移动区熔法生长全无机钙钛矿型CsPbBr_3晶体及其性能研究（英文）

利用自制移动区熔炉生长了CsPbBr_3晶体,事先采用相同工艺合成了高纯多晶原料以去除杂质和水分。通过工艺优化获得了大尺寸CsPbBr_3晶体,达到Ф25 mm×60 mm。该晶体呈橘红色,在600～2000 nm波长范围内具有透过率达78.6%的优异透光性能。热分析表明,所得CsPbBr_3晶体在88.1℃和131.25℃时存在正交-四方和四方-立方相变。计算得到CsPbBr_3晶体的带宽E_g=2.25eV。上述结果表明移动区熔法是一种具有应用潜力的制备高质量大尺寸CsPbBr_3晶体的生长方法。

锡掺杂CsPbBr3量子点的合成及其光电性能研究

采用热注入法合成了锡掺杂CsPbBr_(3)量子点。透射电子显微镜和X射线衍射仪(XRD)的表征结果显示,少量锡掺杂可以部分替代铅,对量子点有钝化作用,减少了量子点的表面缺陷,提高了量子点的光致发光量子效率(PLQY)。当掺杂铅和锡的物质的量比为9\:1时,量子点的PLQY从未掺杂时的21.0%提高到了40.4%。随着锡掺杂量的增加,XRD谱中出现了杂相,光致发光减弱,PLQY由少量锡掺杂(铅和锡的物质的量比为9\:1)量子点的40.4%降低到CsPb_(0.6)Sn_(0.4)Br_(3)的10.4%。少量锡掺杂的CsPb_(0.9)Sn_(0.1)Br_(3)具有最强的光致发光和电致发光,其光致发光峰位为511 nm,PLQY为40.4%,电致发光峰位为512 nm,电致发光亮度为343.0 cd/m2,是未掺杂CsPbBr_(3)量子点发光二极管亮度的2.5倍。本实验证明了采用少量锡掺杂CsPbBr_(3)(CsPb_(0.9)Sn_(0.1)Br_(3))可以降低量子点的表面缺陷,提高量子点的光致发光与电致发光性能。