共4页
在台湾中微子实验项目先期研究中 ,用硅光电二极管测读中微子作用于 Cs I(Tl)晶体的光谱信号。
关键词 csi(tl)晶体 硅光电二极管 电荷灵敏前置放大器 中微子实验 设计 碘化铯晶体
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中能重离子核反应产物测量装置4π带电粒子探测设备的研制 被引量:3
18
作者 李松林 诸永泰 +5 位作者 靳根明 徐瑚珊 殷旭 王晓秋 李祖玉 卢俊 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2002年第6期485-488,共4页
介绍了 4 π带电粒子多探测器系统 ,该系统由 2 76个探测器单元组成 ,每个单元分别由快、慢塑料闪烁体、碘化铯晶体、硅半导体探测器所组成的望远镜构成。总立体角覆盖约 86 %的 4 π以及有一个很低的能量探测阈。整个探测器系统轴向对... 介绍了 4 π带电粒子多探测器系统 ,该系统由 2 76个探测器单元组成 ,每个单元分别由快、慢塑料闪烁体、碘化铯晶体、硅半导体探测器所组成的望远镜构成。总立体角覆盖约 86 %的 4 π以及有一个很低的能量探测阈。整个探测器系统轴向对称排列 ,工作在真空中。该探测器系统可以鉴别氢、氦的同位素 ,具有大的能量测量动态范围。 展开更多
关键词 中能重离子核反应 产物 测量装置 4π带电粒子多探测器设备 塑料闪烁体 碘化铯晶体
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CsI∶Tl晶体对高能X光照射量的响应关系研究 被引量:5
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作者 江孝国 王伟 +1 位作者 吴建华 王婉丽 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第10期1429-1432,共4页
在X光探伤系统中使用效率较高的CsI∶Tl晶体作为X光转换体。CsI∶Tl晶体对X光的响应关系是精密图像处理、定量测量所需的一项重要参量,理论上已经推导了CsI∶Tl晶体对X光的响应呈现线性关系,并针对性地设计了在60Co放射源上的定量测量实... 在X光探伤系统中使用效率较高的CsI∶Tl晶体作为X光转换体。CsI∶Tl晶体对X光的响应关系是精密图像处理、定量测量所需的一项重要参量,理论上已经推导了CsI∶Tl晶体对X光的响应呈现线性关系,并针对性地设计了在60Co放射源上的定量测量实验,所获数据不仅充分证明了理论推导的正确性,还证明了相应系统的这种线性关系的线性度非常好。 展开更多
关键词 X射线光学 csi:tl晶体 赫特-德里菲尔德曲线 CCD ^60CO 线性度
原文传递
ΔE-E望远镜在~9C碎裂反应上的应用 被引量:4
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作者 金仕纶 王建松 +14 位作者 王猛 胡正国 张雪荧 陈若富 王琦 陈志强 黄美容 郑川 杨彦云 严鑫帅 袁小华 韩建龙 马朋 付芬 胡强 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第4期385-389,共5页
为研究9 C的晕核结构,一套ΔE-E望远镜探测器应用在兰州放射性次级束流线(RIBLL)上进行的9 C碎裂反应实验中,用来测量反应中产生的碎片。为解决ΔE-E望远镜中硅条的干扰问题及硅条和CsI的能量刻度,利用硅条的感应信号对重离子在硅条上... 为研究9 C的晕核结构,一套ΔE-E望远镜探测器应用在兰州放射性次级束流线(RIBLL)上进行的9 C碎裂反应实验中,用来测量反应中产生的碎片。为解决ΔE-E望远镜中硅条的干扰问题及硅条和CsI的能量刻度,利用硅条的感应信号对重离子在硅条上产生的饱和信号进行能量刻度,并通过模拟程序与事例得到的刻度点对CsI(Tl)晶体进行能量刻度。同时使用在硅条和CsI(Tl)晶体上的位置信息对反应物径迹进行重建,从而得到同一离子在硅条与CsI(Tl)晶体上信号的符合,并得到了最终的有效物理事件。 展开更多
关键词 ΔE-E望远镜 硅条饱和信号 csi(tl)晶体刻度 径迹拟合
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