CsI/Ni/LiF半透明真空紫外光阴极“日盲”效应的验证

CSI／Ni／LiF半透明真空紫外光阴极，由于CSI的长波阈值为200nm，即有很好的“日盲”效应。通过对照测试，得到验证。用氢真空紫外辐射源作检测光源，在专用的真空紫外光电发射特性测试系统中，测得CSI／Ni／LiF半透明真空紫外光阴极在105～165nm波长范围内平均量子产额为0．16～0．21电子／入射光子，而在200～365nm紫外辐射下，其量子产额仅为10－6～10－5电子／入射光子。可见对200nm以上波长的紫外光不灵敏，即具有良好的“日盲”效应。

CsI/Ni薄膜系统的化学深度剖面分布

利用XPS研究了CsI/Ni薄膜系统的深度剖面分布,研究结果指出:CsI膜在20～200℃的温度范围内是热稳定的,而且CsI膜厚度随烘烤温度增加而增加。由于Ni扩散至CsI层内,CsI/Ni紫外光电阴极长波阈向长波延伸。

CsI/Ni/LiF半透明真空紫外光阴极的分析研究

欲探测真空紫外区（λ【200nm）的二维空间的光信息,我们在LiF窗口材料上溅射一定厚度的Ni膜作导电衬底,再真空蒸镀一定厚度的CsI淀积层,制成CsI/Ni/LiF半透明真空紫外光阴极。用H2水冷毛细管真空紫外辐射源作捡测光源。